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ZXMN2B01F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 806mW 8V 1V 4.8nC@ 4.5V 20V 100mΩ@ 4.5V 370pF@ 10V SOT-23 贴片安装
供应商型号: 1426253
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN2B01F

ZXMN2B01F概述

    ZXMN2B01F MOSFET 技术手册综述

    产品简介


    ZXMN2B01F 是一款由 Zetex 公司生产的20V SOT23封装的N沟道增强型MOSFET。它具有低栅极驱动能力和低导通电阻的特点。此款 MOSFET 主要用于直流到直流转换器、电源管理功能、断开开关和电机控制等领域。

    技术参数


    | 参数 | 描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±8 V |
    | 漏极-源极电压 | VDSS 20 | V |
    | 连续漏极电流 @ VGS= 4.5V, Tamb=25°C | ID 2.4 | 2.1 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM 11.8 | A |
    | 静态导通电阻 @ VGS= 4.5V | RDS(on) | 0.100 0.150 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss 370 pF |
    | 输出电容 | Coss 81 | pF |
    | 反向传输电容 | Crss 46 | pF |
    | 开关延迟时间 | td(on) | 2.2 ns |
    | 上升时间 | tr | 3.6 ns |
    | 关闭延迟时间 | td(off) | 17.8 ns |
    | 下降时间 | tf | 10.5 ns |
    | 总栅极电荷 | Qg 4.8 nC |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(RDS(on)): 在栅极电压为4.5V时,典型值为0.100Ω,可以显著减少功率损耗。
    2. 快速开关速度: 快速的上升时间和下降时间使其适用于高频开关应用。
    3. 低栅极驱动能力: 降低了驱动所需的功率。
    4. SOT23封装: 尺寸紧凑,适合高密度电路板设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    ZXMN2B01F 常用于各种电源管理功能,例如在直流到直流转换器中的开关作用。由于其低导通电阻和快速开关特性,该器件特别适合在需要高效能转换的应用中使用。
    使用建议:
    - 确保在使用过程中提供适当的散热措施,以避免过热导致的性能下降。
    - 对于大电流应用,建议使用额外的散热片来提高器件的散热效果。
    - 在高速开关应用中,应注意 PCB 设计中的布局和走线,以减小寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    - 该产品可与其他 SOT23 封装的器件互换使用,但具体兼容性需根据具体应用场景进行确认。
    - 厂商提供技术支持,用户可以通过联系当地的 Zetex 销售办事处获得帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备在高温环境下表现不稳定。
    - 解决方案: 使用散热片或其他散热装置,确保温度不超过器件的工作范围。

    2. 问题: 设备出现过早失效现象。
    - 解决方案: 确认电路设计符合标准,并进行适当的测试和验证。

    3. 问题: 开关速度不符合预期。
    - 解决方案: 检查电源电压和栅极驱动信号的波形,确保符合规格要求。

    总结和推荐


    ZXMN2B01F MOSFET 的主要优点在于其低导通电阻和快速开关特性,非常适合于高效率、高频率的应用场合。它在电源管理和电机控制方面的应用尤为突出。基于其出色的性能,我们强烈推荐这款 MOSFET 在相关领域的新设计中使用。

ZXMN2B01F参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 8V
栅极电荷 4.8nC@ 4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 806mW
配置 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 370pF@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@ 4.5V
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级

ZXMN2B01F厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN2B01F数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN2B01F ZXMN2B01F数据手册

ZXMN2B01F封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 2.3847
50+ ¥ 2.0141
100+ ¥ 1.8046
500+ ¥ 1.8046
1500+ ¥ 1.8046
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