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ZXM61P03F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 806mW 20V 1V(Min) 4.8nC(Max) @ 10V 30V 350mΩ@ 10V,550mΩ@ 4.5V 140pF@ 25V SOT 支架安装,贴片安装
供应商型号: ET-9525300
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXM61P03F

ZXM61P03F概述

    ZXM61P03F P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    ZXM61P03F 是一款由 Zetex 生产的高密度P沟道增强型MOSFET。其核心特点在于低导通电阻和高速开关能力的结合,使其适用于高效能、低电压电源管理应用。

    技术参数


    - 电气特性
    - 漏源击穿电压: \(V{(BR)DSS} = -30V\)
    - 零栅压漏电流: \(I{DSS} \leq 1 \mu A\)
    - 栅体泄漏电流: \(I{GSS} \leq 100nA\)
    - 栅源阈值电压: \(V{GS(th)} = -1.0V\) 到 \(+0.55V\)
    - 静态导通电阻: \(R{DS(on)} = 0.35\Omega\) (\(V{GS} = -10V, ID = -0.6A\))
    - 动态参数
    - 输入电容: \(C{iss} = 140pF\)
    - 输出电容: \(C{oss} = 45pF\)
    - 反向传输电容: \(C{rss} = 20pF\)
    - 栅电荷: \(Qg = 4.8nC\)
    - 热阻
    - 结到环境热阻:
    - \(R{\theta JA} = 200°C/W\) (在25mm x 25mm FR4 PCB上,单面铜厚1oz,空气流动条件下)
    - \(R{\theta JA} = 155°C/W\) (FR4 PCB测量,t\(5\)秒时)
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压: \(V{DSS} = -30V\)
    - 栅源电压: \(V{GS} = \pm 20V\)
    - 连续漏极电流:
    - \(ID = -1.1A\) (\(V{GS} = -10V, TA = 25°C\))
    - \(ID = -0.9A\) (\(V{GS} = -10V, TA = 70°C\))
    - 工作温度范围
    - 结温/存储温度范围: \(-55°C\) 到 \(+150°C\)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:有助于减少功率损耗,提高效率。
    - 高速开关能力:适合高频应用。
    - 低阈值电压:降低了对栅驱动电压的需求。
    - 小封装(SOT23):节省空间,适用于紧凑设计。
    - 低栅极驱动:简化电路设计,减少外部组件。

    应用案例和使用建议


    - DC-DC转换器:适用于各种类型的DC-DC转换器,如降压/升压转换器。
    - 电源管理功能:在电源管理电路中,用于控制电源通断。
    - 电机控制:在电机控制中,可用于驱动和保护电机。
    使用建议:
    - 散热管理:考虑到热阻较高,需注意良好的散热措施以避免过热。
    - 外部电容配置:建议在电源引脚处添加适当容量的滤波电容,以降低噪声和电压波动。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET与大多数标准电路板兼容,适合多种应用。
    - 支持:制造商提供详细的技术文档和支持,包括详细的电气和热特性曲线图,便于进行电路设计和故障排除。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 在高温环境下导通电阻增加。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,增加外部散热片或采用更好的PCB布局以提高散热效率。
    - 问题: 高频工作下的栅极震荡。
    - 解决方案: 使用适当的栅极电阻和旁路电容来稳定栅极电压。

    总结和推荐


    ZXM61P03F 是一款非常适合于高效率、低电压电源管理应用的P沟道增强型MOSFET。其低导通电阻和高速开关能力,加上小封装和易于集成的特点,使其成为设计者理想的选择。强烈推荐用于需要高效能、小体积解决方案的应用场合。
    以上是对ZXM61P03F MOSFET的全面解析,希望对您的选型和应用设计有所帮助。

ZXM61P03F参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 350mΩ@ 10V,550mΩ@ 4.5V
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 140pF@ 25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V(Min)
最大功率耗散 806mW
配置 -
栅极电荷 4.8nC(Max) @ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
3.04mm(Max)
1.4mm(Max)
1.12mm(Max)
通用封装 SOT
安装方式 支架安装,贴片安装

ZXM61P03F厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXM61P03F数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXM61P03F ZXM61P03F数据手册

ZXM61P03F封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ $ 0.476 ¥ 4.0219
50+ $ 0.4087 ¥ 3.4531
100+ $ 0.3058 ¥ 2.5844
500+ $ 0.2168 ¥ 1.8321
1500+ $ 0.2125 ¥ 1.7957
库存: 17490
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