处理中...

首页  >  产品百科  >  ZVN4206ASTOB

ZVN4206ASTOB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 700mW 20V 1个N沟道 60V 1.5Ω 600mA TO-92-3 通孔安装
供应商型号: CSCS-ZVN4206ASTOB
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVN4206ASTOB

ZVN4206ASTOB概述

    N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 技术手册

    产品简介


    N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 是一款高性能的场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电力电子系统中。这款FET以其高耐压能力(60伏)和低导通电阻(1欧姆)著称,适用于开关电源、电机驱动和其他需要高效能转换的应用场景。

    技术参数


    以下是从技术手册中提取的主要技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 最大值 | 单位 | 条件 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 60 | V
    | 持续漏电流 @ Tamb=25°C | ID | - | 600 | mA
    | 脉冲漏电流 | IDM | - | 8 | A
    | 栅源电压 | VGS | ± 20 | V
    | 功率耗散 @ Tamb=25°C | Ptot | - | 0.7 | W
    | 工作温度范围 | Tj : Tstg | -55 | +150 | °C
    此外,其他重要的电气特性包括:
    - 漏源击穿电压:BVDSS = 60V (ID=1mA, VGS=0V)
    - 栅源阈值电压:VGS(th) = 1.3 - 3 V (ID=1mA, VDS=VGS)
    - 零栅压漏电流:IDSS = 10 µA (VDS=60V, VGS=0)
    - 静态漏源导通电阻:RDS(on) = 1 - 1.5 Ω (VGS=10V, ID=1.5A; VGS=5V, ID=500mA)

    产品特点和优势


    - 高耐压能力:60伏,适合高压应用。
    - 低导通电阻:1 - 1.5 欧姆,减少能耗和提高效率。
    - 高工作温度范围:从-55°C到+150°C,适合严苛环境。
    - 出色的开关性能:开关时间和输出电容等参数均经过优化,适用于高频应用。

    应用案例和使用建议


    该N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 广泛应用于各类电力转换系统中,例如:
    - 开关电源:其高耐压能力和低导通电阻使得它非常适合用于高效率的直流-直流转换器。
    - 电机驱动:低导通电阻减少了功率损耗,提高了电机驱动系统的整体效率。
    - 电池管理系统:高可靠性使其在电池充放电控制中表现优异。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应确保在最大工作条件下的漏源电压不超过额定值。
    - 为了保证最佳性能,在选择外部元件时应考虑匹配适当的栅极电阻和驱动电路。
    - 高温环境下使用时,需注意散热设计以保持正常工作温度。

    兼容性和支持


    该产品与现有的大多数电子设备具有良好的兼容性,可以方便地集成到现有的电路板设计中。制造商提供了详尽的技术支持和文档资料,确保用户能够充分利用其性能优势。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何测量导通电阻(RDS(on))?
    - 解决方法:将栅源电压设置为10V,通过改变漏电流ID并记录相应的电压降来计算RDS(on)。

    2. 问题:长时间工作后发现发热严重怎么办?
    - 解决方法:检查散热设计是否合理,确保有足够的热传导路径和散热片,必要时增加风扇或其他冷却装置。
    3. 问题:为何在某些条件下出现漏电流异常?
    - 解决方法:检查是否存在过高的栅源电压(超过±20V)或过高的温度,及时调整以避免损坏。

    总结和推荐


    总的来说,N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET是一款集高性能和广泛应用于一身的优秀电子元器件。其高耐压能力、低导通电阻和广泛的温度适应性使其成为许多电力电子应用的理想选择。强烈推荐给需要高效、可靠电子元件的设计工程师们。

ZVN4206ASTOB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 700mW
Id-连续漏极电流 600mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 独立式
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
包装方式 卷带包装

ZVN4206ASTOB厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVN4206ASTOB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVN4206ASTOB ZVN4206ASTOB数据手册

ZVN4206ASTOB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
501+ $ 0.252 ¥ 2.1294
库存: 4672
起订量: 1985 增量: 1
交货地:
最小起订量为:501
合计: ¥ 1066.82
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336