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ZVNL120GTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2W(Ta) 20V 1.5V@1mA 1个N沟道 200V 10Ω@ 250mA,5V 320mA 85pF@25V SOT 贴片安装 6.7mm*3.7mm*1.65mm
供应商型号: 30C-ZVNL120GTA SOT223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVNL120GTA

ZVNL120GTA概述

    # ZVNL120G N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    产品类型: ZVNL120G 是一种200V N-通道增强模式MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。
    主要功能: 该款MOSFET 采用了独特的沟槽结构,结合了低导通电阻和快速开关的优点,使其非常适合于高效率的电源管理应用。
    应用领域: 主要应用于离线电源启动电路。

    技术参数


    最大额定值
    | 特性 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 源极-漏极电压 | VDSS | 200 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGSS | ±20 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 320 | mA |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 2 | A |
    热特性
    | 特性 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 结温 | TJ | -55 to +150 | °C |
    | 储存温度范围 | TSTG | -55 to +150 | °C |
    电气特性
    | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    ||
    | 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 200 | - | - | V | VGS = 0V, ID = 1mA |
    | 零栅极电压漏极电流 | IDSS | - | - | 10 | µA | VDS = 200V, VGS = 0V |
    | 门极-源极漏电 | IGSS | - | - | 100 | nA | VGS = ±20V, VDS = 0V |
    | 门限电压 | VGS(TH) | 0.5 | - | 1.5 | V | VDS = VGS, ID = 1mA |
    | 静态漏极-源极导通电阻 | RDS(ON) | - | - | 10 | Ω | VGS = 5V, ID = 250mA |

    产品特点和优势


    - 高压特性: 高达200V的源极-漏极电压。
    - 低导通电阻: 最大10Ω(VGS = 10V时),保证了高效能操作。
    - 快速开关速度: 快速的开启和关闭时间,适合高频应用。
    - 低门驱动: 降低了驱动所需的能量。
    - 低阈值: 便于控制,降低了误触发的风险。
    - 环保: 符合RoHS标准,无卤素、锑自由。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    ZVNL120G 适用于各种离线电源启动电路,例如充电器、电源适配器和各类开关电源等。它的高速开关特性和低导通电阻使得它能够在各种电源管理应用中提供卓越的表现。
    使用建议
    - 在设计电源启动电路时,考虑ZVNL120G的低导通电阻和快速开关速度,可降低损耗并提高效率。
    - 尽量避免长时间在最大额定条件下使用,以延长产品寿命。
    - 确保良好的散热设计,特别是在高电流应用中,以防止过热。

    兼容性和支持


    兼容性
    ZVNL120G 采用SOT223封装,适用于多种标准的PCB布局。此外,该产品符合AEC-Q101标准,可用于汽车电子应用。
    支持
    Diodes Incorporated 提供了详尽的技术文档和售后支持,包括最新的产品数据表和应用指南。用户可通过其官方网站获取这些资源。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何判断是否需要更换ZVNL120G?
    - 解决方案: 检查漏电流是否超出正常范围,如果超过100nA,则可能需要更换。
    2. 如何优化电路效率?
    - 解决方案: 选择合适的门驱动电压,尽量保持在VGS = 10V,以降低导通电阻并提高效率。
    3. 如何防止静电损坏?
    - 解决方案: 使用接地防静电手环,并确保所有设备都接地。

    总结和推荐


    ZVNL120G是一款高性能的N-通道MOSFET,具备出色的电气特性和可靠性,特别适合用于高效率的电源管理应用。其紧凑的封装和环保特性使其在市场上具有很高的竞争力。对于需要高性能、高可靠性的电源管理解决方案的应用,我们强烈推荐使用ZVNL120G。

ZVNL120GTA参数

参数
配置 独立式双drain
Rds(On)-漏源导通电阻 10Ω@ 250mA,5V
通道数量 1
最大功率耗散 2W(Ta)
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 85pF@25V
Id-连续漏极电流 320mA
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@1mA
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 6.7mm*3.7mm*1.65mm
通用封装 SOT
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZVNL120GTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVNL120GTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVNL120GTA ZVNL120GTA数据手册

ZVNL120GTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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50+ ¥ 2.75
1000+ ¥ 2.288
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