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ZXMN2F30FHQTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.4W 12V 1.5V@ 250µA 4.8nC@ 10 V 1个N沟道 20V 45mΩ@ 2.5A,4.5V 4.9A 452pF@10V SOT-23-3 贴片安装
供应商型号: ZXMN2F30FHQTA
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN2F30FHQTA

ZXMN2F30FHQTA概述


    产品简介


    ZXMN2F30FHQ 是一款20V N沟道增强型功率MOSFET,专为满足汽车电子领域的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准,提供PPAP(生产件批准程序)认证,适用于LED照明、便携式设备充电、直流到直流转换器及电机控制等多种应用。

    技术参数


    - 最大耐压 (V(BR)DSS): 20V
    - 最大连续漏极电流 (ID max):
    - TA = +25°C: 4.9A
    - TA = +70°C: 4.0A
    - 最大体二极管正向电流 (IS): 1.6A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 22.6A (10µs脉冲,占空比1%)
    - 热阻 (RθJA):
    - 稳态:131°C/W
    - 高温:89°C/W
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS = 4.5V, ID = 2.5A: 45mΩ
    - VGS = 2.5V, ID = 2.0A: 65mΩ
    - 输入电容 (Ciss): 452pF (VDS = 10V, VGS = 0V, f = 1.0MHz)
    - 输出电容 (Coss): 102pF
    - 反向传输电容 (Crss): 58pF
    - 栅极总电荷 (Qg): 4.8nC

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻: RDS(ON)仅为45mΩ (VGS = 4.5V),使得功耗显著降低,效率提高。
    2. 低输入电容: 输入电容Ciss仅为452pF,降低了驱动电路的设计复杂度,提升了开关速度。
    3. 快速开关速度: 高速开关能力使其适合高频应用。
    4. 环保特性: 无铅、完全符合RoHS标准,无卤素和锑,属于绿色产品。
    5. 高可靠性: 符合AEC-Q101标准,通过PPAP认证,确保了其在汽车电子中的可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - LED照明: 用于高效、稳定的LED驱动。
    - 便携式设备充电: 快速且可靠的充电方案。
    - 直流到直流转换器: 高效的电压转换解决方案。
    - 电机控制: 广泛应用于各种电机控制系统中。
    使用建议:
    - 散热管理: 在使用过程中需注意散热,可采用散热片或散热基板以保持温度稳定。
    - PCB布局: 优化PCB布局,尽量缩短栅极走线长度以减少寄生电感,从而改善开关性能。
    - 电路保护: 增加合适的保护电路如钳位二极管,避免电压尖峰损坏MOSFET。

    兼容性和支持


    - 兼容性: ZXMN2F30FHQ与标准SOT23封装兼容,易于集成到现有设计中。
    - 支持: Diodes Incorporated提供了详细的文档和技术支持,帮助客户顺利完成产品选型和应用开发。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关时出现不稳定现象。
    - 解决方案: 检查PCB布局,缩短栅极引线,增加旁路电容。
    2. 问题: 温度过高。
    - 解决方案: 使用散热片或者散热基板,确保良好的散热条件。
    3. 问题: 驱动电流不足。
    - 解决方案: 适当增大驱动电阻值,提高驱动能力。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点: 低导通电阻、低输入电容、快速开关、环保特性、高可靠性,广泛适用于多种应用领域。
    - 推荐: ZXMN2F30FHQ是一款性能优异的N沟道增强型MOSFET,非常适合于汽车电子、工业控制等领域,值得推荐使用。
    最终结论:
    ZXMN2F30FHQ在导通电阻、开关速度和环保方面表现出色,是一款值得推荐的高性能N沟道增强型MOSFET产品。

ZXMN2F30FHQTA参数

参数
栅极电荷 4.8nC@ 10 V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ@ 2.5A,4.5V
Vgs-栅源极电压 12V
Id-连续漏极电流 4.9A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 452pF@10V
最大功率耗散 1.4W
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 1个N沟道
配置 -
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN2F30FHQTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN2F30FHQTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN2F30FHQTA ZXMN2F30FHQTA数据手册

ZXMN2F30FHQTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.558
6000+ ¥ 0.531
12000+ ¥ 0.522
24000+ ¥ 0.5175
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起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
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