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ZVP4525GTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=250 V, 260 mA, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 11M-ZVP4525GTA
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVP4525GTA

ZVP4525GTA概述

    ZVP4525G P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    ZVP4525G 是一种由 Diodes Incorporated 生产的250V P-Channel 增强模式 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它适用于高效率电源管理应用,具有低导通电阻和快速开关能力。该产品主要应用于拨号开关、电信呼叫路由器、高压电源 MOSFET 驱动器等领域。

    2. 技术参数


    以下是 ZVP4525G 的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 值 | 单位 | 备注 |
    ||
    | 漏源电压 | -250 | V
    | 栅源电压 | ±40 | V
    | 连续漏极电流 (TA=+25°C) | -265 | mA
    | 脉冲漏极电流 | -1 | A
    | 持续源电流(二极管) | -0.75 | A
    | 脉冲源电流(二极管) | -1 | A
    | 导通状态下的栅极泄漏电流 | ±1 | nA | VGS = ±40V, VDS = 0V |
    | 导通状态下的栅极阈值电压 | -0.8 | V | VDS = VGS, ID = -1mA |
    | 静态漏源导通电阻 (VGS=-10V, ID=-200mA) | - | 10 | Ω |
    | 静态漏源导通电阻 (VGS=-3.5V, ID=-100mA) | - | 13 | Ω |
    | 开启延迟时间 (VDD=-30V, ID=-200mA, VGS=-10V, RG=50Ω) | - | 1.53 | ns |

    3. 产品特点和优势


    ZVP4525G 的显著特点是:
    - 高电压: 可以承受高达 250V 的电压。
    - 低导通电阻: 最小静态导通电阻仅为 10Ω(VGS=-10V, ID=-200mA),适合高效率应用。
    - 快速开关速度: 快速的开关速度可以减少损耗并提高整体系统效率。
    - 低栅极驱动需求: 低栅极驱动降低了能耗和热损失。
    - 低栅极阈值电压: 简化了电路设计和驱动电路。
    - 环保认证: 符合 RoHS 标准,无卤素和锑元素,是绿色环保产品。
    - 可靠性认证: 已通过 AEC-Q101 标准,确保高可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    ZVP4525G 在多种应用中表现出色,如拨号开关、电信呼叫路由器和高压电源 MOSFET 驱动器。以下是一些使用建议:
    - 高效率电源管理: 利用其低导通电阻和快速开关特性,可以在各种高效率电源管理系统中发挥重要作用。
    - 优化电路设计: 在使用过程中,应注意栅极驱动的设计,以进一步降低损耗。
    - 散热考虑: 由于其较高的热阻(RθJA = 63°C/W),在高温环境下使用时应确保良好的散热措施。

    5. 兼容性和支持


    ZVP4525G 采用标准的 SOT223 封装,易于与其他组件集成。厂商提供了详尽的支持文档,包括测试电路和电路图。具体的信息可以通过访问 Diodes Incorporated 的官方网站获取。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是用户可能会遇到的一些常见问题及其解决方案:
    - 问题1: 设备温度过高
    - 解决方案: 检查散热设计是否合理,必要时添加外部散热片。
    - 问题2: 器件损坏
    - 解决方案: 确保设备的输入电压不超过最大额定值,并正确连接所有引脚。
    - 问题3: 开关性能不佳
    - 解决方案: 检查栅极驱动电路设计,确保其能够提供足够的驱动能力。

    7. 总结和推荐


    ZVP4525G 是一款非常出色的250V P-Channel 增强模式 MOSFET,适用于多种高效率电源管理应用。其低导通电阻、快速开关能力和良好的可靠性使其在市场上具有很强的竞争优势。建议在需要高效率和可靠性的情况下选用此产品。

ZVP4525GTA参数

参数
Vgs-栅源极电压 40V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@1mA
最大功率耗散 2W(Ta)
栅极电荷 3.45nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 250V
Rds(On)-漏源导通电阻 14Ω@ 200mA,10V
FET类型 1个P沟道
通道数量 1
Id-连续漏极电流 265mA
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 73pF@25V
长*宽*高 6.5mm*3.5mm*1.65mm
通用封装 SOT-223-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZVP4525GTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVP4525GTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVP4525GTA ZVP4525GTA数据手册

ZVP4525GTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.6115
10+ ¥ 2.2385
30+ ¥ 1.9587
100+ ¥ 1.6494
500+ ¥ 1.5669
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