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ZXMC3F31DN8TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2.1W 20V 3V@ 250µA 12.9nC@ 10V 2N+2P沟道 30V 24mΩ@ 7A,10V 6.8A,4.9A 608pF@15V SOIC-8 贴片安装
供应商型号: 3944178
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMC3F31DN8TA

ZXMC3F31DN8TA概述


    产品简介


    ZXMC3F31DN8 是一款由 Zetex(现为 Diodes Incorporated)生产的 SO8 封装的互补增强型双沟道 MOSFET。这种新一代的沟槽 MOSFET 设计旨在降低导通电阻 (RDS(on)) 的同时保持卓越的开关性能,使其特别适合于电源管理和电池充电功能。ZXMC3F31DN8 主要包括一个 N 沟道 MOSFET 和一个 P 沟道 MOSFET,可广泛应用于直流-直流转换器、开关模式电源 (SMPS)、负载切换、电机控制和背光应用。

    技术参数


    - 电压参数:
    - N 沟道 Q1:VDSS = 30V
    - P 沟道 Q2:VDSS = -30V
    - 电流参数:
    - N 沟道 Q1:ID = 7.3A @ VGS = 10V, TA = 25°C
    - P 沟道 Q2:ID = -3.5A @ VGS = 10V, TA = 25°C
    - 导通电阻:
    - N 沟道 Q1:RDS(on) = 0.024Ω @ VGS = 10V, ID = 7.0A
    - P 沟道 Q2:RDS(on) = 0.045Ω @ VGS = -10V, ID = -5.0A
    - 功率参数:
    - 最大脉冲电流:IMD = 33A (N 沟道), 23A (P 沟道)
    - 最大功耗:PD = 1.25W @ TA = 25°C (单个 MOSFET)
    - 温度范围:
    - 工作温度:-55°C 至 150°C
    - 存储温度:-55°C 至 150°C
    - 封装信息:
    - SO8 封装,引脚间距为 0.150-0.157 英寸 (3.80-4.00 毫米)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:该产品具有较低的 RDS(on),有助于减少功率损耗和提高能效。
    - 4.5V 门驱动能力:提供更广泛的适用范围,适用于多种电源环境。
    - 低轮廓 SOIC 封装:适合空间受限的应用场合。
    - 卓越的开关性能:出色的开关特性和快速的响应时间,使得其在高频应用中表现出色。
    - 安全操作区:适用于各种工作条件,包括瞬态过载情况下的保护。

    应用案例和使用建议


    - 直流-直流转换器:ZXMC3F31DN8 可以用于高效率的直流-直流转换器设计,特别是在需要小体积和高效转换的应用中。
    - 开关模式电源 (SMPS):其高效的转换能力和低导通电阻使其成为 SMPS 理想的选择。
    - 负载切换:由于其快速的开关速度和低损耗特性,ZXMC3F31DN8 非常适合负载切换应用,可以显著提高系统的整体性能。
    - 电机控制:通过精确的控制和快速的响应时间,该器件可以提高电机的控制精度和稳定性。
    - 背光应用:在背光驱动电路中,其低导通电阻可以有效降低热损耗,提高系统效率。

    兼容性和支持


    ZXMC3F31DN8 具有良好的兼容性,适用于多种不同的应用环境。厂商提供了全面的技术支持,包括在线文档、应用指南和客户支持。此外,用户可以通过官方网站获取最新的产品信息和技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:在高电流条件下,MOSFET 温度过高。
    - 解决方案:检查散热片是否安装正确,并增加散热片面积,以降低工作温度。
    - 问题 2:开关时出现噪声。
    - 解决方案:检查 PCB 布局是否合理,确保去耦电容靠近 MOSFET 并且接地良好。
    - 问题 3:MOSFET 在低电压下无法正常工作。
    - 解决方案:确保 VGS 足够高以保证 MOSFET 正常开启,通常 VGS > VGS(th)。

    总结和推荐


    综上所述,ZXMC3F31DN8 是一款非常出色的互补增强型双沟道 MOSFET,尤其适用于需要低损耗和高效转换的应用。其低导通电阻、高速开关特性和卓越的安全操作区使其成为多种电力管理应用的理想选择。我们强烈推荐在新的设计中使用 ZXMC3F31DN8,特别是对于那些对高效能和可靠性要求较高的应用。

ZXMC3F31DN8TA参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@ 7A,10V
栅极电荷 12.9nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
配置
通道数量 2
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 608pF@15V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 2.1W
FET类型 2N+2P沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 6.8A,4.9A
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMC3F31DN8TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMC3F31DN8TA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMC3F31DN8TA ZXMC3F31DN8TA数据手册

ZXMC3F31DN8TA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.9065
10+ ¥ 2.9595
100+ ¥ 2.6517
500+ ¥ 2.6517
1000+ ¥ 2.557
5000+ ¥ 2.557
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