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ZVN4210GTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2W(Ta) 20V 2.4V@1mA 1个N沟道 100V 1.5Ω@ 1.5A,10V 800mA 100pF@25V SOT-223-3 贴片安装 6.7mm*3.7mm*1.65mm
供应商型号: 30C-ZVN4210GTA SOT223
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVN4210GTA

ZVN4210GTA概述

    ZVN4210G N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET

    产品简介


    ZVN4210G 是一款 N-Channel 增强模式垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Vertical DMOS FET),专为高可靠性应用设计。它属于 SOT223 封装形式,具备良好的电气特性和卓越的工作性能,适用于各种电源管理和电机控制等领域。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    |
    | 漏源电压 VDSS | - | - | 100 | V | -
    | 栅源电压 VGSS | ±20 | - | - | V | -
    | 持续漏极电流 VGS=10V,TA=+25°C | - | - | 800 | mA | -
    | 漏源击穿电压 BVDSS | 100 | - | - | V | VGS=0V,ID=1mA |
    | 零栅电压漏极电流 IDSS | - | - | 100 | µA | VDS=100V,VGS=0V |
    | 栅源漏电 IGSS | - | - | ±100 | nA | VGS=±20V,VDS=0V |
    | 栅阈电压 VGS(TH) | 0.8 | - | 2.4 | V | VDS=VGS,ID=1mA |
    | 静态漏源导通电阻 RDS(ON) | - | - | 1.5 | Ω | VGS=10V,ID=1.5A |
    | 二极管正向电压 VSD | - | - | 0.79 | V | IS=0.32A,VGS=0V |
    | 导通状态漏极电流 ID(ON) | 2.5 | - | - | A | VDS=25V,VGS=10V |
    | 反向恢复时间 tRR | - | 135 | - | ns | IF=0.45A,VGS=0V,IR=100mA,VR=10V |

    产品特点和优势


    1. 环保材料:符合欧盟 RoHS 规范,无卤素和锑化合物,符合“绿色”设备标准。
    2. 高可靠性:符合 AEC-Q101 标准,适合汽车及其他高可靠性要求的应用。
    3. 低电阻:在 VGS=10V 条件下,漏源导通电阻低至 1.5Ω,适合需要低导通损耗的应用场合。
    4. 温度范围广:工作温度范围宽达 -55°C 到 +150°C,适应多种环境。

    应用案例和使用建议


    ZVN4210G 在许多场合中被广泛应用,如电源转换、电机控制、照明系统及通信设备。具体使用时应注意以下几点:
    1. 在高电流工作环境下,建议增加散热措施以防止过热。
    2. 在开关电路设计中,考虑加入缓冲电路以减少瞬态冲击对晶体管的影响。
    3. 考虑到二极管正向电压特性,在设计驱动电路时要确保电压裕量足够。

    兼容性和支持


    ZVN4210G 与大多数现有的 SOT223 封装产品兼容。厂商提供了详尽的技术支持文档,包括封装尺寸图和推荐的焊盘布局。如有任何疑问,可访问官方网站获取更多技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题:增加外部散热器或优化电路设计,如采用脉冲工作方式降低平均功耗。
    2. 噪声问题:在栅极引脚增加去耦电容,以滤除电源噪声。
    3. 损坏问题:确保操作电压不超过最大额定值,避免瞬间过压导致器件损坏。

    总结和推荐


    综上所述,ZVN4210G N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 凭借其高可靠性、低电阻和广泛的温度适应性,在众多应用场合中表现出色。建议用户在设计时充分考虑其性能参数,并采取适当的散热和保护措施。该产品值得在电源管理和其他相关领域中广泛应用。

ZVN4210GTA参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@1mA
配置 独立式双drain
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω@ 1.5A,10V
Id-连续漏极电流 800mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 100pF@25V
通道数量 1
最大功率耗散 2W(Ta)
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
长*宽*高 6.7mm*3.7mm*1.65mm
通用封装 SOT-223-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZVN4210GTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVN4210GTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVN4210GTA ZVN4210GTA数据手册

ZVN4210GTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.861
100+ ¥ 3.08
1000+ ¥ 2.86
15000+ ¥ 2.849
30000+ ¥ 2.838
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