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DMN2056U-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 940mW 8V 1V@ 250µA 4.3nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 38mΩ@ 3.6A,4.5V 4A 339pF@10V SOT-23-3 贴片安装
供应商型号: 30C-DMN2056U-13 SOT23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN2056U-13

DMN2056U-13概述

    DMN2056U:20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    DMN2056U 是一款由 Diodes Incorporated 生产的20V N-通道增强型模式 MOSFET。这款 MOSFET 设计的主要目标是通过减小导通电阻(RDS(ON))来实现高效的功率管理,同时保持出色的开关性能。它适用于多种高效率电源管理应用,例如电池充电、电源管理功能、直流-直流转换器以及便携式电源适配器。

    技术参数


    以下是 DMN2056U 的主要技术参数及电气特性:
    - 最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 20V
    - 栅源电压 (VGSS): ±8V
    - 连续漏电流 (ID) @ TA = +25°C: 4.0A
    - 最大体二极管正向电流 (IS): 1.0A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 22A (10µs脉冲,占空比=1%)
    - 热特性
    - 功耗 (PD) @ TA = +25°C: 0.66W
    - 热阻 (RθJA) @ TA = +25°C: 192°C/W
    - 电气特性
    - 断态参数(@TA = +25°C)
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 20V
    - 零栅电压漏电流 (IDSS): 1 µA
    - 栅源漏电流 (IGSS): ±100 nA

    - 通态参数(@TA = +25°C)
    - 栅阈值电压 (VGS(TH)): 0.4V ~ 1.0V
    - 导通电阻 (RDS(ON))
    - @VGS = 4.5V: 30 mΩ ~ 38 mΩ
    - @VGS = 2.5V: 34 mΩ ~ 45 mΩ
    - @VGS = 1.5V: 52 mΩ ~ 85 mΩ

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(ON) 在不同栅源电压下表现优异,特别是在高电流时能够保持较低的电阻。
    - 低栅阈值电压:这使得该器件更容易驱动。
    - 低输入电容:有助于提高开关速度。
    - 快速开关速度:低栅源电荷和反向传输电容保证了高速度。
    - 低输入/输出泄漏:减少能量损耗和提高可靠性。
    - 无铅且完全符合RoHS标准:对环保要求严格的应用尤其适合。
    - 无卤素、锑自由:“绿色”设备。
    - 符合AEC-Q101标准:适用于高可靠性的汽车和其他工业应用。

    应用案例和使用建议


    - 应用实例
    - 电池充电电路中:由于低RDS(ON),可以显著减少能量损耗。
    - 直流-直流转换器中:快速开关速度有助于提高效率。
    - 便携式电源适配器中:低功耗设计延长电池寿命。
    - 使用建议
    - 确保散热良好,特别是在高电流应用中。
    - 使用适当的栅极驱动以确保可靠的开关操作。

    兼容性和支持


    DMN2056U 采用 SOT23 封装,与市场上大多数 SOT23 封装的器件兼容。Diodes Incorporated 提供全面的技术支持,包括详细的电气特性数据、机械数据和封装信息。对于更详细的信息,可访问官网查询。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 如何选择合适的栅极驱动?
    - 解答: 参考手册中的栅极电阻 (RG) 和栅极电荷 (Qg) 参数,确保驱动信号具有足够的上升时间。

    - 问题2: 在高温环境下工作是否会影响性能?
    - 解答: 可以参考手册中的温度影响图(如图6),在不同温度下监测 RDS(ON) 的变化。

    总结和推荐


    综上所述,DMN2056U MOSFET 非常适合高效率电源管理应用。其低导通电阻、快速开关速度以及全面的电气和机械特性使其成为设计中极具竞争力的选择。推荐在需要高效功率管理和快速开关特性的应用中使用该产品。
    本手册详尽介绍了 DMN2056U MOSFET 的各种参数和技术特性,确保用户能够在多个关键应用中发挥其优势。希望以上内容能为您的项目提供有价值的参考。

DMN2056U-13参数

参数
Id-连续漏极电流 4A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 339pF@10V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 38mΩ@ 3.6A,4.5V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
栅极电荷 4.3nC@ 4.5 V
Vgs-栅源极电压 8V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 940mW
通道数量 -
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN2056U-13厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN2056U-13数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN2056U-13 DMN2056U-13数据手册

DMN2056U-13封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 0.7843
100+ ¥ 0.5412
500+ ¥ 0.4917
2500+ ¥ 0.4554
5000+ ¥ 0.4246
10000+ ¥ 0.3982
60000+ ¥ 0.3949
540000+ ¥ 0.3916
库存: 9906
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