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ZVP2110ASTZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 700mW(Ta) 20V 3.5V@1mA 1个P沟道 100V 8Ω@ 375mA,10V 230mA 100pF@25V TO-92-3 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: CSCS-ZVP2110ASTZ
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVP2110ASTZ

ZVP2110ASTZ概述

    ZVP2110A P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 技术手册

    1. 产品简介


    ZVP2110A 是一款 P 沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET),具有高可靠性、低导通电阻(RDS(on))和宽工作温度范围等特点。该器件广泛应用于电源管理和控制、电机驱动、通信设备及汽车电子等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 备注 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源电压 | -100 | - | -100 | V
    | 持续漏极电流(Ta=25°C) | - | - | -230 | mA
    | 脉冲漏极电流 | - | - | -3 | A
    | 栅源电压 | ±20 | - | ±20 | V
    | 功率耗散(Ta=25°C) | - | - | 700 | mW
    | 开启电压 | -1.5 | - | -3.5 | V
    | 零栅电压漏极电流 | -1 | - | -100 | µA
    | 开态漏极电流(Ta=25°C) | -750 | - | - | mA
    | 开态漏极-源极电阻 | 8 | - | - | Ω
    | 增益 | 125 | - | - | mS
    | 输入电容 | - | - | 100 | pF
    | 输出电容 | - | - | 35 | pF
    | 反向转移电容 | - | - | 10 | pF
    | 开启延迟时间 | 7 | - | - | ns
    | 上升时间 | 15 | - | - | ns
    | 关断延迟时间 | 12 | - | - | ns
    | 下降时间 | 15 | - | - | ns

    3. 产品特点和优势


    - 高耐压:ZVP2110A 具有 100V 的漏源击穿电压,适用于高压场合。
    - 低导通电阻:在 VGS=-10V,ID=-375mA 条件下,导通电阻仅为 8Ω,确保高效运行。
    - 快速开关特性:开启和关断时间短,有助于提高电路的工作频率和效率。
    - 宽工作温度范围:-55°C 至 +150°C,保证了在各种极端环境下的稳定运行。
    - 紧凑封装:采用 TO92 封装,易于安装和布线。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:ZVP2110A 在电源管理、电机驱动和通信设备中均有广泛应用。例如,在电源管理中,它可以用于逆变器或直流-直流转换器,确保高效稳定的电力传输。
    使用建议:
    1. 散热设计:由于较高的功率耗散(700mW),需要良好的散热设计以避免过热。
    2. 保护措施:考虑添加保护二极管和限流电阻,以防止电压瞬变和过电流损害。
    3. 布局优化:保持 PCB 布局简洁,减少寄生电感和电容的影响,以改善高频性能。

    5. 兼容性和支持


    ZVP2110A 与多种电路设计兼容,易于集成到现有的系统中。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,包括应用指南和在线技术支持,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题:在高电流情况下,器件发热严重。
    解决方案:确保良好的散热设计,如使用散热片或散热器,或者增加散热面积。
    2. 问题:开关速度慢,影响整体效率。
    解决方案:检查 PCB 布局,减少寄生电感和电容的影响;适当调整驱动信号的上升时间和下降时间。
    3. 问题:栅极信号不稳定,导致开关异常。
    解决方案:使用适当的栅极驱动电路,确保信号质量稳定可靠。

    7. 总结和推荐


    ZVP2110A P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 具有出色的电气特性和可靠性能,适合在各种高压和高电流应用中使用。结合其紧凑的封装和广泛的工作温度范围,使其成为许多工业和消费电子产品中的理想选择。我们强烈推荐此产品给需要高性能、高可靠性的应用场合。

ZVP2110ASTZ参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 230mA
配置 独立式
最大功率耗散 700mW(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 8Ω@ 375mA,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 100pF@25V
通道数量 1
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@1mA
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 盒装,卷带包装

ZVP2110ASTZ厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVP2110ASTZ数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVP2110ASTZ ZVP2110ASTZ数据手册

ZVP2110ASTZ封装设计

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