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ZXMN6A09DN8TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2.1W 20V 3V@ 250µA 24.2nC@ 5V 2个N沟道 60V 40mΩ@ 8.2A,10V 4.3A 1.407nF@40V SOIC-8 贴片安装 5mm*4mm*1.5mm
供应商型号: 30C-ZXMN6A09DN8TA SO-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN6A09DN8TA

ZXMN6A09DN8TA概述

    ZXMN6A09DN8: 60V SO8 N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    1. 产品简介


    ZXMN6A09DN8 是一款60V SO8封装的N沟道增强型MOSFET,由Zetex公司生产。这种新型MOSFET采用了独特的结构设计,能够同时实现低导通电阻和高速开关能力,使其成为高效率、低电压电源管理应用的理想选择。其主要功能包括用于直流到直流转换器、电源管理功能、断开开关和电机控制。

    2. 技术参数


    - 电气参数:
    - 漏源电压 (VDSS):60V
    - 源漏持续电流 (@ VGS=10V, Tamb=25°C):5.6A
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):0.040Ω (@ VGS=10V),0.060Ω (@ VGS=4.5V)
    - 输入电容 (Ciss):1407pF (@ VDS=40V, VGS=0V)
    - 输出电容 (Coss):121pF
    - 反向转移电容 (Crss):59pF
    - 开关延迟时间 (td(on)):4.9ns (@ VDD=15V, ID=3.5A)
    - 上升时间 (tr):5.0ns (@ VDD=15V, ID=3.5A)
    - 关闭延迟时间 (td(off)):25.3ns
    - 下降时间 (tf):4.6ns

    - 工作环境参数:
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 结温范围:-55°C 至 +150°C
    - 热阻 (RθJA):100°C/W(最大值)


    3. 产品特点和优势


    ZXMN6A09DN8 的主要特点是低导通电阻和高速开关能力。这些特点使得它在高效率应用中表现优异,特别是在需要低电压管理的应用场景中。此外,它的低阈值电压和低栅极驱动特性进一步增强了其在不同负载条件下的性能稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 直流到直流转换器:由于其低导通电阻和高速开关特性,ZXMN6A09DN8 在各种类型的直流到直流转换器中表现良好。
    - 电机控制:在电机控制应用中,其高速开关能力和低导通电阻可以有效减少能量损失,提高效率。

    - 使用建议:
    - 确保电路设计合理,避免过高的电压和电流对器件造成损坏。
    - 使用合适的散热措施以保持器件温度在安全范围内,防止热失控。


    5. 兼容性和支持


    ZXMN6A09DN8 与多种不同的电路板和系统兼容,适用于广泛的应用领域。Zetex公司提供了详尽的技术支持和售后服务,帮助用户解决使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一: 导通电阻过高
    - 解决办法:检查是否超出了额定工作条件,如电压和温度限制。

    - 问题二: 开关速度慢
    - 解决办法:确认栅极驱动是否足够,调整驱动信号频率和强度。

    - 问题三: 过热
    - 解决办法:增加散热措施,确保良好的热管理。

    7. 总结和推荐


    总体来看,ZXMN6A09DN8是一款高性能的N沟道MOSFET,适合于高效率电源管理和电机控制等领域。其低导通电阻和高速开关能力使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐使用该产品进行相关应用的设计和开发。

ZXMN6A09DN8TA参数

参数
Id-连续漏极电流 4.3A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
通道数量 2
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.407nF@40V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@ 8.2A,10V
配置
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 2.1W
栅极电荷 24.2nC@ 5V
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 5mm*4mm*1.5mm
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN6A09DN8TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN6A09DN8TA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN6A09DN8TA ZXMN6A09DN8TA数据手册

ZXMN6A09DN8TA封装设计

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