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DMN1019UFDE-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=12 V, 11 A, U-DFN2020封装, 表面贴装, 6引脚
供应商型号: DMN1019UFDE-7
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7概述

    DMN1019UFDE MOSFET:高效能电源管理解决方案

    1. 产品简介


    DMN1019UFDE是一款由Diodes Incorporated推出的12V N-通道增强模式MOSFET。该产品专为高效率的电源管理设计,适用于负载开关、电池管理和电源管理功能等领域。

    2. 技术参数


    - 最大额定电压 (V(BR)DSS): 12V
    - 最大连续漏极电流 (ID):
    - VGS = 4.5V时: 11A
    - VGS = 2.5V时: 10A
    - VGS = 1.8V时: 9A
    - VGS = 1.5V时: 8A
    - VGS = 1.2V时: 5A
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS = 4.5V时: 10mΩ
    - VGS = 2.5V时: 12mΩ
    - VGS = 1.8V时: 14mΩ
    - VGS = 1.5V时: 18mΩ
    - VGS = 1.2V时: 41mΩ
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 100A
    - 最高工作温度: +150°C
    - 最低存储温度: -55°C
    - 封装形式: U-DFN2020-6 Type E
    - 重量: 0.008克(约)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(ON)): 在不同电压下,具有非常低的导通电阻,使得其在高效率应用中表现出色。
    - 低门限电压: 有助于简化电路设计,降低驱动电压需求。
    - 快速开关速度: 减少开关损耗,提高工作效率。
    - ESD保护门极: 防止静电放电损害,提高可靠性。
    - 符合RoHS标准: 无铅且完全符合欧盟RoHS环保标准。
    - 高可靠性: 符合AEC-Q101标准,适合汽车和其他高可靠性应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 负载开关: DMN1019UFDE可用于电池管理系统的开关控制,提供稳定的电流切换。
    - 电池管理: 由于其低导通电阻和高效率,DMN1019UFDE是电池管理系统中理想的开关组件。
    - 电源管理: 适用于需要精确控制电流的电源管理应用,例如电源适配器或充电器。
    使用建议:
    - 确保电路设计充分考虑其低导通电阻的特点,以最大化其效能。
    - 考虑到快速开关速度,选择合适的外围电路以防止高频噪声干扰。
    - 在电池管理应用中,结合适当的滤波电容和电感以平滑输出电压。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该MOSFET与多种主板和其他电子元件兼容,便于集成。
    - 技术支持: Diodes Incorporated提供全面的技术文档和客户支持,确保客户能够充分利用产品的性能优势。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中出现高频振荡现象。
    - 解决办法: 添加适当的RC网络以滤除高频噪声。
    - 问题: 过热导致工作异常。
    - 解决办法: 使用散热片或其他冷却措施来改善散热性能。
    - 问题: 感应到较高电磁干扰。
    - 解决办法: 添加磁珠或其他EMI抑制元件,减少外界干扰。

    7. 总结和推荐


    DMN1019UFDE是一款出色的12V N-通道MOSFET,具备高效率、低导通电阻和快速开关速度等优势,特别适合应用于高效率电源管理场合。它满足了现代电子设备对高效、可靠的电源管理要求,因此我们强烈推荐此产品用于各类电源管理相关的应用。
    以上内容基于DMN1019UFDE的数据手册整理而成,涵盖了该产品的详细技术和应用信息,希望能帮助用户更好地了解和使用该产品。

DMN1019UFDE-7参数

参数
Id-连续漏极电流 11A
Vgs-栅源极电压 8V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 12V
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@ 9.7A,4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.425nF@10V
栅极电荷 50.6nC@ 8 V
最大功率耗散 690mW(Ta)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 800mV@ 250µA
通道数量 1
长*宽*高 2mm*2mm*600μm
通用封装 UDFN-20206
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN1019UFDE-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN1019UFDE-7数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN1019UFDE-7 DMN1019UFDE-7数据手册

DMN1019UFDE-7封装设计

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