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ZVN4206AVSTZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 600 mA, TO-92封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: ZVN4206AVSTZ
供应商: 国内现货
标准整包数: 2000
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVN4206AVSTZ

ZVN4206AVSTZ概述

    N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET ZVN4206AV 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET ZVN4206AV 是一种用于高压开关应用的场效应晶体管(FET)。它采用N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体结构,特别适合于汽车继电器驱动器和步进电机驱动等应用。该产品的主要功能包括高电压承受能力、低导通电阻和重复雪崩额定值,无需瞬态保护。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 60 V
    - 连续漏极电流 (ID): 600 mA
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 8 A
    - 栅源电压 (VGS): ± 20 V
    - 功率耗散 (Ptot): 700 mW
    - 连续体二极管电流 (ISD): 600 mA
    - 重复雪崩电流 (IAR): 600 mA
    - 重复雪崩能量 (EAR): 15 mJ
    - 工作和存储温度范围 (Tj:Tstg): -55 to +150 °C
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 60 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 1.3 - 3 V
    - 栅源泄漏电流 (IGSS): 100 nA
    - 零栅压漏电流 (IDSS): 10 - 100 µA
    - 导通状态漏极电流 (ID(on)): 3 A
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)): 1 - 1.5 Ω
    - 正向跨导 (gfs): 300 mS
    - 输入电容 (Ciss): 100 pF
    - 输出电容 (Coss): 60 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 20 pF
    - 开启延迟时间 (td(on)): 8 ns
    - 上升时间 (tr): 12 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 12 ns
    - 下降时间 (tf): 15 ns

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:该器件具有重复雪崩额定值,无需瞬态保护,保证了长期运行的可靠性。
    - 低导通电阻:RDS(on) 低至 1Ω,有助于降低功耗和提高效率。
    - 适用于5V逻辑驱动:便于与现有数字逻辑电路集成。
    - 宽温度范围:能够在极端环境下稳定工作,适用于多种工业和汽车应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 汽车继电器驱动器:该器件的高电压和电流处理能力使其非常适合用于汽车继电器驱动,能够可靠地控制大功率负载。
    - 步进电机驱动:其低导通电阻和高跨导特性使得其能够高效地驱动步进电机,减少能耗和发热。

    使用建议:
    - 在选择电源电压时,应确保 VDS 足够高以防止过压损坏。
    - 在驱动电机等感性负载时,应考虑添加适当的保护电路(如TVS二极管)以防止反向电动势的影响。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品采用TO92封装,可直接替换其他TO92封装的同类产品。
    - 技术支持:制造商提供详细的技术文档和支持服务,以帮助用户解决使用过程中可能遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 为什么导通电阻较高?
    - 解决方案: 确保 VGS 足够高以使 MOSFET 处于饱和区,降低 RDS(on)。
    - 问题2: 器件在高温下无法正常工作?
    - 解决方案: 检查散热设计是否充分,确保器件工作在推荐的温度范围内。
    - 问题3: 发现泄漏电流过大?
    - 解决方案: 检查 PCB 布局是否有短路或损坏的焊点,更换故障部件。

    7. 总结和推荐


    N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET ZVN4206AV 是一款高性能的高压开关器件,具备高可靠性、低导通电阻和宽温度范围等特点。其适用于多种高压和大电流应用场合,尤其是在汽车和工业领域。总体而言,该产品在功能和技术性能方面表现出色,强烈推荐用于各种高压开关应用。
    请根据上述内容,撰写一篇完整的技术手册。

ZVN4206AVSTZ参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 独立式
栅极电荷 -
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 100pF@25V
Id-连续漏极电流 600mA
最大功率耗散 700mW(Ta)
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 1Ω@ 1.5A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@1mA
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 盒装,弹夹装

ZVN4206AVSTZ厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVN4206AVSTZ数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVN4206AVSTZ ZVN4206AVSTZ数据手册

ZVN4206AVSTZ封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 2.6773
5000+ ¥ 2.5237
8000+ ¥ 2.4798
12000+ ¥ 2.4578
库存: 20000
起订量: 2500 增量: 2000
交货地:
最小起订量为:2500
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