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DMT12H065LFDF-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1W(Ta) 2.2V@ 250µA 5.5nC@ 10 V 1个N沟道 115V 65mΩ@ 3A,10V 4.3A 252pF@50V UDFN-20206 贴片安装
供应商型号: DMT12H065LFDF-7
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
DIODES 场效应管(MOSFET) DMT12H065LFDF-7

DMT12H065LFDF-7概述

    DMT12H065LFDF N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    DMT12H065LFDF 是一款来自Diodes Incorporated的115V N-Channel Enhancement Mode MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款新型MOSFET专为高效率功率管理应用设计,旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能。它广泛应用于多种电源管理和控制电路中,如DC-DC转换器的主要开关和负载开关。

    技术参数


    以下是DMT12H065LFDF的关键技术参数:
    | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    ||
    | 漏源电压 | VDSS | 115 | — | — | V
    | 栅源电压 | VGSS | ±12 | — | — | V
    | 持续漏电流,VGS = 10V, TA = +25°C | ID | 4.3 | — | — | A
    | 脉冲漏电流 (10µs脉冲, 功率周期 = 1%) | IDM | 25 | — | — | A
    | 最大体二极管连续电流 | IS | — | — | 6 | A
    | 反向传输电容 | Crss | — | 3 | — | pF | VDS = 0V, VGS = 0V, f = 1MHz |
    | 总栅电荷 | Qg | — | 5.5 | — | nC | VDS = 50V, ID = 4.5A, VGS = 10V |
    | 热阻,结到环境 | RθJA | 124 | — | 69 | °C/W

    产品特点和优势


    - 超低导通电阻:RDS(ON) 最低可达43 mΩ,确保了高效能和低损耗。
    - 高可靠性:100%无钳位电感开关测试,确保更可靠和稳健的应用。
    - 环保合规:完全符合欧盟RoHS标准,不含卤素和锑,绿色产品。
    - 低外形封装:0.6mm薄型封装,适用于低轮廓应用。
    - 紧凑封装:PCB占位面积仅为4mm²,非常适合空间受限的设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. DC-DC转换器的主开关:利用其低RDS(ON),可以显著提高电源转换效率。
    2. 负载开关:适合各种负载切换应用,特别是在需要高效率和稳定性的场合。
    使用建议:
    - 为了确保最佳性能,在高功率应用中,建议使用大尺寸铜箔板以减小热阻。
    - 配合适当的散热措施,避免器件因过热而失效。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 与标准U-DFN2020-6 (Type F) 封装兼容,方便与其他元件集成。
    - 支持FR-4基板和2oz铜箔板。
    支持和维护:
    - Diodes Incorporated 提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够获得最佳的应用体验。
    - 官方网站提供了丰富的封装信息和PAD布局建议,便于工程师进行设计。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 过温保护:长时间高功率运行可能导致器件过热。
    - 解决方案:使用散热片或散热器,配合合理的热设计,确保工作温度在安全范围内。
    2. 导通电阻随温度变化:导通电阻会随着温度的变化而变化。
    - 解决方案:选择合适的冷却方案,并参考数据手册中的图表调整工作参数,以优化性能。

    总结和推荐


    总结:
    - 优点:DMT12H065LFDF具备出色的导通电阻和高效的开关性能,非常适合高效率功率管理应用。它的低功耗、环保材料和高可靠性使其在市场上具有显著的竞争优势。
    - 推荐:对于需要高性能和低功耗的应用,强烈推荐使用DMT12H065LFDF MOSFET。
    通过以上详细的技术手册内容解析,相信您对DMT12H065LFDF N-Channel Enhancement Mode MOSFET有了全面了解。如果您有任何疑问或需要进一步技术支持,请联系Diodes Incorporated的官方渠道。

DMT12H065LFDF-7参数

参数
最大功率耗散 1W(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 252pF@50V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 4.3A
栅极电荷 5.5nC@ 10 V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 115V
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 65mΩ@ 3A,10V
通道数量 -
通用封装 UDFN-20206
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMT12H065LFDF-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMT12H065LFDF-7数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMT12H065LFDF-7 DMT12H065LFDF-7数据手册

DMT12H065LFDF-7封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 3.3084
5000+ ¥ 3.1186
8000+ ¥ 3.0643
12000+ ¥ 3.0372
库存: 30000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:2500
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