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DMN26D0UT-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 230 mA, SOT-523 (SC-89)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 26M-DMN26D0UT-7
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7概述

    # DMN26D0UT N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    产品简介


    DMN26D0UT 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N-通道增强模式 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种 MOSFET 主要应用于需要低导通电阻、快速开关速度以及低输入输出泄漏的应用场景。它的主要特点是低导通电阻、极低栅极阈值电压和超小表面贴装封装。此外,这款器件通过了 AEC-Q101 标准认证,适用于高可靠性要求的应用。

    技术参数


    - 主要电气特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS):20 V
    - 栅源电压 (VGSS):±10 V
    - 漏极电流 (ID):230 mA(连续)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):805 mA(单脉冲)
    - 导通电阻 (RDS(ON))
    - 3.0 Ω @ 4.5V
    - 4.0 Ω @ 2.5V
    - 6.0 Ω @ 1.8V
    - 10 Ω @ 1.5V
    - 输入电容 (Ciss):14.1 pF
    - 反向转移电容 (Crss):1.6 pF
    - 输出电容 (Coss):2.9 pF
    - 热特性
    - 总功耗 (PD):300 mW
    - 热阻 (RθJA):417 °C/W
    - 工作温度范围
    - 工作温度范围 (TJ, TSTG):-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:提供出色的导通性能,尤其在 4.5V 和 2.5V 下表现出色,满足多种电路设计的需求。
    - 极低栅极阈值电压:1.0V 的最大栅极阈值电压确保了良好的开关控制能力。
    - 低输入电容:确保了快速的开关速度,减少了电路的延迟。
    - 超小表面贴装封装:适合小型化和高密度布局的设计需求。
    - 绿色设计:无铅、卤素和锑设计,符合 RoHS 标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源管理:在电池供电设备中作为开关器件,减少能耗。
    - 电机驱动:用于驱动小型电机,如无人机或机器人中的应用。
    - LED 照明:作为 LED 驱动电路中的开关元件,确保高效的电流控制。
    使用建议
    - 散热设计:由于其较高的热阻,建议使用适当的散热措施以避免过热。
    - 驱动电路设计:考虑到较低的阈值电压,需要使用合适的驱动电路以确保可靠工作。
    - 电源设计:为了实现最佳性能,建议将 DMN26D0UT 与具有足够功率处理能力的电源搭配使用。

    兼容性和支持


    - 兼容性:DMN26D0UT 可以与其他标准 N-通道 MOSFET 互换使用,便于现有电路的设计修改。
    - 支持:Diodes Incorporated 提供详细的技术文档和专业的技术支持服务,确保客户能够充分利用该产品的所有功能。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1: 开关过程中出现过高的热耗散。
    - 解决方案: 使用更大的散热片或散热器来降低热耗散。
    - 问题 2: 开关速度不够快。
    - 解决方案: 检查驱动电路并确保使用合适的工作电压。
    - 问题 3: 漏电流过高。
    - 解决方案: 检查是否存在内部或外部短路,并重新测试电路连接。

    总结和推荐


    DMN26D0UT 在多个方面展示了其卓越的性能和实用性。它不仅具备低导通电阻、极低栅极阈值电压等核心特性,还具备超小的封装和环保材料设计,使其在多种应用场景中表现出色。结合其广泛的适用性和供应商提供的支持,我们强烈推荐此产品给需要高效能和小型化的电路设计师。

DMN26D0UT-7参数

参数
配置 独立式
最大功率耗散 300mW(Ta)
栅极电荷 10nC
Vds-漏源极击穿电压 20V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 14.1pF@15V
Id-连续漏极电流 230mA
Rds(On)-漏源导通电阻 3Ω@ 100mA,4.5V
长*宽*高 1.6mm*800μm*800μm
通用封装 SOT-523
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN26D0UT-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN26D0UT-7数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN26D0UT-7 DMN26D0UT-7数据手册

DMN26D0UT-7封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 0.2416
10+ ¥ 0.1882
100+ ¥ 0.1745
500+ ¥ 0.1629
3000+ ¥ 0.1538
9000+ ¥ 0.135
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