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ZVP2106A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 280 mA, E-Line封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 30C-ZVP2106A EP3SC
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVP2106A

ZVP2106A概述

    ZVP2106A P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 技术手册解析

    产品简介


    ZVP2106A 是一款 P-沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET)。它主要用于开关电源、直流电机驱动、电池充电器、LED驱动电路等领域。这款FET以其高电压耐受能力和低导通电阻而著称,适用于需要高效能和高可靠性的场合。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): -60 V
    - 持续漏极电流 (ID): -280 mA
    - 脉冲漏极电流 (IDM): -4 A
    - 栅源电压 (VGS): ± 20 V
    - 功率耗散 (Ptot): 700 mW (在 Tamb=25°C 条件下)
    - 工作和存储温度范围 (Tj: Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): -60 V (ID=-1mA, VGS=0V)
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): -1.5 V 至 -3.5 V (ID=-1mA, VDS=VGS)
    - 栅体漏电 (IGSS): 20 nA (VGS=±20V, VDS=0V)
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): -0.5 µA (VDS=-60V, VGS=0)
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)): 5 Ω (VGS=-10V, ID=-500mA)
    - 前向跨导 (gfs): 150 mS (VDS=-18V, ID=-500mA)
    - 输入电容 (Ciss): 100 pF
    - 输出电容 (Coss): 60 pF (VDS=-18V, VGS=0V, f=1MHz)
    - 反向转移电容 (Crss): 20 pF

    产品特点和优势


    ZVP2106A 具备如下显著特点和优势:
    - 高可靠性:能够在极端温度条件下稳定运行,满足严苛的工业环境需求。
    - 高耐压能力:具备-60V的漏源电压耐受能力,适合于高电压应用场合。
    - 低导通电阻:静态漏源导通电阻为5Ω,这使得该器件具有更低的损耗和更高的效率。
    - 优秀的开关特性:良好的输入输出电容特性确保了快速的开关时间,从而减少功耗并提高系统整体性能。

    应用案例和使用建议


    ZVP2106A 广泛应用于开关电源、直流电机驱动等场景。例如,在一个典型的应用中,作为高频开关电源中的开关器件,该器件表现出色的高频率工作能力和低损耗特性。为了进一步提升应用性能,可以考虑以下几个建议:
    - 优化散热设计:由于功率耗散达到700 mW,确保足够的散热措施以维持工作温度在安全范围内。
    - 合理布局:在PCB设计时,尽量缩短栅极引脚和地之间的距离,以减小寄生电感的影响。

    兼容性和支持


    该产品与市场上常见的TO92封装兼容,便于安装和替换。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决使用过程中的各种问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:启动时出现过热现象
    - 解决方案:检查电路是否正确连接,特别是确保良好的散热措施。必要时可更换更大功率等级的器件。

    - 问题:开关时间不稳定
    - 解决方案:确认电源电压是否符合要求,同时检查电路板上是否存在寄生电感和电容导致的时间延迟。调整电路参数以优化开关性能。

    总结和推荐


    ZVP2106A凭借其高电压耐受性、低导通电阻和优秀的开关特性,成为开关电源及电机驱动应用的理想选择。对于追求高效能和高可靠性的场合,强烈推荐使用此款产品。然而,在具体应用前,建议对产品特性和应用场景进行详细评估,确保最佳匹配和应用效果。

ZVP2106A参数

参数
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 100pF@18V
最大功率耗散 700mW(Ta)
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 5Ω@ 500mA,10V
栅极电荷 0.53nC
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 280mA
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@1mA
通道数量 1
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

ZVP2106A厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVP2106A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVP2106A ZVP2106A数据手册

ZVP2106A封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.52
100+ ¥ 2.805
1000+ ¥ 2.508
2000+ ¥ 2.365
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