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DMT6013LSS-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.4W(Ta) 20V 2.5V@ 250µA 15nC@ 10 V 1个N沟道 60V 14.3mΩ@ 10A,10V 10A 1.081nF@30V SOP-8 贴片安装
供应商型号: DMT6013LSS-13
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
DIODES 场效应管(MOSFET) DMT6013LSS-13

DMT6013LSS-13概述

    DMT6013LSS: 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    1. 产品简介


    DMT6013LSS是一款由Diodes Incorporated设计生产的60V N-沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET特别设计用于降低导通电阻(RDS(ON)),并保持卓越的开关性能,使其成为高效率电源管理应用的理想选择。它适用于多种应用领域,如高频开关、同步整流及直流-直流转换器。

    2. 技术参数


    | 特征 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    ||
    | 漏极-源极电压 | VDSS 60 | V
    | 栅极-源极电压 | VGSS | ±20 V
    | 持续漏极电流 (VGS = 10V) | ID 10 | 7.8 | A | TA = +25°C |
    | 持续漏极电流 (VGS = 4.5V) | ID 8.1 | 6.5 | A | TA = +25°C |
    | 脉冲漏极电流 (10μs脉冲,占空比1%) | IDM 60 | A
    | 最大连续体二极管正向电流 | IS 10 | A
    | 脉冲体二极管正向电流 (10μs脉冲,占空比1%) | ISM 60 | A
    此外,它还具有以下关键参数:
    - 导通电阻:14.3mΩ(VGS = 10V, ID = 10A);21mΩ(VGS = 4.5V, ID = 6A)
    - 输入电容:1081 pF(VDS = 30V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容:253 pF(VDS = 30V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 反向转移电容:22 pF(VDS = 0V, VGS = 0V, f = 1MHz)

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:通过100%无钳位感应开关(UIS)测试,确保更可靠的应用。
    - 高效能转换:低RDS(ON),减少导通损耗。
    - 低输入电容:有助于快速开关速度。
    - 环保:完全符合欧盟RoHS标准,并且不含卤素和锑,是一种“绿色”设备。
    - 快速开关速度:适合高频率应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:DMT6013LSS广泛应用于高频开关、同步整流和直流-直流转换器中。其高效率和低RDS(ON)特性使其在各种电力管理系统中表现出色。
    使用建议:
    - 在高温环境下工作时,应注意散热措施,以避免过热。
    - 使用建议在电路板上的合理布局和冷却策略来提升产品的稳定性和耐用性。

    5. 兼容性和支持


    DMT6013LSS采用SO-8封装,可通过2500个/卷的带式包装订购。该产品与大多数现有的电路设计兼容,并且提供了全面的技术支持和维护服务。如有更多关于封装和订购细节的信息,请访问Diodes Incorporated的官方网站。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定适当的散热措施?
    - 解决方案:参考手册中的温度参数和热阻数据,计算合适的散热片大小和风扇通风量,以维持在安全的工作温度范围内。

    - 问题2:如何测试产品的UIS能力?
    - 解决方案:可以使用特定的高压脉冲测试仪来验证产品的UIS能力,确保其在极端工作条件下能够稳定运行。

    7. 总结和推荐


    综上所述,DMT6013LSS是一款出色的60V N-沟道增强型MOSFET,具备优秀的开关性能、低导通电阻和高可靠性,非常适合在高频开关、同步整流及直流-直流转换器等应用中使用。它的环保特性和卓越的市场竞争力使其成为市场上极具吸引力的产品。因此,强烈推荐使用此款产品进行相关电力系统的设计。

DMT6013LSS-13参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 14.3mΩ@ 10A,10V
Id-连续漏极电流 10A
最大功率耗散 1.4W(Ta)
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 15nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.081nF@30V
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMT6013LSS-13厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMT6013LSS-13数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMT6013LSS-13 DMT6013LSS-13数据手册

DMT6013LSS-13封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 1.6436
5000+ ¥ 1.5493
8000+ ¥ 1.5223
12000+ ¥ 1.5089
库存: 25000
起订量: 2500 增量: 2500
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最小起订量为:2500
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