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ZXMN10A09KTC

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2.15W(Ta) 20V 4V@ 250µA 26nC@ 10 V 1个N沟道 100V 85mΩ@ 4.6A,10V 5A 1.313nF@50V TO-252-3 贴片安装
供应商型号: 30C-ZXMN10A09KTC TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN10A09KTC

ZXMN10A09KTC概述

    ZXMN10A09K: 高效功率管理的理想选择

    产品简介


    ZXMN10A09K 是一款由 Diodes Incorporated 生产的100V N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。这款器件以其低导通电阻、快速开关能力和高雪崩耐受能力著称,特别适用于高效率电源管理和直流-直流转换器等领域。此外,它还可用于电源管理功能、断开开关、电机控制以及不间断电源等应用场合。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 100V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏电流 (ID): 7.7A @ TA = 25°C, VGS = 10V; 6.2A @ TA = 70°C; 5.0A @ TA = 150°C
    - 脉冲漏电流 (IDM): 27A
    - 连续源电流 (IS): 11A
    - 脉冲源电流 (ISM): 27A
    - 热特性
    - 功耗 (PD): 4.31W @ TA = 25°C
    - 热阻 (RθJA): 29°C/W @ TA = 25°C; 12.3°C/W @ TA = 70°C
    - 热阻 (RθJL): 1.14°C/W
    - 电气特性
    - 导通电阻 (RDS(on)): 85mΩ @ VGS = 10V; 100mΩ @ VGS = 6V
    - 输入电容 (Ciss): 1313pF @ VDS = 50V, VGS = 0V, f = 1MHz
    - 输出电容 (Coss): 83pF @ VDS = 50V, VGS = 0V, f = 1MHz
    - 反向转移电容 (Crss): 56pF @ VDS = 50V, VGS = 0V, f = 1MHz

    产品特点和优势


    ZXMN10A09K 具备多种独特功能和优势,使其在应用中表现出色:
    - 低输入电容: 减少开关损耗,提高效率。
    - 低导通电阻: 实现高效功率传输。
    - 快速开关速度: 适用于高频应用。
    - 环保材料: 符合RoHS标准,不含卤素和锑化合物。
    - 高可靠性: 符合AEC-Q101标准,适合汽车和其他可靠性要求高的应用。

    应用案例和使用建议


    - DC-DC转换器: 在高效电源管理应用中,ZXMN10A09K 的低导通电阻和快速开关速度有助于减少能量损耗。
    - 电机控制: 由于其高雪崩耐受能力,ZXMN10A09K 在电机控制应用中表现出色。
    - 不间断电源: 在UPS系统中,该器件可以提供稳定的电源管理,确保设备的连续运行。
    使用建议:
    - 为了确保最佳性能,建议在设计电路时参考手册中的温度和电流限制。
    - 选择合适的散热片和布局以优化热性能。
    - 考虑到不同应用的电容负载,建议进行详细的设计计算。

    兼容性和支持


    - 兼容性: ZXMN10A09K 采用 TO252-3L 封装,符合行业标准,易于与其他电路板组件兼容。
    - 支持: Diodes Incorporated 提供全面的技术支持和维护服务,包括详尽的用户指南和技术文档。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何正确焊接该器件?
    - 答:该器件符合MIL-STD-202标准,可使用锡膏进行回流焊。建议遵循制造商提供的焊接指南以确保正确安装。
    2. 问:如何测量该器件的导通电阻?
    - 答:使用适当的测试电路,在规定的电压和电流条件下测量。请参阅手册中的测试电路部分。

    总结和推荐


    综上所述,ZXMN10A09K 是一款高性能、高可靠性的100V N沟道增强型MOSFET,适用于多种高效率电源管理和电机控制应用。其低导通电阻、快速开关能力和环保特性使其在市场上具有显著的竞争优势。对于需要高性能电源管理的项目,强烈推荐使用 ZXMN10A09K。
    通过以上详细的分析和总结,希望可以帮助您更好地了解和使用 ZXMN10A09K 这款出色的 MOSFET。

ZXMN10A09KTC参数

参数
栅极电荷 26nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@ 4.6A,10V
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.313nF@50V
Id-连续漏极电流 5A
通道数量 1
最大功率耗散 2.15W(Ta)
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 TO-252-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN10A09KTC厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN10A09KTC数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN10A09KTC ZXMN10A09KTC数据手册

ZXMN10A09KTC封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.519
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1250+ ¥ 1.694
2500+ ¥ 1.595
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