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DMN6017SFV-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1W(Ta) 20V 3V@ 250µA 55nC@ 10 V 1个N沟道 60V 18mΩ@ 6A,10V 35A 2.711nF@15V PDI-33338 贴片安装
供应商型号: AV-S-DIIDMN6017SFV7
供应商: Avnet
标准整包数: 2000
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN6017SFV-7

DMN6017SFV-7概述

    DMN6017SFV 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    DMN6017SFV 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 60V N-通道增强型 MOSFET。它旨在将导通电阻(RDS(ON))降至最低,同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。该产品广泛应用于背光、电源管理功能以及直流-直流转换器等场景。

    技术参数


    - 最大耐压 (BVDSS):60V
    - 连续漏极电流 (ID):35A @ TC = +25°C, 28A @ TC = +70°C
    - 脉冲漏极电流 (IDM):140A (10µs 脉冲,占空比 = 1%)
    - 最大连续体二极管正向电流 (IS):20A
    - 脉冲体二极管正向电流 (ISM):140A (10µs 脉冲,占空比 = 1%)
    - 雪崩电流 (IAS):25A
    - 雪崩能量 (EAS):32mJ
    - 总功耗 (PD):1.0W (稳态),2.0W (单脉冲)
    - 热阻 (RθJA):126°C/W (稳态),62°C/W (单脉冲)
    - 热阻 (RθJC):3.7°C/W
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)):18mΩ @ VGS = 10V, 20mΩ @ VGS = 4.5V
    - 栅极阈值电压 (VGS(TH)):1-3V
    - 输入电容 (Ciss):2711pF (VDS = 15V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容 (Coss):152pF (VDS = 15V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 反向传输电容 (Crss):126pF (VDS = 0V, VGS = 0V, f = 1MHz)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(ON)):确保在导通状态下的损耗最小化。
    - 紧凑的热效率封装:有助于提高最终产品的密度。
    - 小体积设计:仅占用 SO-8 封装 33% 的板面空间。
    - 无铅且完全符合 RoHS 规范:环保材料。
    - 无卤素和锑:完全符合绿色产品标准。

    应用案例和使用建议


    DMN6017SFV 在背光、电源管理和直流-直流转换器等应用场景中表现出色。建议用户在应用时注意散热设计,以充分利用其高效率。例如,在大功率电路中使用时,应考虑增加散热片或使用更高效的散热方式,以避免过热导致的性能下降。

    兼容性和支持


    - 封装类型:PowerDI3333-8 (Type UX)
    - 包装选项:2,000/Tape & Reel 或 3,000/Tape & Reel
    - 制造商支持:Diodes Incorporated 提供详细的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:产品在高温环境下表现不佳
    - 解决方案:检查散热设计,确保有效的散热措施,如使用散热片或优化电路布局。
    - 问题:产品在大电流情况下过热
    - 解决方案:减少负载电流,或者增加散热片以提高散热效果。

    总结和推荐


    DMN6017SFV 是一款适用于高效电源管理应用的高性能 MOSFET,具有出色的导通电阻、快速的开关性能和环保特性。它的紧凑设计和高热效率使得它非常适合用于需要高密度和小体积的应用场合。总体而言,强烈推荐使用这款产品,特别是对于要求高效率和低损耗的应用。
    希望上述文章能够帮助您全面了解 DMN6017SFV 的技术和应用细节。如果您有任何进一步的问题或需要更多详细信息,请随时联系 Diodes Incorporated。

DMN6017SFV-7参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 1W(Ta)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
栅极电荷 55nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 35A
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.711nF@15V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@ 6A,10V
通用封装 PDI-33338
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN6017SFV-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN6017SFV-7数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN6017SFV-7 DMN6017SFV-7数据手册

DMN6017SFV-7封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2000+ $ 0.2183 ¥ 1.9318
6000+ $ 0.2163 ¥ 1.9146
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起订量: 2000 增量: 2000
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