处理中...

首页  >  产品百科  >  DMN63D8L-7

DMN63D8L-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 350mW(Ta) 20V 1.5V@ 250µA 0.9nC@ 10 V 1个N沟道 30V 2.8Ω@ 250mA,10V 350mA 23.2pF@25V SOT-23-3 贴片安装 2.9mm*1.3mm*1.03mm
供应商型号: 26M-DMN63D8L-7
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN63D8L-7

DMN63D8L-7概述

    DMN63D8L N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    DMN63D8L 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于高效功率管理应用。它广泛应用于电机控制、电源管理功能和背光等领域。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - 漏源电压(V(DSS)):30V
    - 栅源电压(V(GS)):±20V
    - 电流参数
    - 持续漏极电流(I(D)):
    - V(GS) = 10V,TA = +25°C 时为 350mA
    - V(GS) = 10V,TA = +70°C 时为 280mA
    - 脉冲漏极电流(I(DM)):1.2A
    - 电阻参数
    - 漏源导通电阻(R(DS)(ON)):
    - V(GS) = 10V,ID = 250mA 时为 2.8Ω
    - V(GS) = 5V,ID = 250mA 时为 3.8Ω
    - V(GS) = 4.5V,ID = 250mA 时为 4.2Ω
    - V(GS) = 4.0V,ID = 250mA 时为 4.5Ω
    - V(GS) = 2.5V,ID = 10mA 时为 13Ω
    - 热参数
    - 总功耗(P(D)):350mW(稳态)
    - 热阻,结到环境(R(θJA)):359°C/W(稳态)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:R(DS)(ON) 最小化,确保高效的电能转换。
    - 低输入电容:加快开关速度,降低功耗。
    - 快速开关速度:减少切换损耗,提高系统效率。
    - 低输入/输出泄漏:确保在各种温度下的稳定性能。
    - 静电保护栅极:增加使用寿命,防止损坏。
    - 完全无铅,符合RoHS标准:环保材料,满足国际环保要求。
    - 符合AEC-Q101标准:保证高可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电机控制:适合需要高效功率转换的电机控制系统。
    - 电源管理:可用于电源管理系统,提供稳定可靠的电力供应。
    - 背光:适用于LED背光源,提供均匀稳定的光照效果。
    使用建议:
    - 为了确保最佳性能,应根据应用需求选择合适的栅源电压(V(GS))和漏源电压(V(DS))。
    - 在高电流应用中,确保电路布局合理,以减少寄生电感和电容的影响。

    5. 兼容性和支持


    - 封装形式:SOT23 封装,便于集成到各类电路板上。
    - 机械数据:详细说明了产品的尺寸、重量及封装细节。
    - 支持信息:通过访问官方网站获取更多技术支持和服务信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:安装过程中发生损坏
    - 解决方案:确保正确的安装步骤,避免过高的焊接温度。

    - 问题二:开关频率不稳
    - 解决方案:检查电源和负载条件,确认电源电压稳定且负载合理。

    - 问题三:发热问题
    - 解决方案:优化散热设计,增加散热片或使用更好的散热材料。

    7. 总结和推荐


    DMN63D8L N 沟道增强型 MOSFET 在其各项技术指标和应用性能方面表现出色,尤其是在电机控制和电源管理领域具有显著的优势。它的高效率、可靠性和环境友好性使其成为市场上备受推崇的产品。强烈推荐此产品用于需要高效能功率管理的应用场景。

DMN63D8L-7参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 2.8Ω@ 250mA,10V
Id-连续漏极电流 350mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 23.2pF@25V
配置 独立式
最大功率耗散 350mW(Ta)
栅极电荷 0.9nC@ 10 V
通道数量 1
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*1.03mm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN63D8L-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN63D8L-7数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN63D8L-7 DMN63D8L-7数据手册

DMN63D8L-7封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 0.1869
10+ ¥ 0.1735
100+ ¥ 0.1687
500+ ¥ 0.162
1000+ ¥ 0.1557
库存: 16634
起订量: 1 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 0.18
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336