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ZXMN6A25N8TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.56W(Ta) 20V 3V@ 250µA 20.4nC@ 10 V 1个N沟道 60V 50mΩ@ 3.6A,10V 4.3A 1.063nF@30V SOIC-8 贴片安装 5mm*4mm*1.5mm
供应商型号: ZXMN6A25N8TA
供应商: 国内现货
标准整包数: 500
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN6A25N8TA

ZXMN6A25N8TA概述


    产品简介


    ZXMN6A25N8是一款由Zetex公司生产的60V N沟道增强型MOSFET。它采用了最新的沟槽MOSFET技术,具有低导通电阻和快速开关能力,适用于高效率的电源管理应用。此器件可以用于直流-直流转换器、电源管理功能、断开开关和电机控制等多种场合。

    技术参数


    - 电压参数
    - V(BR)DSS(击穿电压):60V
    - VGS(栅极-源极电压):±20V
    - 电流参数
    - 持续漏极电流(@ VGS=10V, TA=25°C):7.0A
    - 最大脉冲漏极电流:25.7A
    - 持续源极电流:4.1A
    - 电阻参数
    - 导通电阻 RDS(on):0.050Ω(@ VGS=10V, ID=3.6A)
    0.070Ω(@ VGS=4.5V, ID=3.0A)
    - 功率参数
    - 功率耗散 PD:1.56W(@ TA=25°C)
    - 热阻 RθJA:80°C/W(@ TA=25°C)
    - 温度参数
    - 工作温度范围 Tj, Tstg:-55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    ZXMN6A25N8的主要特点是其低导通电阻和高速开关能力。这些特性使其在高效率电源管理和快速开关应用中表现出色。与其他类似的MOSFET相比,它的低热阻和高可靠性使其在市场上具有更强的竞争力。特别是在需要高效率和快速响应的应用中,如直流-直流转换器和电机控制,ZXMN6A25N8提供了显著的优势。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 直流-直流转换器:ZXMN6A25N8的快速开关特性和低导通电阻使它非常适合应用于需要高效率和快速响应的直流-直流转换器中。
    - 电源管理功能:在电源管理中,ZXMN6A25N8能够提供高效的电源转换和管理,减少能源浪费。
    - 断开开关:在断开开关应用中,ZXMN6A25N8可以实现快速切换,减少电路的功耗和发热。
    使用建议:
    - 散热设计:由于其高功率密度,确保良好的散热设计非常重要。可以在器件上加装散热片或采用热管冷却系统以提高散热效果。
    - 过载保护:在使用过程中应注意避免超过最大允许电流,以免造成器件损坏。可以通过增加外部保护电路来防止过载。
    - 驱动电路设计:为了充分发挥其高速开关特性,建议使用低内阻的驱动电路,以减少门极驱动电压和提高响应速度。

    兼容性和支持


    ZXMN6A25N8采用了标准的SO8封装,与大多数常见的PCB组装工艺兼容。Zetex公司为客户提供技术支持和售后服务,确保用户在使用过程中能够得到及时的技术支持。此外,用户还可以通过官方网站获取最新的产品信息和技术文档。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:在高温环境下器件无法正常工作。
    - 解决办法:检查散热设计是否合理,确保器件的结温不超过安全范围。可以通过增加散热片或使用热管冷却系统来改善散热效果。
    - 问题2:器件在连续工作中容易过热。
    - 解决办法:使用合适的驱动电路,避免电流过大。如果器件过热,可以适当降低工作电流或者增加外部保护电路。
    - 问题3:在高频应用中出现不稳定现象。
    - 解决办法:检查电路布局,确保门极走线尽可能短且没有过多的寄生电容。可以使用低电感的连接器和引线以减少干扰。

    总结和推荐


    综上所述,ZXMN6A25N8是一款高性能的N沟道MOSFET,特别适合于高效率的电源管理和快速开关应用。其低导通电阻、高速开关能力和优良的散热设计使其在多种应用场合中表现优异。对于需要高效率和快速响应的系统,我们强烈推荐使用ZXMN6A25N8。在使用过程中应注意合理的散热设计和电路布局,以充分发挥其性能优势。

ZXMN6A25N8TA参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式quaddraintriplesource
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 4.3A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.063nF@30V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 20.4nC@ 10 V
最大功率耗散 1.56W(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@ 3.6A,10V
长*宽*高 5mm*4mm*1.5mm
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN6A25N8TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN6A25N8TA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN6A25N8TA ZXMN6A25N8TA数据手册

ZXMN6A25N8TA封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 3.9066
5000+ ¥ 3.6824
8000+ ¥ 3.6184
12000+ ¥ 3.5864
库存: 5000
起订量: 2500 增量: 500
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 9766.5
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