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DMTH10H015LK3-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2.1W(Ta) 20V 3.5V@ 250µA 33.3nC@ 10 V 1个N沟道 100V 15mΩ@ 20A,10V 52.5A 1.871nF@50V TO-252-3 贴片安装
供应商型号: DMTH10H015LK3-13
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
DIODES 场效应管(MOSFET) DMTH10H015LK3-13

DMTH10H015LK3-13概述

    DMTH10H015LK3 100V 175°C N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    产品简介


    DMTH10H015LK3 是一款由 Diodes Incorporated 生产的高性能 100V N-通道增强模式 MOSFET。这款 MOSFET 具备低导通电阻(RDS(ON))和快速开关能力,特别适合高效率电源管理应用。它的主要应用领域包括电源管理功能、DC-DC 转换器和背光系统。

    技术参数


    - 额定电压 (BVDSS): 100V
    - 最大漏源电流 (ID):
    - TC = +25°C: 52.5A
    - TC = +100°C: 37.1A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 150A (10µs 脉冲,占空比 1%)
    - 最大体二极管前向电流 (ISM): 150A (10µs 脉冲,占空比 1%)
    - 最大连续体二极管前向电流 (IS): 2.6A
    - 雪崩电流 (IAS): 7.5A
    - 雪崩能量 (EAS): 85mJ
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TC = +25°C: 2.1W
    - TC = +100°C: 3.5W
    - 热阻 (RθJA):
    - TC = +25°C: 69°C/W
    - TC = +100°C: 42°C/W
    - 热阻 (RθJC): 2°C/W
    - 工作温度范围: -55°C 到 +175°C
    - 阈值电压 (VGS(TH)): 1.4V 到 3.5V
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS = 10V: 10.7mΩ 至 15mΩ
    - VGS = 6V: 13.1mΩ 至 18mΩ
    - VGS = 4.5V: 18.2mΩ 至 25mΩ
    - 输入电容 (Ciss): 1,871pF
    - 输出电容 (Coss): 261pF
    - 反向传输电容 (Crss): 6.9pF
    - 总门极电荷 (QG): 33.3nC
    - 门极-源极电荷 (QGS): 6.9nC
    - 门极-漏极电荷 (QGD): 5.1nC
    - 开关时间 (tD(ON)): 6.5ns
    - 关断延迟时间 (tD(OFF)): 19.7ns
    - 关断下降时间 (tF): 8.1ns
    - 反向恢复时间 (tRR): 37.9ns
    - 反向恢复电荷 (QRR): 51.9nC

    产品特点和优势


    - 工作温度范围: DMTH10H015LK3 被设计为能够在高达 175°C 的高温环境中运行,确保其适用于高环境温度的应用场景。
    - 可靠的无钳位电感开关: 确保更可靠和耐用的应用环境。
    - 低导通电阻: 最小化功率损耗,提高整体效率。
    - 低栅极电荷: 减少开关损耗。
    - 环保材料: 铅、卤素和锑自由,符合 RoHS 和 AEC-Q101 标准。

    应用案例和使用建议


    - DC-DC 转换器: DMTH10H015LK3 的低导通电阻使其成为高效率 DC-DC 转换器的理想选择。
    - 背光系统: 在高效率的背光系统中,MOSFET 的快速开关能力和低导通电阻有助于减少功耗。
    - 电源管理: MOSFET 的高可靠性使它在复杂的电源管理系统中表现出色。
    使用建议:
    - 在设计过程中,考虑散热管理,尤其是在高功率应用中。
    - 确保正确布线,遵循建议的引脚布局,以获得最佳性能。

    兼容性和支持


    - DMTH10H015LK3 采用 TO252 封装,可与多种 PCB 布局兼容。
    - 厂商提供详尽的技术支持,包括数据表、应用笔记和封装细节,可访问官方网站获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备过热
    - 解决方法: 检查散热设计,确保良好的通风和足够的散热片。
    2. 问题: 导通电阻增加
    - 解决方法: 检查工作条件是否超出额定范围,确保正确安装和使用。
    3. 问题: 开关速度慢
    - 解决方法: 确认门极驱动电压足够高,并检查门极电路设计。

    总结和推荐


    DMTH10H015LK3 是一款高度可靠的 MOSFET,具备低导通电阻和快速开关特性,非常适合高效率的电源管理和转换应用。其宽泛的工作温度范围和环保特性使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐在需要高效电源管理的场合使用这款产品。

DMTH10H015LK3-13参数

参数
Id-连续漏极电流 52.5A
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@ 20A,10V
配置 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 2.1W(Ta)
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 250µA
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.871nF@50V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 33.3nC@ 10 V
通用封装 TO-252-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMTH10H015LK3-13厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMTH10H015LK3-13数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMTH10H015LK3-13 DMTH10H015LK3-13数据手册

DMTH10H015LK3-13封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 3.4369
5000+ ¥ 3.2937
8000+ ¥ 3.2078
12000+ ¥ 3.1505
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