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DMN3013LDG-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2.16W 10V 1.2V@ 250µA 5.7nC@ 4.5V 2个N沟道 30V 14.3mΩ@ 4A,8V 15A 600pF@15V PDI-33338 贴片安装
供应商型号: DMN3013LDG-13
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN3013LDG-13

DMN3013LDG-13概述


    产品简介


    DMN3013LDG 是一款30V同步N沟道增强型模式金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),封装类型为PowerDI3333-8(Type D)。这种新型MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON))的同时保持卓越的开关性能,适用于高效率电源管理应用。其主要功能包括低导通电阻、低输入电容、快速开关速度等,符合欧盟RoHS标准且不含卤素和锑元素。

    技术参数


    - 电压特性:
    - 最大漏源电压(VDSS):30V
    - 最大栅源电压(VGSS):10V
    - 电流特性:
    - 连续漏极电流(TC = +25°C):15A
    - 连续漏极电流(TC = +70°C):9.5A
    - 脉冲漏极电流(10μs脉冲,占空比=1%):80A
    - 热特性:
    - 热阻,结到环境(RθJA):58.8°C/W(稳态)
    - 热阻,结到外壳(RθJC):6.9°C/W
    - 操作和存储温度范围(TJ, TSTG):-55°C至+150°C
    - 静态特性:
    - 导通电阻(RDS(ON)):14.3mΩ(VGS = 8V,ID = 4A)
    - 门限电压(VGS(TH)):0.75V至1.2V
    - 动态特性:
    - 输入电容(Ciss):387pF至600pF
    - 输出电容(Coss):219pF至350pF
    - 反向传输电容(Crss):10.4pF至16pF

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:使得在高频应用中实现高效率电源转换成为可能。
    - 低输入电容:有助于提高系统的整体能效和降低功耗。
    - 快速开关速度:能够显著减少开关损耗,适合高频率应用。
    - 环保材料:通过RoHS认证,不含卤素和锑元素,符合绿色产品标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - DC-DC转换器:适用于各种类型的DC-DC转换器,可以实现高效能量转换。
    - 电源管理功能:广泛应用于需要高效率电源管理的应用中,如电池充电器、便携式电子设备等。
    使用建议:
    - 在选择应用时,考虑到该器件的工作温度范围较广(-55°C至+150°C),可以确保其在极端环境下也能稳定工作。
    - 使用时注意散热设计,特别是对于连续大电流应用场景,应保证良好的热管理以避免过热损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件采用标准封装,易于与现有电路板设计集成。具体引脚配置和布局建议参见技术手册提供的细节。
    - 支持信息:详细的支持和维护信息可以通过访问制造商官网获取。如果有任何问题,可联系技术支持团队寻求帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何判断产品是否正常工作?
    - 解答:可通过测量导通电阻(RDS(ON))来判断,正常情况下应接近手册中标注的最大值。

    - 问题2:器件在高温环境下如何保持稳定性?
    - 解答:需在设计时考虑适当的散热措施,例如增加散热片或风扇等,以保持在安全工作范围内。

    总结和推荐


    总结:
    DMN3013LDG是一款高性能的同步N沟道MOSFET,具备低导通电阻、低输入电容和快速开关速度等特点。其宽泛的工作温度范围使其适用于各种严苛环境下的应用。该器件尤其适合用于DC-DC转换器及电源管理模块中,能有效提升系统能效和可靠性。
    推荐:
    强烈推荐该产品用于需要高效率和可靠性的电源管理系统。如果对热管理和空间有限制的设计项目,DMN3013LDG将是一个理想的选择。

DMN3013LDG-13参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V@ 250µA
栅极电荷 5.7nC@ 4.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 14.3mΩ@ 4A,8V
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 2.16W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 600pF@15V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 10V
Id-连续漏极电流 15A
通道数量 2
配置
通用封装 PDI-33338
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN3013LDG-13厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN3013LDG-13数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN3013LDG-13 DMN3013LDG-13数据手册

DMN3013LDG-13封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 2.9439
5000+ ¥ 2.775
8000+ ¥ 2.7267
12000+ ¥ 2.7026
库存: 30000
起订量: 3000 增量: 3000
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最小起订量为:2500
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