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ZVN2106ASTZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 700mW(Ta) 20V 2.4V@1mA 1个N沟道 60V 2Ω@ 1A,10V 450mA 75pF@18V TO-92 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: 3943941
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVN2106ASTZ

ZVN2106ASTZ概述

    N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 技术手册



    产品简介



    N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET(垂直双扩散场效应晶体管)是一种高性能的功率半导体器件,广泛应用于开关电源、电机驱动、LED驱动和DC-DC转换器等领域。该器件以其低导通电阻、高耐压能力和优良的热性能,在众多电子应用中展现出了卓越的性能。


    技术参数



    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V_{DS} \): 60V
    - 持续漏极电流(\( T_{amb} = 25^{\circ}C \)): 450mA
    - 脉冲漏极电流 \( I_{DM} \): 8A
    - 栅源电压 \( V_{GS} \): ±20V
    - 功率耗散(\( T_{amb} = 25^{\circ}C \)): 700mW
    - 工作和存储温度范围:\( T_j : T_{stg} \): -55至+150°C

    - 电气特性(\( T_{amb} = 25^{\circ}C \),除非另有说明)
    - 漏源击穿电压 \( B_{V(DSS)} \): 60V (\( I_D = 1mA, V_{GS} = 0V \))
    - 栅源阈值电压 \( V_{GS(th)} \): 0.8至2.4V (\( I_D = 1mA, V_{DS} = V_{GS} \))
    - 栅体漏电流 \( I_{GSS} \): 20nA (\( V_{GS} = ±20V, V_{DS} = 0V \))
    - 零栅电压漏极电流 \( I_{DSS} \): 500nA (\( V_{DS} = 60V, V_{GS} = 0 \)) 至 100μA (\( V_{DS} = 48V, V_{GS} = 0V, T = 125°C \))
    - 导通漏极电流 \( I_{D(on)} \): 2A (\( V_{DS} = 18V, V_{GS} = 10V \))
    - 静态漏源导通电阻 \( R_{DS(on)} \): 2Ω (\( V_{GS} = 10V, I_D = 1A \))
    - 前向跨导 \( g_{fs} \): 300mS (\( V_{DS} = 18V, I_D = 1A \))
    - 输入电容 \( C_{iss} \): 75pF
    - 共源输出电容 \( C_{oss} \): 45pF (\( V_{DS} = 18V, V_{GS} = 0V, f = 1MHz \))
    - 反向转移电容 \( C_{rss} \): 20pF


    产品特点和优势



    - 低导通电阻:静态导通电阻为2Ω,这使得器件在大电流下具有较低的电压降,从而减少功耗和发热。
    - 高耐压能力:60V的漏源击穿电压使其适用于多种高压应用场合。
    - 优秀的热性能:低功率耗散(700mW),使得器件在高温环境下仍能保持良好的性能。
    - 宽泛的工作温度范围:从-55°C到+150°C的工作和存储温度范围,确保在极端环境下的可靠性。


    应用案例和使用建议



    - 开关电源:适用于各类开关电源的设计,特别是在需要高效率和低损耗的应用中。
    - 电机驱动:适合用于各种电机驱动系统,提供高效的能量转换。
    - LED驱动:由于其低导通电阻,可以减少LED驱动器中的功耗,延长使用寿命。

    使用建议:
    - 确保在实际应用中,工作温度不超过绝对最大额定值,以避免器件损坏。
    - 使用时应注意散热设计,以维持长期稳定的性能。
    - 在高频应用中,需注意输入电容、共源输出电容和反向转移电容的影响,以优化整体性能。


    兼容性和支持



    该器件为TO92封装,与市面上常见的TO92封装兼容,易于集成到现有设计中。制造商提供了详尽的技术支持文档和应用指南,确保用户能够快速上手并解决相关问题。


    常见问题与解决方案



    1. 问题:温度过高导致器件失效。
    - 解决方案:增加散热片或采用更好的散热设计。
    2. 问题:导通电阻异常增大。
    - 解决方案:检查焊接质量和连接线是否松动。
    3. 问题:开关频率不稳。
    - 解决方案:确保输入电容和输出电容配置正确。


    总结和推荐



    综上所述,这款N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET具有低导通电阻、高耐压能力和出色的热性能,适用于多种电子应用,尤其是在需要高效能和可靠性的场合。其宽泛的工作温度范围和优良的热管理能力,进一步增强了其在复杂环境下的适用性。我们强烈推荐此器件给追求高性能和高可靠性的工程师们。

ZVN2106ASTZ参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2Ω@ 1A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 75pF@18V
通道数量 1
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 700mW(Ta)
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 450mA
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@1mA
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZVN2106ASTZ厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVN2106ASTZ数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVN2106ASTZ ZVN2106ASTZ数据手册

ZVN2106ASTZ封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.2863
10+ ¥ 3.2472
100+ ¥ 2.9095
500+ ¥ 2.8575
1000+ ¥ 2.8056
5000+ ¥ 2.8056
库存: 1690
起订量: 16 增量: 0
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