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ZXMP10A18GTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 3.7 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 14M-ZXMP10A18GTA
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMP10A18GTA

ZXMP10A18GTA概述

    ZXMP10A18G:100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

    1. 产品简介


    ZXMP10A18G 是一款由 Diodes Incorporated 生产的100V P-通道增强模式MOSFET,专为高效率功率管理设计。这种MOSFET不仅具有低导通电阻,而且具备快速开关速度,适用于电机控制、直流-直流转换器、电源管理和电磁阀驱动等多种应用。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DSS} \): -100V
    - 栅源电压 \( V{GSS} \): ±20V
    - 连续漏极电流(\( V{GS} = 10V \)):-3.7A(\( TA = +70°C \))
    - 脉冲漏极电流(\( V{GS} = 10V \)):-16.5A
    - 连续源电流(体二极管):-5.3A
    - 脉冲源电流(体二极管):-16.5A
    - 功耗:2.0W(\( TA = +25°C \))
    - 结到环境热阻 \( R{\theta JA} \): 62.5°C/W
    - 结到引脚热阻 \( R{\theta JL} \): 7.65°C/W
    - 工作及存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 \( BVDSS \): -100V
    - 栅源泄漏电流 \( IGSS \): ±100nA
    - 栅阈电压 \( V{GS(th)} \): -2.0V 至 -4.0V
    - 静态漏源导通电阻 \( R{DS(ON)} \): 150mΩ(\( V{GS} = -10V, ID = -2.8A \))
    - 前向跨导 \( g{fs} \): 6.0S
    - 体二极管前向电压 \( V{SD} \): -0.85V 至 -0.95V
    - 反向恢复时间 \( t{rr} \): 49ns
    - 反向恢复电荷 \( Q{rr} \): 107nC
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1055pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 90pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 76pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 26.9nC

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:ZXMP10A18G 具有出色的低导通电阻特性,这使得它能够实现高效率的功率转换。
    - 快速开关速度:快速开关特性对于提高系统整体效率至关重要,尤其是在高频应用中。
    - 无铅工艺:符合RoHS标准,无卤素、无锑,是一款“绿色”产品。
    - 高可靠性:符合AEC-Q101标准,确保在高可靠性要求的应用中的稳定性能。

    4. 应用案例和使用建议


    ZXMP10A18G 的主要应用场景包括电机控制、直流-直流转换器、电源管理和电磁阀驱动等。例如,在电机控制系统中,低导通电阻和快速开关特性可以有效降低系统的功耗并提高控制精度。在使用过程中,建议严格按照数据手册中的规定进行安装和测试,特别是在高温环境下要特别注意散热措施。

    5. 兼容性和支持


    ZXMP10A18G 采用SOT223封装,具有出色的机械性能和焊接兼容性。厂商提供了详细的资料文档和技术支持,包括电气特性、散热设计和安装指南等。更多详细信息可参考官方网站上的文档和支持页面。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:长时间使用后,器件出现过热现象。
    - 解决方案:确保良好的散热措施,如增加散热片或使用散热器,以避免超过安全工作温度范围。
    - 问题:导通电阻不稳定。
    - 解决方案:检查安装条件,确保栅源电压在正常范围内,且器件工作环境温度适宜。

    7. 总结和推荐


    总体而言,ZXMP10A18G是一款高性能的P-通道MOSFET,适用于多种工业和消费电子产品中。它的低导通电阻和快速开关特性使其成为高效率电源管理系统中不可或缺的一部分。推荐在需要高效功率转换的应用中使用此产品,同时务必注意正确的使用方法和安装规范,以发挥其最佳性能。

ZXMP10A18GTA参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.055nF@50V
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 26.9nC@ 10 V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 2.6A
最大功率耗散 2W(Ta)
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
配置 独立式双drain
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 150mΩ@ 2.8A,10V
长*宽*高 6.5mm*3.5mm*1.65mm
通用封装 SOT-223-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMP10A18GTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMP10A18GTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMP10A18GTA ZXMP10A18GTA数据手册

ZXMP10A18GTA封装设计

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30+ ¥ 5.079
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300+ ¥ 4.7489
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