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ZXMN2B01FTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 2.4 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 30C-ZXMN2B01FTA SOT23
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN2B01FTA

ZXMN2B01FTA概述

    ZXMN2B01F 20V SOT23 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:
    ZXMN2B01F是一款20V SOT23封装的N沟道增强型MOSFET,具有低门极驱动能力。
    主要功能:
    - 极低的导通电阻(RDS(on))
    - 快速开关速度
    - 低门极驱动电压
    应用领域:
    - 直流-直流转换器
    - 电源管理功能
    - 断开开关
    - 电机控制

    2. 技术参数


    电气特性:
    - 最大漏源电压(VDSS):20V
    - 最大栅源电压(VGS):±8V
    - 连续漏电流(ID):2.4A(在25°C时)
    - 瞬态漏电流(IDM):11.8A
    - 反向恢复时间(trr):6.7ns
    - 前向转移电容(Crss):46pF
    静态特性:
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):20V
    - 无门极电压的漏电流(IDSS):1μA
    - 栅体泄漏电流(IGSS):100nA
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):0.4V至1.0V
    - 静态导通电阻(RDS(on)):0.100Ω(在4.5V VGS时)
    动态特性:
    - 输入电容(Ciss):370pF
    - 输出电容(Coss):81pF
    - 转移电容(Crss):46pF
    - 开关时间特性(td(on),tr,td(off),tf)分别为:2.2ns,3.6ns,17.8ns,10.5ns
    热特性:
    - 热阻(RJA):200°C/W(条件a),155°C/W(条件b)
    - 结温范围(Tj):-55°C至+150°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C至+150°C

    3. 产品特点和优势


    独特功能:
    - 极低的导通电阻(RDS(on)),使得功率损耗极小,适用于高效能电路设计。
    - 快速的开关速度,提高系统效率并减少能量损耗。
    - 低门极驱动电压,简化电路设计,降低功耗。
    市场竞争力:
    - 在电源管理领域具有显著的优势,可以满足高速开关的需求。
    - 由于其高可靠性,广泛应用于汽车、工业及消费电子产品中。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 直流-直流转换器:ZXMN2B01F可用于提高转换效率。
    - 电源管理:如电池管理系统中,以确保稳定的供电。
    - 断开开关:在需要快速切断电流的应用中表现出色。
    - 电机控制:适用于需要快速响应的应用。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应注意散热,避免过热。
    - 设计电路时需考虑其开关速度,避免信号干扰。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - ZXMN2B01F与其他标准SOT23封装的MOSFET高度兼容。
    支持和服务:
    - Zetex Semiconductors提供详尽的技术文档和全面的客户支持服务。
    - 产品通过ISO 9001和TS16949认证,确保质量可靠。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    - 问题:电路启动困难
    - 解决方法:检查门极驱动电压是否足够低,调整电路中的电容值。
    - 问题:发热严重
    - 解决方法:加强散热措施,如增加散热片或优化电路布局。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    ZXMN2B01F凭借其优异的导通电阻和快速的开关速度,在各种应用场景中表现出色。它在电源管理和电机控制等领域有着广泛的应用前景。
    推荐使用:
    强烈推荐ZXMN2B01F用于对效率和稳定性要求较高的场合,如直流-直流转换器、电源管理和电机控制系统。

ZXMN2B01FTA参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@ 2.4A,4.5V
Vgs-栅源极电压 8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 370pF@10V
最大功率耗散 625mW(Ta)
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
栅极电荷 4.8nC@ 4.5 V
Id-连续漏极电流 2.1A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
通道数量 1
长*宽*高 3.04mm*1.4mm*1.02mm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN2B01FTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN2B01FTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN2B01FTA ZXMN2B01FTA数据手册

ZXMN2B01FTA封装设计

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