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ZXMN15A27KTC

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2.2W(Ta) 25V 4V@ 250µA 6.6nC@ 10 V 1个N沟道 150V 650mΩ@ 2.15A,10V 1.7A 169pF@25V TO-252-3 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: ZXMN15A27KTC
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN15A27KTC

ZXMN15A27KTC概述

    ZXMN15A27K 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    1. 产品简介


    ZXMN15A27K 是一款由 Diodes Incorporated 生产的高性能 N-Channel 增强型功率 MOSFET。它具有低导通电阻、快速开关能力和高雪崩耐受能力,适用于高效率电源管理应用。具体的应用领域包括:SLIC 线路驱动器(用于 VoIP 应用)、变压器驱动开关、电源管理功能、电机控制和不间断电源系统。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压 \(V{DSS}\):150V
    - 栅源电压 \(V{GS}\):±25V
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\):55mJ
    - 连续漏电流 \(ID\)(TA = 25°C):2.6A
    - 脉冲漏电流 \(I{DM}\)(TA = 25°C):17.2A
    - 电气特性:
    - 静态漏源导通电阻 \(R{DS(ON)}\):0.500-0.650Ω(\(V{GS} = 10V\), \(ID = 2.15A\))
    - 输入电容 \(C{iss}\):169pF(\(V{DS} = 25V\), \(V{GS} = 0V\), \(f = 1MHz\))
    - 输出电容 \(C{oss}\):64.5pF(\(V{DS} = 25V\), \(V{GS} = 0V\), \(f = 1MHz\))
    - 反向传输电容 \(C{rss}\):23.3pF(\(V{DS} = 25V\), \(V{GS} = 0V\), \(f = 1MHz\))
    - 热特性:
    - 结到环境热阻 \(R{θJA}\):30.2°C/W
    - 结到引脚热阻 \(R{θJL}\):2.06°C/W
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C

    3. 产品特点和优势


    - 100% 无限制电感开关测试(UIS):确保生产过程中每个产品都通过严格的测试。
    - 高雪崩能量脉冲耐受能力:提供更好的电路保护和稳定性。
    - 低输入电容:减少电路板布局复杂度并提高电路的整体性能。
    - 低导通电阻:降低功耗,提高能效。
    - 快速开关速度:缩短转换时间,提升整体性能。
    - 环保组件:符合 RoHS 规范,不含卤素和锑化合物,为绿色产品。
    - 通过 AEC-Q101 标准认证:保证高可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - VoIP SLIC 线路驱动器:利用其高效率和低功耗特性。
    - 变压器驱动开关:提供可靠的开关性能和稳定的电流控制。
    - 电源管理:适合于需要高效率和低功耗的应用场合。
    - 电机控制:具备快速响应和高可靠性,适用于各种电机控制系统。
    - 不间断电源:确保在故障情况下仍能持续供电。
    使用建议:
    - 在设计应用时需注意热管理,尤其是在高功率应用中。确保使用合适的散热片或 PCB 布局来提高热管理效果。
    - 根据实际应用需求选择合适的栅极驱动电阻(如 RG = 25Ω),以达到最佳的开关时间和能效表现。
    - 在高压应用中,考虑使用额外的保护措施,以防止过压损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与其他标准 TO-252-3L 封装的 MOSFET 相互兼容,便于替换。
    - 支持信息:Diodes Incorporated 提供详尽的技术文档和支持服务,包括产品数据表、应用指南和客户技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:产品在高频应用中出现过热现象。
    - 解决方案:增加散热片,改善 PCB 布局以提高散热效果。
    - 问题2:产品在低温环境下性能不稳定。
    - 解决方案:检查应用电路的设计,确保在低温环境下保持足够的栅极驱动电压。
    - 问题3:产品在反复开关后出现失效现象。
    - 解决方案:确保正确使用热管理策略,减少热应力的影响。

    7. 总结和推荐


    ZXMN15A27K 是一款卓越的 N-Channel MOSFET,具备低导通电阻、高可靠性和快速开关速度等特点。其广泛应用于高效率电源管理和电机控制系统等领域,适用于多种严苛的工业和商业环境。鉴于其优异的表现和全面的支持,我们强烈推荐此产品作为高性能电源管理和控制系统的首选解决方案。

ZXMN15A27KTC参数

参数
Id-连续漏极电流 1.7A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 2.2W(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 650mΩ@ 2.15A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 169pF@25V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 6.6nC@ 10 V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 150V
Vgs-栅源极电压 25V
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252-3
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

ZXMN15A27KTC厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN15A27KTC数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN15A27KTC ZXMN15A27KTC数据手册

ZXMN15A27KTC封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 2.2574
5000+ ¥ 2.1278
8000+ ¥ 2.0908
12000+ ¥ 2.0723
库存: 25000
起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:2500
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