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DMN65D8LDWQ-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2V@ 250µA 0.87nC@ 10V 2个N沟道 60V 6Ω@ 115mA,10V 180mA 22pF@25V SOT-363 贴片安装
供应商型号: 30C-DMN65D8LDWQ-7 SOT363
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN65D8LDWQ-7

DMN65D8LDWQ-7概述

    DMN65D8L N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    DMN65D8L 是一种 N-通道增强型 MOSFET,专为高效率电源管理应用设计。它在最小化导通电阻(RDS(ON))的同时保持了优异的开关性能。适用于直流-直流转换器、电源管理功能、电池操作系统及固态继电器等领域。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 栅源电压 (VGSS): ±20V
    - 漏源电压 (VDSS): 60V
    - 连续漏极电流 (VGS = 10V):
    - TA = +25°C: 310mA
    - TA = +70°C: 240mA
    - 连续漏极电流 (VGS = 5V):
    - TA = +25°C: 270mA
    - TA = +70°C: 210mA
    - 脉冲漏极电流 (10µs脉冲,占空比1%): 800mA
    - 最大体二极管连续电流 (IS): 310mA
    - 热特性:
    - 总功耗 (PD): 370mW (TA = +25°C), 540mW (TA = +70°C)
    - 结点到环境的热阻 (RθJA): 348°C/W (TA = +25°C), 241°C/W (TA = +70°C)
    - 结点到外壳的热阻 (RθJC): 91°C/W
    - 电气特性:
    - 导通时的栅阈电压 (VGS(TH)): 1.2~2.0V
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS = 10V, ID = 0.115A: 1.9~3Ω
    - VGS = 5V, ID = 0.115A: 2.2~4Ω
    - 输入电容 (Ciss): 22pF (VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1.0MHz)
    - 输出电容 (Coss): 3.2pF (VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1.0MHz)
    - 反向传输电容 (Crss): 2.0pF

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(ON)): 提高能效,减少能量损耗。
    - 低栅阈电压 (VGS(TH)): 易于驱动。
    - 低输入电容 (Ciss): 减少驱动损耗。
    - 快速开关速度: 支持高频应用。
    - 小封装: 方便集成。
    - 静电放电保护栅: 增强可靠性。
    - 无铅且符合RoHS标准: 环保。
    - 卤素和锑元素免费: 绿色环保。
    - 可选汽车级版本: 适用于汽车应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 典型应用:
    - 直流-直流转换器
    - 电源管理系统
    - 电池驱动系统
    - 固态继电器
    - 使用建议:
    - 在高温环境下使用时应注意散热,避免过温导致损坏。
    - 选择合适的栅驱动电路以充分利用快速开关速度。
    - 在设计PCB布局时,考虑引脚配置和推荐的焊盘尺寸。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 适用于大多数通用电源管理电路。
    - 支持和服务:
    - Diodes公司提供技术支持和产品质量保证。
    - 如需了解特定的汽车应用支持,可以联系当地代表或访问官方网站。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何判断DMN65D8L是否正常工作?
    - 解答: 使用万用表测量其导通电阻 (RDS(ON)) 和漏电流 (IDSS)。正常情况下,RDS(ON) 应该接近技术手册中的值,IDSS 应该小于手册中的最大值。
    - 问题:温度对DMN65D8L的影响如何?
    - 解答: 温度会影响其导通电阻。温度升高会导致RDS(ON)增加。因此,在高温环境下需要特别注意散热措施。

    7. 总结和推荐


    DMN65D8L MOSFET凭借其低导通电阻、快速开关速度和小型封装,使其成为高效电源管理和高速信号控制应用的理想选择。此外,它还提供了全面的技术支持和质量保证,使得在不同应用场景下都表现出色。对于需要高效、稳定工作的系统来说,DMN65D8L是理想的选择。
    推荐使用。

DMN65D8LDWQ-7参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 0.87nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
配置
通道数量 2
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 22pF@25V
Id-连续漏极电流 180mA
Rds(On)-漏源导通电阻 6Ω@ 115mA,10V
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
通用封装 SOT-363
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN65D8LDWQ-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN65D8LDWQ-7数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN65D8LDWQ-7 DMN65D8LDWQ-7数据手册

DMN65D8LDWQ-7封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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200+ ¥ 0.3575
1500+ ¥ 0.3113
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