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DMN3060LCA3-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 790mW 12V 1.1V@ 250µA 1.677nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 60mΩ@ 500mA,8V 3.9A 192pF@15V 贴片安装
供应商型号: DMN3060LCA3-7
供应商: 国内现货
标准整包数: 10000
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN3060LCA3-7

DMN3060LCA3-7概述

    DMN3060LCA3 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    DMN3060LCA3 是一款由Diodes公司生产的N沟道增强型MOSFET,专为手持和移动应用设计。这类器件以其低功耗和紧凑尺寸著称,在电池管理、负载开关及电池保护等场景中得到广泛应用。本产品旨在通过最小化外形尺寸来替代许多小信号MOSFET,特别适合需要节省空间的应用场合。

    2. 技术参数


    技术规格和性能参数:
    - 漏源电压(BVDSS): 30V
    - 连续漏极电流(ID):
    - VGS = 8V时:3.9A (25°C),3.1A (70°C)
    - VGS = 4.5V时:3.5A (25°C),2.8A (70°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM): 20A
    - 热阻(RθJA): 160°C/W (25°C时),93°C/W (25°C时)
    - 零栅压漏极电流(IDSS): < 100nA
    - 门限电压(VGS(TH)): 0.65 - 1.10V
    - 导通电阻(RDS(ON)):
    - VGS = 8V时:46 - 60mΩ
    - VGS = 4.5V时:52 - 72mΩ
    - VGS = 2.5V时:69 - 110mΩ
    - VGS = 1.8V时:101 - 160mΩ
    - 反向恢复电荷(QRR): 2.4nC
    - 输入电容(Ciss): 128pF

    3. 产品特点和优势


    DMN3060LCA3 具备以下独特功能和优势:
    - 低栅极电荷(Qg & Qgd),有助于减少驱动损耗。
    - 紧凑型封装,厚度仅0.20mm,适用于对空间要求苛刻的应用场景。
    - 环保材料,符合RoHS、无卤素和无锑的标准。
    - 全金属端子,采用NiPdAu或NiAu表面处理,确保良好的焊接性和耐久性。
    - 适用于需要特定变更控制的汽车应用,符合AEC-Q标准并具备PPAP能力。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电池管理系统
    - 负载开关
    - 电池保护
    - 手持和移动应用
    使用建议:
    1. 环境温度适应性:在高温环境下,应注意监控器件的工作温度,避免过温导致性能下降。
    2. 负载开关设计:在设计负载开关时,需根据具体应用选择合适的栅极驱动电压(VGS)以确保器件正常工作。
    3. 散热措施:对于高功率应用,可能需要采取额外的散热措施,如增加散热片,以提高器件的可靠性和使用寿命。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 电路板布局:建议参考制造商提供的封装布局图,以确保最佳性能。
    - 其他器件兼容性:未提供具体的信息,但一般情况下,其标准封装和电气特性使其与其他同类MOSFET相对兼容。
    厂商支持:
    - Diodes公司提供详尽的技术文档和在线支持资源。
    - 针对汽车应用,Diodes公司可提供符合AEC-Q标准的定制化服务。

    6. 常见问题与解决方案



    常见问题与解决方案

    :
    1. 问题: 器件在高温环境下工作异常。
    - 解决方案: 检查电路的散热措施是否足够,适当调整工作条件,确保不超过最大允许工作温度。
    2. 问题: 导通电阻测量值异常高。
    - 解决方案: 确认测量时的栅极电压是否达到额定值,并检查是否有外部因素干扰。
    3. 问题: 脉冲电流超过规定值。
    - 解决方案: 检查电源稳定性及负载电流是否超出额定范围,必要时考虑使用更高电流规格的产品。

    7. 总结和推荐



    总结

    :
    DMN3060LCA3 在设计上强调了低功耗、小体积以及绿色环保特性,非常适合需要紧凑且高效的电力转换应用场合。它具有优秀的热管理和电气性能,能够满足多种应用场景的需求。
    推荐:
    鉴于其出色的性能表现和广泛的应用潜力,我们强烈推荐DMN3060LCA3 用于各种手持设备、便携式电子产品以及电池管理系统中。此外,对于对环保和可靠性有较高要求的应用,此产品也提供了卓越的选择。

DMN3060LCA3-7参数

参数
最大功率耗散 790mW
Id-连续漏极电流 3.9A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 192pF@15V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 1.677nC@ 4.5 V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 12V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.1V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 60mΩ@ 500mA,8V
通道数量 -
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN3060LCA3-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN3060LCA3-7数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN3060LCA3-7 DMN3060LCA3-7数据手册

DMN3060LCA3-7封装设计

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