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DMN66D0LT-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 200mW(Ta) 20V 2V@ 250µA 1个N沟道 60V 5Ω@ 115mA,10V 115mA 23pF@25V SOT-523 贴片安装 1.6mm*800μm*800μm
供应商型号: 11M-DMN66D0LT-7
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN66D0LT-7

DMN66D0LT-7概述

    DMN66D0LT N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    DMN66D0LT 是一款来自 Diodes Incorporated 的 N-沟道增强型 MOSFET,适用于需要高效率、低损耗和快速开关的应用场合。此款 MOSFET 主要用于电源管理和转换电路中,如电源适配器、LED 驱动器、电池充电器等。

    技术参数


    以下是 DMN66D0LT 的关键技术和性能参数:
    - 电压等级:最大漏源电压(VDSS)为 60V。
    - 电流等级:最大漏极连续电流(ID)为 115mA(+100°C 时为 73mA),脉冲电流为 800mA。
    - 电阻等级:静态漏源导通电阻(RDS(ON))在 VGS=5.0V 和 VGS=10V 时分别为 3.5Ω 和 3.0Ω。
    - 热特性:总功耗(PD)为 200mW,结到环境的热阻(RθJA)为 625°C/W。
    - 电气特性:输入电容(Ciss)为 23pF,输出电容(Coss)为 3.4pF,反向转移电容(Crss)为 1.4pF。
    - 封装:SOT-523 封装。
    - 其他特性:ESD 保护门限电压为 1kV(HBM),完全符合欧盟 RoHS 指令和无卤素要求。

    产品特点和优势


    DMN66D0LT 具有以下几个显著特点和优势:
    - 低导通电阻:静态漏源导通电阻较低,确保高效的电流传输和低损耗。
    - 低栅极阈值电压:降低了对栅极驱动的要求,使得器件更容易开启。
    - 低输入电容:减小了栅极驱动器所需的电容负载,提高了系统的响应速度。
    - 快速开关速度:适合高速开关应用,提高了电路的整体效率。
    - 小型表面贴装封装:占用空间小,便于集成和布局设计。
    - 环保材料:无铅且完全符合欧盟 RoHS 标准,无卤素和锑,是真正的绿色环保产品。

    应用案例和使用建议


    DMN66D0LT 可广泛应用于多种电路中,例如:
    - 电源适配器:通过低导通电阻和高开关速度提高整体能效。
    - LED 驱动器:快速开关特性可以减少开关损耗,提高驱动效率。
    - 电池充电器:低栅极阈值电压简化了栅极驱动设计。
    使用建议:
    - 在选择栅极驱动器时,应注意驱动器的输出电容不要超过 DMN66D0LT 的输入电容,以避免不必要的延迟。
    - 在高频率和高功率应用中,需注意散热问题,确保适当的 PCB 布局和热管理措施。

    兼容性和支持


    DMN66D0LT 与其他电子元件具有良好的兼容性,尤其适用于需要 SOT-523 封装的产品。Diodes Incorporated 提供详尽的技术文档和支持,包括在线资源和技术支持服务,帮助客户更好地使用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何处理器件在高温下的性能下降?
    - A: 在高功率应用中,应考虑使用适当的散热措施,如增加散热片或改善 PCB 布局来优化热传导。

    - Q: 如何确保器件的 ESD 保护?
    - A: 在组装过程中使用防静电工具,并确保电路板设计具备足够的 ESD 保护措施。

    总结和推荐


    综上所述,DMN66D0LT 以其卓越的性能和丰富的功能特性,在电源管理和转换应用中表现出色。无论是从效率还是可靠性角度来看,它都是一个值得信赖的选择。我们强烈推荐此款 MOSFET 给所有追求高性能电源解决方案的设计者和工程师们。

DMN66D0LT-7参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
栅极电荷 -
最大功率耗散 200mW(Ta)
Id-连续漏极电流 115mA
Rds(On)-漏源导通电阻 5Ω@ 115mA,10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 23pF@25V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
长*宽*高 1.6mm*800μm*800μm
通用封装 SOT-523
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN66D0LT-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN66D0LT-7数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN66D0LT-7 DMN66D0LT-7数据手册

DMN66D0LT-7封装设计

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