处理中...

首页  >  产品百科  >  ZXM62P03E6TA

ZXM62P03E6TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 625mW(Ta) 20V 1V@ 250µA 10.2nC@ 10 V 1个P沟道 30V 150mΩ@ 1.6A,10V 1.5A 330pF@25V SOT-26 贴片安装 3.1mm*1.8mm*1.3mm
供应商型号: 30C-ZXM62P03E6TA SOT26
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXM62P03E6TA

ZXM62P03E6TA概述


    产品简介


    ZXM62P03E6 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 30V P-通道增强型模式金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode MOSFET)。它主要应用于直流-直流转换器、电源管理功能、断开开关和电机控制等领域。由于其独特的结构,该器件结合了低导通电阻与快速开关速度的优点,使其成为高效率功率管理应用的理想选择。

    技术参数


    | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    ||
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V
    | 漏源电压 | VDSS -30 | V
    | 连续漏极电流 | ID | -1.5 -1.2 | A | TA = +25°C (注5) |
    | 脉冲漏极电流 | IDM -7.4 | A | 注7 |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS -1 | μA | VDS = -30V |
    | 栅源漏电 | IGSS ±100 | nA | VGS = ±20V |
    | 开启状态下的导通电阻 | RDS (ON) 0.15 | Ω | VGS = -10V |
    | 反向恢复时间 | trr 19.9 ns | TJ = +25°C |
    | 反向恢复电荷 | Qrr 13 nC | di/dt = 100A/μs |

    产品特点和优势


    - 快切换速度:ZXM62P03E6 的设计确保了极短的开关延迟时间和关断时间,提高了电路的整体效率。
    - 低导通电阻:具备极低的导通电阻,有助于减少能量损耗,特别适用于高效率电源管理。
    - 低栅极驱动需求:较低的栅极驱动要求使得该器件更易于集成到现有的系统中。
    - 环保材料:采用无铅材料,符合 RoHS 和其他环保标准。
    - 高可靠性:通过 AEC-Q101 标准认证,适用于高可靠性的汽车和其他工业应用。

    应用案例和使用建议


    该器件在直流-直流转换器和电源管理系统的应用中表现出色。例如,在电池管理系统中,ZXM62P03E6 可以作为高效的电源开关来控制不同部分的能量流。为了确保最佳性能,建议将器件放置在合适的散热片上,并合理安排周围元件的位置以避免不必要的寄生效应。在设计时还需要注意栅极电阻的选择,以优化开关时间和能耗。

    兼容性和支持


    该产品具有 SOT-26 封装形式,支持完全无铅的制造工艺,从而与其他标准表面贴装技术(SMT)兼容。Diodes Incorporated 提供详尽的技术支持文档和售后保障服务,用户可以通过官方网站获取最新的封装图纸及建议的焊盘布局。

    常见问题与解决方案


    - Q: 为什么 ZXM62P03E6 的栅源电压范围是 ±20V?
    - A: 为了防止器件因过高的电压而损坏,其设计允许的最大栅源电压为 ±20V。使用时必须注意不超过此范围。

    - Q: 为何反向恢复电荷 (Qrr) 仅在特定条件下给出?
    - A: Qrr 取决于多种因素,如温度和电流变化。因此,该参数通常在特定条件下给出,以保证测试的一致性和可比性。

    总结和推荐


    总体来看,ZXM62P03E6 是一款高效率、高可靠性的 P-通道增强型 MOSFET,特别适合需要低损耗和高效率的应用场景。它在快切换速度、低导通电阻方面的优异表现,以及其出色的环保特性和广泛的兼容性,使其在市场上具备较强的竞争力。我们强烈推荐这款产品给所有需要高效能电源管理解决方案的用户。

ZXM62P03E6TA参数

参数
最大功率耗散 625mW(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 330pF@25V
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 10.2nC@ 10 V
配置 独立式quaddrain
Id-连续漏极电流 1.5A
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 150mΩ@ 1.6A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
长*宽*高 3.1mm*1.8mm*1.3mm
通用封装 SOT-26
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXM62P03E6TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXM62P03E6TA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXM62P03E6TA ZXM62P03E6TA数据手册

ZXM62P03E6TA封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 1.936
100+ ¥ 1.551
750+ ¥ 1.375
1500+ ¥ 1.309
3000+ ¥ 1.243
18000+ ¥ 1.232
39000+ ¥ 1.221
库存: 2860
起订量: 1 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 1.93
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336