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ZXMN2A04DN8TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2.1W 12V 700mV@ 250µA (Min) 22.1nC@ 5V 2个N沟道 20V 25mΩ@ 5.9A,4.5V 5.9A 1.88nF@10V SOIC-8 贴片安装 5mm*4mm*1.5mm
供应商型号: 3944185
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN2A04DN8TA

ZXMN2A04DN8TA概述


    产品简介




    产品名称:ZXMN2A04DN8

    产品类型:双20V N沟道增强型MOSFET

    主要功能:
    - 低导通电阻(RDS(on))
    - 快速开关速度
    - 低门限电压
    - 低栅极驱动需求
    - 超薄SOIC封装

    应用领域:
    - 直流-直流转换器
    - 功率管理功能
    - 断路开关
    - 电机控制


    技术参数




    - 导通电阻:0.025 Ω (VGS=4.5V, ID=5.9A)
    - 连续漏极电流:7.7A (VGS=10V, TA=25°C)
    - 脉冲漏极电流:38A
    - 零栅极电压漏极电流:0.5 μA (VDS=20V, VGS=0V)
    - 栅源漏电流:100nA (VGS=±12V, VDS=0V)
    - 栅源阈值电压:0.7V (ID=250μA, VDS=VGS)
    - 输入电容:1880pF (VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz)
    - 输出电容:506pF
    - 反向传输电容:386pF
    - 漏源二极管正向电压:0.85V (TJ=25°C, IS=5.1A, VGS=0V)
    - 工作温度范围:-55到+150°C
    - 热阻:
    - RθJA (a):100°C/W (表面安装在25mm x 25mm FR4 PCB上,单面1oz铜箔,静止空气条件下)
    - RθJA (b):70°C/W (FR4 PCB测量时,t=10秒)
    - RθJA (c):60°C/W (一个活动的die)
    - RθJA (e):17mW/°C (2个活动的die,功率均分)


    产品特点和优势




    - 低导通电阻:0.025 Ω,确保在高电流应用中的高效运行。
    - 快速开关速度:提高系统的整体效率。
    - 低门限电压和低栅极驱动需求:减少对外部驱动电路的需求。
    - 超薄SOIC封装:便于安装,适合空间受限的应用场景。


    应用案例和使用建议




    应用案例:
    - 在直流-直流转换器中,用于降压或升压应用,可有效提升能效。
    - 在电机控制系统中,用于电机的精确控制。

    使用建议:
    - 确保电源供应稳定,以避免电压波动对MOSFET的影响。
    - 使用散热片或其他冷却方法来降低工作温度,提高稳定性。


    兼容性和支持




    - 兼容性:该产品采用标准SOIC封装,可直接替代市场上同类封装的产品。
    - 支持和服务:由Zetex提供全球范围内的技术支持和售后服务,通过网站www.zetex.com获取最新产品信息和文档。


    常见问题与解决方案




    - Q: 漏极电流不稳定怎么办?
    - A: 检查负载情况,确保没有过载现象。如果负载正常,可能需要检查外部电路,特别是电源稳定性和接地线。

    - Q: 导通电阻异常增高如何处理?
    - A: 首先检查栅极电压是否正确,确保VGS达到规定的阈值电压。如无误,则可能是热问题,检查散热措施是否到位。


    总结和推荐




    总结:
    - ZXMN2A04DN8是一款高效的N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、快速开关速度和良好的耐温性能。
    - 它特别适用于直流-直流转换器、功率管理和电机控制等应用。

    推荐:
    - 综合考虑其技术参数和应用场景,ZXMN2A04DN8非常适合需要高效能、可靠性和紧凑设计的场合。强烈推荐给对MOSFET性能有高要求的用户。

ZXMN2A04DN8TA参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.88nF@10V
Rds(On)-漏源导通电阻 25mΩ@ 5.9A,4.5V
Vgs-栅源极电压 12V
栅极电荷 22.1nC@ 5V
最大功率耗散 2.1W
配置
Id-连续漏极电流 5.9A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 700mV@ 250µA (Min)
FET类型 2个N沟道
通道数量 2
长*宽*高 5mm*4mm*1.5mm
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN2A04DN8TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN2A04DN8TA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN2A04DN8TA ZXMN2A04DN8TA数据手册

ZXMN2A04DN8TA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 12.1667
10+ ¥ 9.2072
100+ ¥ 9.0428
500+ ¥ 9.0428
1000+ ¥ 9.0428
库存: 485
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