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ZVN0124A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=240 V, 160 mA, TO-92封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 3943939
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVN0124A

ZVN0124A概述

    ZVN0124A N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 技术手册

    产品简介


    ZVN0124A 是一款高性能的 N 沟道增强型垂直双扩散 MOS 场效应晶体管(DMOS FET)。该器件以其出色的导电性能和高可靠性广泛应用于多种电子设备中。主要功能包括低导通电阻(RDS(on))和高电压能力(VDS),适合于电话手柄等通信设备以及其他功率控制电路。其典型特征使其成为功率管理解决方案的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 |
    |
    | Drain-Source Voltage 240 | V
    | Continuous Drain Current | 160 mA | Tamb=25°C |
    | Pulsed Drain Current 2 | A
    | Gate-Source Voltage | ±10 ±20 | V
    | Power Dissipation 700 mW | Tamb=25°C |
    | Operating Temperature | -55 150 | °C
    | Drain-Source Breakdown 240 | V | ID=1mA, VGS=0V |
    | Gate-Source Threshold | 1 3 | V | ID=1mA, VDS=VGS |
    | Zero Gate Voltage Drain | 10 100 | µA | VDS=240V, VGS=0 |
    | On-State Drain Current 500 mA | VDS=25V, VGS=10V |
    | Static Drain-Source On 16 | Ω | VGS=10V, ID=250mA |
    | Forward Transconductance 100 mS | VDS=25V, ID=250mA |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on) 值仅为 16Ω,在典型条件下提供了优异的效率。
    2. 高击穿电压:最大 VDS 达到 240V,确保在高压环境中稳定运行。
    3. 快速开关速度:优秀的开关特性使其适用于高频电路。
    4. 广泛的工作温度范围:从 -55°C 到 150°C 的工作温度适应性强。
    5. 易于驱动:低门极阈值电压(1V 至 3V)便于使用标准逻辑信号驱动。
    这些特点使 ZVN0124A 成为消费类电子产品、通信设备及工业控制领域的理想选择,并在市场上具有显著的竞争优势。

    应用案例和使用建议


    - 电话手柄:由于其低功耗和良好的热管理能力,非常适合用于手机充电器和其他便携式设备中。
    - 音频放大器:利用其快速响应特性,可提高音质表现并减少失真。
    - 电源转换:ZVN0124A 可有效降低损耗,提高电源模块的整体能效。
    使用建议:
    - 在设计时需考虑散热措施以避免过热导致性能下降。
    - 确保输入电压不超过额定值以防止损坏。
    - 避免长时间处于高温环境下操作,必要时添加外部冷却装置。

    兼容性和支持


    ZVN0124A 采用 TO-92 封装形式,与市场上主流的标准接口兼容良好。制造商提供全面的技术文档和支持服务,包括详细的测试报告、应用指南及售后服务热线。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方法 |

    | 开机后无反应 | 检查接线是否正确连接 |
    | 温度过高 | 添加散热片或改进电路布局 |
    | 性能不稳定 | 调整工作电压至推荐范围内 |

    总结和推荐


    ZVN0124A N 沟道增强型垂直 DMOS FET 是一款兼具高效能与可靠性的电子元器件。它不仅满足了现代电子设备对高性能的需求,还通过合理的设计降低了成本。对于需要高电压、大电流且希望实现节能效果的应用场景,强烈推荐使用此产品。无论是作为独立元件还是集成系统的一部分,ZVN0124A 都表现出色,值得信赖。

ZVN0124A参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 240V
最大功率耗散 700mW(Ta)
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@1mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 85pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 16Ω@ 250mA,10V
Id-连续漏极电流 160mA
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装

ZVN0124A厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVN0124A数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVN0124A ZVN0124A数据手册

ZVN0124A封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.9608
10+ ¥ 3.0006
100+ ¥ 2.6885
500+ ¥ 2.6885
1000+ ¥ 2.5925
5000+ ¥ 2.5925
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