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DMTH4007SK3-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 3.1W(Ta) 20V 4V@ 250µA 41.9nC@ 10 V 1个N沟道 40V 6mΩ@ 20A,10V 17.6A,76A 2.082nF@25V TO-252-3 贴片安装
供应商型号: AV-S-DIIDMTH4007SK313
供应商: Avnet
标准整包数: 2500
DIODES 场效应管(MOSFET) DMTH4007SK3-13

DMTH4007SK3-13概述

    DMTH4007SK3: 40V 175°C N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    1. 产品简介


    产品类型:
    DMTH4007SK3是一款40V耐温至175°C的N沟道增强型MOSFET。其设计目的是在保持优异开关性能的同时,将导通电阻(RDS(ON))降到最低。
    主要功能:
    - 高效功率管理
    - 适用于直流-直流转换器和背光系统
    应用领域:
    - 功率管理功能
    - 直流-直流转换器
    - 背光系统

    2. 技术参数


    额定值:
    - 漏源电压(VDSS): 40V
    - 栅源电压(VGSS): ±20V
    - 漏极连续电流(TA = +25°C): 17.6A
    - 漏极连续电流(TC = +25°C): 76A
    - 最大持续体二极管正向电流(IS): 60A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 100A
    - 击穿电流(IAS): 20A
    - 击穿能量(EAS): 60mJ
    热特性:
    - 总功耗(PD): 3.1W (TA = +25°C)
    - 结点到环境热阻(RθJA): 47°C/W
    - 结点到壳体热阻(RθJC): 2.5°C/W
    电气特性:
    - 漏源击穿电压(BVDSS): 40V (VGS = 0V, ID = 1mA)
    - 零栅源漏电流(IDSS): ≤1 μA (VDS = 32V, VGS = 0V)
    - 栅源泄漏电流(IGSS): ≤±100nA (VGS = ±20V, VDS = 0V)
    - 栅阈电压(VGS(TH)): 2-4V (VDS = VGS, ID = 250μA)
    - 静态漏源导通电阻(RDS(ON)): ≤6mΩ (VGS = 10V, ID = 20A)

    3. 产品特点和优势


    - 高温耐受性: 额定温度高达+175°C,适用于高环境温度的应用。
    - 可靠性: 支持无钳位电感切换,确保终端应用更加可靠和坚固。
    - 低导通电阻: 保证了导通损耗最小化。
    - 出色的FOM(优值系数): 优秀的Qgd x RDS(ON)产品。
    - 绿色环保: 符合RoHS标准,不含卤素和锑化合物。
    - 高可靠性认证: 符合AEC-Q101标准。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    DMTH4007SK3适用于各种高效率功率管理系统,包括直流-直流转换器和背光系统。
    使用建议:
    - 选择合适的散热片,以保证MOSFET在高温下运行的稳定性。
    - 确保PCB上的铜箔厚度至少为2oz,并添加散热铜板。
    - 在高温环境下使用时,注意监测MOSFET的温度,避免过热。

    5. 兼容性和支持


    - 封装类型: TO252 (DPAK)
    - 兼容性: 与常见的直流-直流转换器和其他电源管理模块兼容。
    - 支持: 提供详尽的技术文档和客户支持,确保用户能够正确安装和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1: 导通电阻过高。
    解决办法: 确认安装过程中是否有虚焊现象,检查是否有散热不良的情况,必要时可增加散热片。
    问题2: 过载保护失效。
    解决办法: 检查电路中的其他元件是否正常工作,确保外部保护措施(如保险丝)正确安装。

    7. 总结和推荐


    总结:
    DMTH4007SK3是一款专为高效率功率管理设计的高性能N沟道增强型MOSFET。它具有卓越的电气特性和高温耐受性,适合在高环境温度下使用。
    推荐:
    强烈推荐在需要高效率和高温稳定性的应用中使用DMTH4007SK3。其出色的性能和广泛的适用性使其成为电源管理领域的理想选择。

DMTH4007SK3-13参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@ 20A,10V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.082nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 40V
通道数量 -
最大功率耗散 3.1W(Ta)
Id-连续漏极电流 17.6A,76A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
栅极电荷 41.9nC@ 10 V
通用封装 TO-252-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMTH4007SK3-13厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMTH4007SK3-13数据手册

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DMTH4007SK3-13封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ $ 0.4434 ¥ 3.9243
7500+ $ 0.4395 ¥ 3.8893
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