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ZXMN6A08GTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 5.3 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: ZXMN6A08GTA
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN6A08GTA

ZXMN6A08GTA概述

    ZXMN6A08G 60V SOT223 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    ZXMN6A08G 是一款由 Diodes Incorporated 设计并生产的 60V SOT223 封装的 N-通道增强型功率 MOSFET。这款 MOSFET 结合了低导通电阻和快速开关的优点,特别适用于高效率电源管理应用。主要功能包括直流-直流转换器、电源管理、断路开关以及电机控制。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 60V
    - 栅源电压 (VGSS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TA = +25°C: 5.3A
    - TA = +70°C: 4.2A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 20A
    - 最大连续体二极管正向电流 (IS): 2.1A
    - 脉冲体二极管正向电流 (ISM): 20A
    - 热特性
    - 功耗 (PD): 2W
    - 热阻 (RθJA): 62.5°C/W
    - 电气特性
    - 阈值电压 (VGS(th)): 1V
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10V: 0.08Ω
    - VGS = 4.5V: 0.15Ω
    - 输入电容 (Ciss): 459pF
    - 输出电容 (Coss): 44.2pF
    - 反向传输电容 (Crss): 24.1pF
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - VGS = 5V: 4.0nC
    - VGS = 10V: 5.8nC

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: 0.08Ω(在 VGS = 10V 时),0.15Ω(在 VGS = 4.5V 时)
    - 快速开关速度: 适用于高频率开关应用
    - 低阈值电压: 适合电池供电系统
    - 低栅极驱动: 减少功耗和热量产生
    - 无铅封装: 符合 RoHS 标准,环保且安全
    - 符合 AEC-Q100/101/200 标准: 适合汽车应用
    - 抗卤素、锑: 绿色材料,更安全

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 直流-直流转换器: 利用其低导通电阻和快速开关特性,提高转换效率
    - 电源管理: 在各类电源管理应用中表现出色
    - 断路开关: 高可靠性,适用于工业和汽车应用
    - 电机控制: 快速开关速度有助于减少响应时间
    - 使用建议:
    - 在选择合适的散热方案时,需要考虑环境温度和热阻特性,以确保最佳性能。
    - 在高频应用中,需要注意输入、输出和反向传输电容的影响,优化电路设计。

    兼容性和支持


    - 兼容性: ZXMN6A08G 支持常见的电路板和插槽,可以与其他标准组件和设备无缝集成。
    - 技术支持: Diodes Incorporated 提供全面的技术支持和维护服务,包括详尽的产品文档和在线资源。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 漏极电流不稳定
    - 解决方案: 检查电路连接是否正确,尤其是栅极和源极之间的接线。
    - 问题: 开关速度慢
    - 解决方案: 检查输入和输出电容,调整电路布局以降低寄生电容的影响。
    - 问题: 高温下性能下降
    - 解决方案: 使用更有效的散热措施,如增加散热片或风扇,以保持器件温度低于最大允许值。

    总结和推荐


    ZXMN6A08G 是一款高性能的 N-通道增强型 MOSFET,具有出色的导通电阻和快速开关速度。它在高效率电源管理和电机控制方面表现优异。考虑到其卓越的性能和广泛的应用范围,强烈推荐在相关项目中采用此产品。对于汽车应用,Diodes 提供了专门的汽车认证版本 ZXMN6A08GQ,提供了额外的安全性和稳定性保障。

ZXMN6A08GTA参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
通道数量 1
配置 独立式双drain
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 459pF@40V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 3.8A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ@ 4.8A,10V
最大功率耗散 2W(Ta)
栅极电荷 5.8nC@ 10 V
长*宽*高 6.7mm*3.7mm*1.65mm
通用封装 SOT-223-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN6A08GTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN6A08GTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA数据手册

ZXMN6A08GTA封装设计

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500+ ¥ 1.7944
1000+ ¥ 1.7634
5000+ ¥ 1.748
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