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ZXM62N02E6

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.7W 12V 6.3nC(Max) @ 4.5V 20V 100mΩ@ 4.5V 460pF@ 15V SOT-23 贴片安装
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标准整包数: 0
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXM62N02E6

ZXM62N02E6概述


    产品简介


    ZXM62N02E6是一款来自Zetex的新一代高密度MOSFET,采用了独特的结构,将低导通电阻与快速开关速度的优势相结合。这种MOSFET特别适用于高效、低压电源管理应用。
    主要特点
    - 低导通电阻
    - 快速开关速度
    - 低阈值电压
    - 低栅极驱动需求
    - SOT23-6封装
    应用领域
    - 直流-直流转换器
    - 电源管理功能
    - 断开开关
    - 电机控制

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DSS} \): 20V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±12V
    - 连续漏极电流 (VGS=4.5V, TA=25°C): 3.2A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 18A
    - 连续源电流 (体二极管): 2.1A
    - 脉冲源电流 (体二极管): 18A
    - 在25°C时的最大功率耗散: 1.1W (线性降额因子: 8.8 mW/°C)
    热阻
    - 结至环境热阻 (a): 113°C/W
    - 结至环境热阻 (b): 73°C/W
    静态电气特性
    - 漏源击穿电压 \( V(BR)DSS \): 20V
    - 零栅压漏极电流 \( I{DSS} \): 1μA
    - 栅体泄漏 \( I{GSS} \): 100nA
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 0.7V
    - 静态漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.1Ω (VGS=4.5V, ID=2.2A)
    - 前向跨导 \( g{fs} \): 3.2S
    动态特性
    - 输入电容 \( C{iss} \): 460pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 150pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 50pF
    - 开关时间 \( t{d(on)} \): 4.0ns
    - 上升时间 \( t{r} \): 10.4ns
    - 关断延迟时间 \( t{d(off)} \): 16.9ns
    - 下降时间 \( t{f} \): 8.0ns
    - 总栅极电荷 \( Q{g} \): 6.3nC

    产品特点和优势


    ZXM62N02E6 的低导通电阻和快速开关速度使其非常适合高效、低电压的电源管理应用。此外,它还具备低阈值电压和低栅极驱动需求,这些特点使得该产品在许多工业和消费电子产品中具有较高的应用价值。特别是其SOT23-6小型封装形式,使得它易于集成到各种电路设计中。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 直流-直流转换器:ZXM62N02E6 可以作为高效能的直流-直流转换器中的关键组件,提供稳定可靠的电压转换。
    - 电机控制:该MOSFET在电机控制电路中表现出色,可以实现精确的电机调速和电流控制。
    使用建议:
    - 散热管理:虽然ZXM62N02E6的热阻相对较高,但在实际应用中需要考虑适当的散热措施,以防止过热导致性能下降或损坏。
    - 栅极驱动电路:由于其低栅极驱动需求,可使用较小的栅极驱动电阻,提高整体系统的效率。

    兼容性和支持


    ZXM62N02E6 与其他标准的SOT23-6封装的电子元件和设备兼容。Zetex公司提供了详尽的技术支持文档和客户服务热线,确保用户在使用过程中能够获得及时的帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定适合的应用温度范围?
    - 解决方案:根据手册中的数据表,确认工作温度范围应在-50°C至+150°C之间。
    2. 问题:在高电流条件下,功率耗散需要注意哪些方面?
    - 解决方案:确保适当的设计散热方案,例如使用散热片或增加散热面积,以减少热应力对器件的影响。
    3. 问题:栅极驱动电路的设计应该如何进行?
    - 解决方案:参照技术手册中的相关图表和数据,选择合适的栅极电阻值,以确保MOSFET的正常工作。

    总结和推荐


    ZXM62N02E6 是一款高度集成且性能优良的MOSFET,特别适合于需要高效、快速开关速度和低功耗的应用场合。其独特的优势在于低导通电阻和快速开关速度,能够显著提升电源管理系统的整体性能。综合考虑其技术和市场表现,我们强烈推荐在相关的高效率电源管理系统中使用此款产品。

ZXM62N02E6参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 6.3nC(Max) @ 4.5V
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@ 4.5V
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 12V
最大功率耗散 1.7W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 460pF@ 15V
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装

ZXM62N02E6厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXM62N02E6数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXM62N02E6 ZXM62N02E6数据手册

ZXM62N02E6封装设计

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