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ZVP3306F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 330mW 20V 1个P沟道 60V 14Ω@ 10V 50pF(Max) @ 18V 贴片安装
供应商型号: 9526226
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVP3306F

ZVP3306F概述


    产品简介


    本文将介绍一款型号为ZVN3306F的P沟道增强型垂直双扩散MOS场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET)。该产品采用SOT23封装,主要用于控制和调节电路中的电流。适用于开关电源、逆变器、电机驱动等领域。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 栅极-源极电压:±20 V
    - 漏极-源极电压:-60 V
    - 持续漏极电流(Tamb=25°C):-90 mA
    - 脉冲漏极电流:-1.6 A
    - 最大耗散功率(Tamb=25°C):330 mW
    - 工作及存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 电气特性
    - 击穿电压(ID=-1mA, VGS=0V):-60 V
    - 阈值电压(ID=-1mA, VDS=VGS):-1.5 V 至 -3.5 V
    - 栅极-体泄漏电流(VGS=±20V, VDS=0V):20 nA
    - 零栅极电压漏极电流(VDS=-60 V, VGS=0V):-0.5 µA
    - 正向跨导(VDS=-18V, ID=-200mA):60 mS
    - 输入电容(f=1MHz):50 pF
    - 输出电容(f=1MHz):25 pF
    - 反向传输电容(f=1MHz):8 pF
    - 开启延时时间(td(on)):8 ns
    - 上升时间(tr):8 ns
    - 关闭延时时间(td(off)):8 ns
    - 下降时间(tf):8 ns

    产品特点和优势


    ZVN3306F具备高可靠性、长寿命的特点,能够在极端条件下稳定运行。其关键优势在于低导通电阻(RDS(on)=14Ω),确保了高效的电流控制能力,从而减少了能量损耗。此外,该产品具有较低的栅极-体泄漏电流,有助于提高整体系统的稳定性。

    应用案例和使用建议


    ZVN3306F广泛应用于各种电力电子设备中,如开关电源、逆变器、电机驱动等。在实际应用中,建议通过合适的散热措施来管理工作过程中的发热情况,以延长产品寿命并提高可靠性。此外,在设计电路时,需要注意合适的电压和电流参数匹配,避免过载或击穿现象。

    兼容性和支持


    该产品与其他符合SOT23封装标准的电子元器件具有良好兼容性。厂家提供了详细的技术文档和应用指南,用户可以通过官方网站或技术支持热线获取更多信息和支持。对于常见的问题,例如热管理和性能优化,建议参考手册中的相关章节进行调整。

    常见问题与解决方案


    - 问题:漏极-源极电压(VDS)超出额定值
    - 解决办法:确保电路设计中对VDS进行正确的限流保护,避免超过额定电压。

    - 问题:栅极-源极电压(VGS)过高
    - 解决办法:使用合适的驱动电路,限制VGS不超过±20V的额定值。

    - 问题:开启/关闭延时时间较长
    - 解决办法:调整电路参数,优化负载条件,降低寄生电容的影响。

    总结和推荐


    综上所述,ZVN3306F是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET。其优良的电气特性和广泛的应用范围使其成为电力电子领域的理想选择。对于需要高效电流控制和低功耗的应用场合,强烈推荐使用ZVN3306F。务必在应用前仔细阅读技术手册,确保正确使用和安装。

ZVP3306F参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 14Ω@ 10V
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 330mW
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 50pF(Max) @ 18V
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZVP3306F厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVP3306F数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVP3306F ZVP3306F数据手册

ZVP3306F封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 2.774
50+ ¥ 2.3429
100+ ¥ 2.0993
500+ ¥ 2.0618
1500+ ¥ 2.0618
库存: 2133
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