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DMTH6004SK3-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 3.9W(Ta),180W(Tc) 20V 4V@ 250µA 95.4nC@ 10 V 1个N沟道 60V 3.8mΩ@ 90A,10V 100A 4.556nF@30V TO-252-3 贴片安装 6.58mm*6.1mm*2.29mm
供应商型号: 30C-DMTH6004SK3-13 TO252
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13概述

    # DMTH6004SK3 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术概述

    产品简介


    DMTH6004SK3 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 60V N 沟道增强型 MOSFET。其设计旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效率电源管理应用的理想选择。这款 MOSFET 在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内运行可靠,非常适合恶劣的工作环境。
    主要功能:
    - 低导通电阻(RDS(ON)): 仅 3.8 mΩ @ VGS = 10V。
    - 高电流能力: 最大连续漏极电流可达 100A。
    - 高温适应性: 工作温度范围广,最高可至 +175°C。
    - 卓越的开关性能: 适合高频率应用。
    应用领域:
    - 发动机管理系统
    - 车身控制电子系统
    - 直流-直流转换器
    - 电机控制

    技术参数


    以下是 DMTH6004SK3 的关键技术参数,详细反映了其性能和可靠性:
    | 参数名称 | 最小值 (Min) | 典型值 (Typ) | 最大值 (Max) | 单位 | 测试条件 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | - | - | 60 | V
    | 栅源电压 (VGS) | -20 | - | +20 | V
    | 漏极连续电流 (ID) | - | - | 100 | A | TC = +25°C |
    | 漏极脉冲电流 (IDM) | - | - | 150 | A | 10µs 脉冲,占空比 1% |
    | 零栅压漏极电流 (IDSS) | - | - | 1 | µA | VDS = 48V, VGS = 0V |
    | 导通电阻 (RDS(ON)) | - | 3.8 | - | mΩ | VGS = 10V, ID = 90A |
    | 二极管正向电压 (VSD) | - | 0.9 | 1.2 | V | VGS = 0V, IS = 20A |
    工作环境:
    - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 热阻:RθJA = 38°C/W,RθJC = 0.8°C/W

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻: DMTH6004SK3 的低 RDS(ON) 值显著降低了功率损耗,尤其适用于高频和高效应用。
    2. 高可靠性: 通过了 AEC-Q101 标准认证,确保了其在汽车电子和工业应用中的长期稳定性。
    3. 宽温范围: 能够在极端温度条件下运行,是高环境温度环境的理想选择。
    4. 绿色设计: 符合 RoHS 标准,无卤素和锑化物,环保且安全。
    5. 高开关速度: 低门极电荷(QG)和反向传输电容(CRSS)保证了快速的开关性能。

    应用案例和使用建议


    DMTH6004SK3 可广泛应用于多种场景,例如发动机管理系统、DC-DC 转换器和电机控制。为了最大化其性能和寿命,建议:
    1. 散热管理: 使用大面积铜垫布局以有效散热。
    2. 过流保护: 在设计电路时加入适当的过流保护机制,避免因过载导致损坏。
    3. 环境考量: 在高温环境下操作时,需确保良好的通风和热传导设计。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该器件采用 TO252 (DPAK) 封装,适合标准 PCB 设计。
    - 技术支持: Diodes Incorporated 提供详尽的技术文档和支持服务,包括日期代码标记和封装细节。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 温度过高导致性能下降 | 改进散热设计,增加外部散热片 |
    | 开关损耗较大 | 优化电路布局,减少寄生电感和寄生电阻 |
    | 导通电阻偏高 | 更换为更低 RDS(ON) 的型号 |

    总结和推荐


    DMTH6004SK3 是一款出色的高性能 MOSFET,具有低导通电阻、高可靠性及宽工作温度范围等特点。它非常适合需要高效率和高稳定性的应用场合,如汽车电子和工业自动化。综合考虑其技术参数和应用价值,强烈推荐在相关领域使用此产品。

DMTH6004SK3-13参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 100A
Rds(On)-漏源导通电阻 3.8mΩ@ 90A,10V
栅极电荷 95.4nC@ 10 V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 3.9W(Ta),180W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.556nF@30V
长*宽*高 6.58mm*6.1mm*2.29mm
通用封装 TO-252-3
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMTH6004SK3-13厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMTH6004SK3-13数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMTH6004SK3-13 DMTH6004SK3-13数据手册

DMTH6004SK3-13封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 5.643
100+ ¥ 4.697
1250+ ¥ 4.279
2500+ ¥ 3.96
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