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DMN53D0LDW-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=50 V, 360 mA, SOT-363封装, 表面贴装, 6引脚
供应商型号: 14M-DMN53D0LDW-7
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7概述

    # DMN53D0LDW 双N通道增强型场效应晶体管技术手册

    产品简介


    DMN53D0LDW是一款由Diodes Incorporated生产的双N通道增强型场效应晶体管(MOSFET)。这款新型晶体管的设计目的是最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持优异的开关性能,使其适用于高效率电源管理应用。其广泛应用于直流-直流转换器、电源管理功能、电池供电系统及固态继电器等领域。此外,它还适合作为驱动器用于继电器、电磁阀、灯泡、锤子、显示器、存储器、晶体管等。

    技术参数


    额定参数(@TA = +25°C)
    - 栅源电压 (VGSS): ±20 V
    - 漏极电流 (ID): 360 mA
    - 热特性
    - 总功耗 (PD): 310 mW
    - 结点至环境的热阻抗 (RθJA): 411 °C/W
    电气特性(@TA = +25°C)
    - 开启时漏极-源极导通电阻 (RDS(ON)):
    - 1.6Ω @ VGS = 10V, ID = 500mA
    - 2.5Ω @ VGS = 4.5V, ID = 200mA
    - 2.5Ω @ VGS = 4.5V, ID = 250mA
    - 输入电容 (Ciss): 46 pF (VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1.0MHz)
    - 输出电容 (Coss): 5.3 pF (VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1.0MHz)
    - 反向转移电容 (Crss): 4.0 pF (VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1.0MHz)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(ON)): 最小化了器件的导通电阻,提升了功率转换效率。
    - 低输入电容: 低输入电容有利于快速开关速度。
    - 高速开关: 出色的开关速度使其适合于高频电路。
    - 小型表面贴装封装: 适合高密度电路板布局。
    - 防静电保护 (ESD): 受到2KV的ESD保护,保证在运输和安装过程中不损坏。
    - 完全无铅且符合RoHS标准: 符合环保要求。
    - AEC-Q101认证: 达到了高可靠性标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 直流-直流转换器: DMN53D0LDW特别适用于需要高效转换的场合。
    - 固态继电器: 由于其低导通电阻和良好的开关特性,非常适合驱动各种负载。
    - 驱动器: 在各类驱动器中表现出色,如继电器、电磁阀、灯泡等。
    使用建议
    - 在使用该MOSFET时,应注意选择合适的栅极电压以确保最佳的导通电阻。建议在高效率电源设计中,通过测试不同的VGS值来优化系统。
    - 为了达到最佳的开关速度,可以考虑优化电路板布局,减少杂散电感的影响。

    兼容性和支持


    - DMN53D0LDW具有标准的小型表面贴装封装,易于与其他常见的电子元器件兼容。
    - Diodes Incorporated提供了详尽的技术支持,包括应用笔记和设计指南,确保用户能够正确地使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 如何处理静电敏感的问题?
    - 使用接地良好的工作台和工具,确保手部清洁并穿戴防静电手环。

    2. 如何测试MOSFET的导通电阻 (RDS(ON))?
    - 使用数字万用表的二极管档位进行测试,注意不要超过规定的最大栅极电压。
    3. 如何确保MOSFET在高温下的稳定运行?
    - 使用适当的散热片或散热器,并确保电路板的布局允许良好的空气流通。

    总结和推荐


    总体而言,DMN53D0LDW是一款高性能的双N通道MOSFET,以其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性成为电源管理和驱动应用的理想选择。其全面的环保特性和高可靠性使得它在市场中具备显著的竞争优势。因此,强烈推荐此产品给需要高效能电源管理和可靠驱动控制的应用场合。

DMN53D0LDW-7参数

参数
通道数量 2
配置
最大功率耗散 310mW
Vds-漏源极击穿电压 50V
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 360mA
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.6Ω@ 500mA,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 46pF@25V
栅极电荷 0.6nC@ 4.5V
长*宽*高 2.15mm*1.3mm*1mm
通用封装 SOT-363
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN53D0LDW-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN53D0LDW-7数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7数据手册

DMN53D0LDW-7封装设计

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