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DMN3110S-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 3.8 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: DMN3110S-7
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN3110S-7

DMN3110S-7概述

    DMN3110S N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    DMN3110S 是一款由 Diodes Incorporated 设计的新型 N-沟道增强模式 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。此 MOSFET 旨在将导通电阻(RDS(on))降至最低,同时保持卓越的开关性能,使其适用于高效率功率管理应用。以下是其基本概述:
    - 类型:N-沟道增强模式 MOSFET
    - 主要功能:
    - 高效率电源管理
    - 波峰电路
    - 模拟开关
    - 应用领域:
    - 通用接口开关
    - 功率管理功能
    - 波峰应用
    - 模拟开关

    2. 技术参数


    以下是 DMN3110S 的主要技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDSS | - | - | 30 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGSS | -20 | - | +20 | V |
    | 持续漏极电流(注5) | ID | - | - | 2.5 | A |
    | 导通电阻(注8) | RDS(ON) | - | 54 | 73 | mΩ |
    | 门限电压 | VGS(TH) | 1.0 | - | 3.0 | V |
    | 输入电容 | CISS | - | 305.8 | - | pF |
    | 门级电荷 | QG | - | 4.1 | - | nC |

    3. 产品特点和优势


    DMN3110S MOSFET 的关键优势如下:
    - 低导通电阻:典型的导通电阻在 VGS=10V 下仅为 54mΩ,在 VGS=4.5V 下为 88mΩ。
    - 低输入电容:输入电容低至 305.8pF,有利于快速开关速度。
    - 高速开关:具备快速的开关速度,保证高效能的应用。
    - 无铅环保:完全符合欧盟 RoHS 标准,是绿色设备。
    - 可靠性认证:符合 AEC-Q101 标准,确保高可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    DMN3110S MOSFET 广泛应用于各种高效率电源管理系统,例如通用接口开关、功率管理功能和波峰应用。以下是一些实际使用场景和建议:
    - 电源管理:适用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑等移动设备的充电管理。
    - 波峰应用:可以用于提升 LED 照明系统的亮度。
    - 模拟开关:适合用于需要高精度和低噪声的模拟电路设计。
    使用建议:
    - 在使用时注意散热,因为其热阻较高(RθJA = 173.4°C/W)。
    - 通过良好的 PCB 布局和散热设计,可以进一步提高设备的稳定性和可靠性。

    5. 兼容性和支持


    DMN3110S MOSFET 可以方便地与其他标准组件和设备兼容。Diodes Incorporated 提供全面的技术支持和售后服务,包括:
    - 详细的安装和使用指南
    - 定期的技术更新和支持
    - 全面的质保服务

    6. 常见问题与解决方案


    以下是用户在使用过程中可能会遇到的一些常见问题及其解决方案:
    - 问题: 开关速度过慢
    - 解决方案: 确认输入电容是否合适,并调整驱动电路以加快开关速度。

    - 问题: 过高的漏极-源极电压导致损坏
    - 解决方案: 使用合适的保护电路,如 TVS 二极管来限制电压。

    7. 总结和推荐


    综上所述,DMN3110S N-沟道增强模式 MOSFET 是一款性能优异、环保且可靠的电子元器件。它的低导通电阻、高速开关能力和绿色设计使其在高效率电源管理应用中表现出色。我们强烈推荐这一产品,尤其是在需要高性能和可靠性的应用中。

    如果您有任何疑问或需要进一步的帮助,请联系 Diodes Incorporated 的技术支持团队。

DMN3110S-7参数

参数
Id-连续漏极电流 2.5A
栅极电荷 8.6nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 305.8pF@15V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 73mΩ@ 3.1mA,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
最大功率耗散 740mW(Ta)
配置 独立式
长*宽*高 3mm(长度)*1mm(高度)
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN3110S-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN3110S-7数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN3110S-7 DMN3110S-7数据手册

DMN3110S-7封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.3211
6000+ ¥ 0.3106
12000+ ¥ 0.3053
24000+ ¥ 0.3027
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