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DMC2053UVTQ-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1V@ 250µA 3.6nC@ 4.5V,5.9nC@ 4.5V N+P沟道 20V 35mΩ@ 5A,4.5V,74mΩ@ 3.5A,4.5V 4.6A;3.2A 369pF@ 10V,440pF@ 10V TSOT-26 贴片安装
供应商型号: DMC2053UVTQ-13
供应商: 国内现货
标准整包数: 10000
DIODES 场效应管(MOSFET) DMC2053UVTQ-13

DMC2053UVTQ-13概述

    DMC2053UVTQ 补全型增强模式MOSFET技术手册

    产品简介


    DMC2053UVTQ 是一款由Diodes Incorporated生产的互补型增强模式MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高效率电源管理应用。该产品包括一个N沟道MOSFET和一个P沟道MOSFET,具有低导通电阻(RDS(ON))、低输入电容和快速开关速度等特点。由于其优异的性能和多功能应用,该产品广泛应用于背光照明、DC-DC转换器等领域。

    技术参数


    DMC2053UVTQ 的主要技术规格如下:
    - 最大电压(VDS):N通道20V,P通道-20V。
    - 栅源电压(VGSS):±12V。
    - 连续漏极电流:N通道4.6A@VGS=4.5V, 3.7A@TA=+70°C;P通道-3.2A@VGS=-4.5V, -2.6A@TA=+70°C。
    - 最大持续体二极管正向电流:1.4A(N通道),-1.3A(P通道)。
    - 热特性:
    - 结到环境的热阻(RθJA):稳态为108°C/W(TA=+25°C时为173°C/W)。
    - 结到外壳的热阻(RθJC):37°C/W。
    - 工作温度范围:结温(TJ)和存储温度(TSTG)范围为-55°C至+150°C。

    产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(ON)):N通道的最小导通电阻为35mΩ@VGS=4.5V,最大为56mΩ@VGS=1.8V;P通道的最小导通电阻为74mΩ@VGS=-4.5V,最大为168mΩ@VGS=-1.8V。
    - 低输入电容:Ciss(输入电容)为369pF(N通道),440pF(P通道)。
    - 快速开关速度:N通道的开关延迟时间为2.6ns,P通道的开关延迟时间为3.2ns。
    - 低输入/输出泄漏:IGSS(栅源泄漏电流)为±100nA。
    - 环保材料:无铅,符合RoHS、Halogen和Antimony标准。
    - 适配汽车应用:AEC-Q101认证,PPAP能力,生产在IATF16949:2016认证的设施中。

    应用案例和使用建议


    DMC2053UVTQ 主要用于以下场景:
    - 背光照明:适用于LED背光电路,确保高亮度的同时降低功耗。
    - DC-DC转换器:适用于各种电源转换应用,确保高效能和稳定性。
    - 电源管理功能:适用于计算机、通信设备和消费电子等领域的电源管理系统。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保适当的散热措施以避免过热。
    - 根据具体的应用需求选择合适的封装形式。
    - 遵循制造商推荐的PCB布局,以最大化产品性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:可与其他标准SMD封装的元件兼容。
    - 支持和服务:Diodes Incorporated提供详尽的技术文档和支持服务,用户可通过官网获取更多信息和帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何处理过热问题?
    - A: 确保良好的散热措施,如增加散热片、采用更大尺寸的PCB等。
    - Q:如何确定正确的驱动电压?
    - A: 参考数据手册中的RDS(ON)与VGS曲线图,根据所需的工作电流选择合适的驱动电压。
    - Q:如何检测故障?
    - A: 使用万用表或示波器检测输出电压和电流,确保与预期相符。

    总结和推荐


    总体而言,DMC2053UVTQ 是一款具备高可靠性的互补型MOSFET,其低导通电阻和快速开关性能使其非常适合于高效率电源管理和背光照明应用。其环保特性使其成为绿色产品的一个好选择。强烈推荐在需要高性能、高效能的电源管理和控制电路中使用这款产品。

DMC2053UVTQ-13参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 4.6A;3.2A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 369pF@ 10V,440pF@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@ 5A,4.5V,74mΩ@ 3.5A,4.5V
FET类型 N+P沟道
通道数量 -
栅极电荷 3.6nC@ 4.5V,5.9nC@ 4.5V
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 20V
通用封装 TSOT-26
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMC2053UVTQ-13厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMC2053UVTQ-13数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMC2053UVTQ-13 DMC2053UVTQ-13数据手册

DMC2053UVTQ-13封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
8000+ ¥ 1.0992
12000+ ¥ 1.0894
库存: 100000
起订量: 10000 增量: 10000
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