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DMN2013UFDE-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 660mW(Ta) 8V 1.1V@ 250µA 25.8nC@ 8 V 1个N沟道 20V 11mΩ@ 8.5A,4.5V 10.5A 2.453nF@10V DFN-2020E-6,U-DFN2020,UDFN-20206 贴片安装 2mm*2mm*600μm
供应商型号: 30C-DMN2013UFDE-7 U-DFN2020-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7概述

    DMN2013UFDE 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    DMN2013UFDE 是一款20V N通道增强模式功率场效应晶体管(MOSFET),专为高效能电源管理应用而设计。它具有低导通电阻(RDS(ON))和优秀的开关性能,适用于通用接口开关及各种电源管理功能。

    技术参数


    - 额定电压:VDSS = 20V
    - 最大栅源电压:VGSS = ±8V
    - 连续漏极电流(稳态):
    - VGS = 4.5V 时,TA = +25°C 下为 10.5A;TA = +70°C 下为 8.5A
    - VGS = 2.5V 时,TA = +25°C 下为 9.4A;TA = +70°C 下为 7.5A
    - 脉冲漏极电流(10μs 脉冲,占空比 = 1%):IDM = 80A
    - 最大体二极管连续电流:IS = 2.5A
    - 总功耗(稳态):
    - TA = +25°C 下为 0.66W;TA = +70°C 下为 0.42W
    - TA = +25°C 下为 2.03W;TA = +70°C 下为 1.31W
    - 热阻(结到环境):稳态下为 189°C/W;t<10s 下为 132°C/W
    - 热阻(结到外壳):RθJC = 9.3°C/W
    - 操作和存储温度范围:TJ, TSTG = -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(ON) 仅为 8.4mΩ @ VGS = 4.5V,这使得器件非常适合高效率电源管理应用。
    - 低门限电压:简化电路设计,减少能耗。
    - 超薄封装:0.6mm 封装,非常适合低高度应用。
    - 绿色环保:完全符合欧盟RoHS标准,不含卤素和锑,符合AEC-Q101标准,具备高可靠性。
    - 无铅:全金属焊接无铅工艺,完全符合RoHS标准。
    - ESD保护:提供静电放电保护,提高器件可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 通用接口开关:适用于需要高效率、低导通电阻的应用场景。
    - 电源管理:可用于电池充电、负载切换和其他功率管理功能。
    - 其他应用:例如用于通信设备、汽车电子、工业控制等领域。
    使用建议
    - 在使用过程中,确保不要超过器件的最大额定值,以避免损坏。
    - 根据不同的应用场景,选择合适的驱动电压(如VGS)来优化性能。
    - 考虑散热设计,合理利用器件的热阻参数来保持稳定的工作温度。

    兼容性和支持


    - DMN2013UFDE 具有通用的U-DFN2020-6封装,易于与其他设备集成。
    - 厂商提供详细的技术支持和维护服务,确保用户能够充分利用该器件的优势。
    - 可通过Diodes Incorporated官网获取更多关于包装和封装的信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确保在高温环境下正常工作?
    - 解决方案:参考热阻参数,确保散热设计满足要求,同时避免超过器件的最大工作温度。
    - 问题:器件的ESD保护能力如何?
    - 解决方案:采用内置ESD保护,无需额外的保护电路,但仍需注意正确布线和使用防护措施。
    - 问题:如何正确选择驱动电压?
    - 解决方案:根据具体应用场景选择合适的VGS,查阅手册中的特性曲线图,选择最优化的驱动电压以降低导通电阻。

    总结和推荐


    DMN2013UFDE 作为一款高性能的20V N通道MOSFET,具有低导通电阻、高可靠性和绿色环保等特点,非常适合于各种高效率的电源管理和通用接口开关应用。厂商提供了详尽的支持和服务,帮助用户更好地理解和使用这款器件。总体而言,强烈推荐将DMN2013UFDE用于需要高性能、高可靠性的应用场合。

DMN2013UFDE-7参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.1V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.453nF@10V
Vgs-栅源极电压 8V
Id-连续漏极电流 10.5A
配置 独立式
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 660mW(Ta)
栅极电荷 25.8nC@ 8 V
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@ 8.5A,4.5V
长*宽*高 2mm*2mm*600μm
通用封装 DFN-2020E-6,U-DFN2020,UDFN-20206
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN2013UFDE-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN2013UFDE-7数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN2013UFDE-7 DMN2013UFDE-7数据手册

DMN2013UFDE-7封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 1.606
100+ ¥ 1.232
750+ ¥ 1.0296
1500+ ¥ 0.935
3000+ ¥ 0.858
库存: 6080
起订量: 1 增量: 3000
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