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DMC3730UVT-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 900mW 8V 1.1V@ 250µA 1.64nC@ 4.5V,1.1nC@ 4.5V N+P沟道 25V 450mΩ@ 500mA,4.5V,1.1Ω @ 500mA,4.5V 680mA,460mA 50pF@ 10V,63pF@ 10V TSOT-23 贴片安装
供应商型号: 30C-DMC3730UVT-13 TSOT26
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) DMC3730UVT-13

DMC3730UVT-13概述


    产品简介


    DMC3730UVT是一款互补对管增强模式MOSFET,由Diodes Incorporated公司生产。这种MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持优异的开关性能,使其成为高效功率管理应用的理想选择。该产品包含一个N-Channel和一个P-Channel,分别具有不同的电压等级和电阻值。典型应用领域包括背光、DC-DC转换器以及电源管理功能。

    技术参数


    - BVDSS(漏源击穿电压):N-Channel为25V,P-Channel为-25V。
    - RDS(ON)(导通电阻):
    - N-Channel:在VGS = 4.5V时为0.45Ω,在VGS = 2.7V时为0.60Ω,在VGS = 1.8V时为0.73Ω。
    - P-Channel:在VGS = -4.5V时为1.1Ω,在VGS = -2.7V时为1.5Ω,在VGS = -1.8V时为2.2Ω。
    - 最大连续栅极电压:±8V。
    - 连续漏电流:N-Channel为0.68A,P-Channel为-0.46A。
    - 最大脉冲漏电流:N-Channel为3A,P-Channel为-2.5A。
    - 热特性:
    - 总功耗PD:在静态状态下为0.7W,在热状态为0.9W。
    - 热阻RθJA:静态状态为180°C/W,在热状态为140°C/W。
    - 工作温度范围:Junction, Storage: -55°C到+175°C。
    - 电容特性:
    - 输入电容Ciss:N-Channel为50pF,P-Channel为63pF。
    - 输出电容Coss:N-Channel为28pF,P-Channel为34pF。
    - 反向传输电容Crss:N-Channel为9pF,P-Channel为10pF。

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:通过最小化RDS(ON),降低了整体功耗,提高了效率。
    - 低输入电容:减少了开关损耗,提高了开关速度。
    - 快速开关速度:缩短了开关时间,提高了系统的响应速度。
    - 低输入/输出泄漏电流:增强了系统稳定性。
    - 静电保护门控:防止静电损坏。
    - 环保材料:完全符合欧盟RoHS标准,无卤素和锑化合物。
    - 高可靠性:通过AEC-Q101标准认证,适用于汽车及其他高可靠性要求的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 背光应用:DMC3730UVT可以用于LED背光源,利用其低导通电阻和快速开关速度,提高显示效果。
    - DC-DC转换器:在高频开关应用中,该产品能够提供高效的功率转换,提高系统的能效。
    - 电源管理功能:作为电源管理系统的一部分,该产品能够在各种工况下稳定运行,确保系统的正常供电。
    使用建议
    - 背光应用:建议选用合适的驱动电路以充分发挥其低导通电阻的优势。
    - DC-DC转换器:考虑其快速开关速度,适当调整开关频率,避免不必要的功耗。
    - 电源管理:注意散热设计,避免因过热导致的性能下降。

    兼容性和支持


    - 兼容性:DMC3730UVT采用TSOT26封装,与其他类似的MOSFET产品具有良好的兼容性,易于替代其他品牌的产品。
    - 支持:Diodes Incorporated提供了详细的技术文档和支持服务,包括产品手册、应用指南和技术支持热线。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 检查连接电路,确认是否正确选择了VGS。 |
    | 开关速度慢 | 检查栅极电阻设置,适当减小栅极电阻以提高开关速度。 |
    | 静电损坏 | 使用防静电工具,如接地手环,并遵循正确的安装和处理步骤。 |

    总结和推荐


    DMC3730UVT是一款功能强大的互补对管增强模式MOSFET,具备多种优势,适用于多种高效率的应用场景。该产品的低导通电阻、快速开关速度和高可靠性使其在现代电力电子系统中表现出色。综合来看,无论是背光、DC-DC转换器还是电源管理系统,这款产品都是值得推荐的选择。如果您正在寻找一款高性能、可靠的MOSFET,DMC3730UVT将是您的理想之选。

DMC3730UVT-13参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.1V@ 250µA
通道数量 2
最大功率耗散 900mW
Id-连续漏极电流 680mA,460mA
Rds(On)-漏源导通电阻 450mΩ@ 500mA,4.5V,1.1Ω @ 500mA,4.5V
栅极电荷 1.64nC@ 4.5V,1.1nC@ 4.5V
Vds-漏源极击穿电压 25V
FET类型 N+P沟道
Vgs-栅源极电压 8V
配置
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 50pF@ 10V,63pF@ 10V
通用封装 TSOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMC3730UVT-13厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMC3730UVT-13数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMC3730UVT-13 DMC3730UVT-13数据手册

DMC3730UVT-13封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 0.759
100+ ¥ 0.5236
500+ ¥ 0.4763
2500+ ¥ 0.4411
5000+ ¥ 0.4114
10000+ ¥ 0.385
库存: 18946
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