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ZVN2106ASTOA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 700mW(Ta) 20V 2.4V@1mA 1个N沟道 60V 2Ω@ 1A,10V 450mA 75pF@18V TO-92-3 导线安装,通孔安装
供应商型号: ZVN2106ASTOA-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 16000
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVN2106ASTOA

ZVN2106ASTOA概述

    ZVN2106A N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 技术手册解析

    产品简介


    ZVN2106A 是一款 N-沟道增强型垂直双扩散 MOS 场效应晶体管(DMOS FET),适用于多种电子应用。这款晶体管具有高可靠性、高性能的特点,广泛应用于电源管理、马达驱动、工业控制等领域。

    技术参数


    ZVN2106A 的主要技术参数如下:
    | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 | 条件 |

    | 漏源电压 | - | 60 | V | -
    | 持续漏极电流(Ta=25°C) | - | 450 | mA | -
    | 脉冲漏极电流 | - | 8 | A | -
    | 栅源电压 | -20 | +20 | V | -
    | 功耗(Ta=25°C) | - | 700 | mW | -
    | 工作和存储温度范围 | -55 | +150 | °C | -
    | 漏源击穿电压 | - | 60 | V | Id=1mA, Vgs=0V
    | 栅源阈值电压 | 0.8 | 2.4 | V | Id=1mA, Vds=
    | 栅体泄漏电流 | - | 20 | nA | Vgs=±20V, Vds=0V
    | 零栅压漏电流 | 500 | 100 | nA/µA | Vds=60V, Vgs=0, Vds=48V, Vgs=0V, T=125°C
    | 开态漏极电流 | - | 2 | A | Vds=18V, Vgs=10V
    | 静态漏源通态电阻 | - | 2 | Ω | Vgs=10V, Id=1A
    | 前向跨导 | - | 300 | mS | Vds=18V, Id=1A
    | 输入电容 | - | 75 | pF | Vds=18V, Vgs=0V, f=1MHz
    | 输出电容 | - | 45 | pF | Vds=18V, Vgs=0V, f=1MHz
    | 反向传输电容 | - | 20 | pF | Vds=18V, Vgs=0V, f=1MHz

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:能够在极端温度条件下稳定工作,工作温度范围为-55°C 至 +150°C。
    2. 高性能:低 RDS(on) 电阻值,仅为 2Ω,在 10V 时的开态漏极电流达到 2A。
    3. 快速响应:优秀的跨导特性,使得其能够在开关应用中实现快速响应。
    4. 高稳定性:具备高阈值电压,能够避免意外开启的情况发生。

    应用案例和使用建议


    ZVN2106A 主要应用于电源管理和电机驱动领域。例如,在一个简单的电源转换电路中,可以使用 ZVN2106A 进行高压侧开关控制,以提高电路的能效和可靠性。
    使用建议:
    1. 在选择使用 ZVN2106A 之前,确保其工作条件符合手册中的要求,特别是温度和电压范围。
    2. 考虑到高脉冲电流的应用场景,应使用适当的散热措施来保证其长期可靠运行。

    兼容性和支持


    ZVN2106A 采用 TO-92 封装,与市面上大多数 TO-92 封装的晶体管具有良好的互换性,可方便地替换现有设计中的同类产品。制造商提供详尽的技术支持文档和售后维护服务,确保用户能够充分利用产品的潜力。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高电流环境下,晶体管发热严重。
    解决方法:增加散热片或使用更好的散热材料,确保晶体管正常工作。
    2. 问题:栅源电压波动导致工作不稳定。
    解决方法:使用稳压电路确保栅源电压稳定,减少噪声干扰。

    总结和推荐


    ZVN2106A 以其高可靠性、高性能和广泛的适用性成为市场上的热门产品。它不仅适用于电源管理和电机驱动领域,还在多种工业控制系统中表现出色。综合来看,ZVN2106A 是值得推荐的产品,特别是在需要高效、可靠的开关控制的应用场景中。

ZVN2106ASTOA参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 2Ω@ 1A,10V
通道数量 1
最大功率耗散 700mW(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 75pF@18V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@1mA
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 450mA
通用封装 TO-92-3
安装方式 导线安装,通孔安装
包装方式 卷带包装

ZVN2106ASTOA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVN2106ASTOA数据手册

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ZVN2106ASTOA封装设计

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