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ZVP2106ASTOB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 700mW(Ta) 20V 3.5V@1mA 1个P沟道 60V 5Ω@ 500mA,10V 280mA 100pF@18V TO-92-3 导线安装,通孔安装
供应商型号: ZVP2106ASTOB-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 2000
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVP2106ASTOB

ZVP2106ASTOB概述

    ZVP2106A P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 技术手册

    1. 产品简介


    ZVP2106A 是一款 P 沟道增强型垂直双扩散 MOSFET(DMOS FET),具有高耐压、低导通电阻等特性。该产品广泛应用于电源管理、马达控制、照明系统等领域。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压:VDS = -60V
    - 连续漏极电流(Ta = 25°C):ID = -280mA
    - 脉冲漏极电流:IDM = -4A
    - 栅源电压:VGS = ±20V
    - 功耗(Ta = 25°C):Ptot = 700mW
    - 工作及存储温度范围:Tj:Tstg = -55°C ~ +150°C
    - 电气特性(除非另有说明,所有测试均在 Ta = 25°C 下进行)
    - 漏源击穿电压:BVDSS = -60V(ID = -1mA,VGS = 0V)
    - 栅源阈值电压:VGS(th) = -1.5V ~ -3.5V(ID = -1mA,VDS = VGS)
    - 栅体泄漏电流:IGSS = 20nA(VGS = ±20V,VDS = 0V)
    - 零栅电压漏极电流:IDSS = -0.5µA ~ -100µA
    - 开态漏极电流(ID(on)):ID(on) = -1A(VDS = -18V,VGS = -10V)
    - 开态漏极-源极电阻(RDS(on)):RDS(on) = 5Ω(VGS = -10V,ID = -500mA)
    - 前向跨导(gfs):gfs = 150mS(VDS = -18V,ID = -500mA)
    - 输入电容(Ciss):Ciss = 100pF
    - 共源输出电容(Coss):Coss = 60pF(VDS = -18V,VGS = 0V,f = 1MHz)
    - 反向转移电容(Crss):Crss = 20pF
    - 开启延迟时间(td(on)):td(on) = 7ns
    - 上升时间(tr):tr = 15ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):td(off) = 12ns
    - 下降时间(tf):tf = 15ns

    3. 产品特点和优势


    ZVP2106A 具有以下显著特点和优势:
    - 高耐压:最高可承受 -60V 的漏源电压,适用于高压环境。
    - 低导通电阻:RDS(on) = 5Ω,能够有效降低功耗,提高效率。
    - 快速开关特性:具备较低的开启延迟时间和上升时间,有助于提升系统的响应速度。
    - 优良的温度特性:在广泛的温度范围内仍能保持良好的电气性能,适应各种恶劣环境。
    - 兼容性:采用 TO92 封装,方便在不同应用中使用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:ZVP2106A 广泛应用于电源转换电路中,作为功率开关器件使用。例如,在直流-直流转换器中,利用其高耐压和低导通电阻的特点,能够有效地减少损耗并提升转换效率。
    - 使用建议:在使用过程中,建议通过热设计来优化散热性能,以避免过热现象;同时,要确保工作条件不超过绝对最大额定值,以免损坏器件。

    5. 兼容性和支持


    ZVP2106A 采用标准的 TO92 封装,具有较好的兼容性,易于集成到现有的电路设计中。厂家提供了详尽的技术支持和售后服务,确保用户能够获得最佳的应用体验。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:在高温环境下使用时,ZVP2106A 的性能下降。
    - 解决方案:通过合理的散热设计,如加装散热片或使用风扇等,来降低工作温度,提高器件的可靠性和寿命。

    - 问题2:设备在启动时出现异常噪声。
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,尤其是栅极和源极之间的电容值是否符合要求。可以适当调整电容值以优化启动过程中的波形。

    7. 总结和推荐


    总体来看,ZVP2106A 是一款具有高性能、高可靠性的 P 沟道增强型垂直双扩散 MOSFET。它不仅拥有优异的电气特性,还能适应各种复杂的工作环境。对于需要高压、高效率的电源管理系统来说,是一款非常理想的选择。强烈推荐在相关项目中使用。

ZVP2106ASTOB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 700mW(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 100pF@18V
栅极电荷 -
通道数量 1
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 5Ω@ 500mA,10V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 280mA
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@1mA
通用封装 TO-92-3
安装方式 导线安装,通孔安装
应用等级 工业级
包装方式 卷带包装

ZVP2106ASTOB厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVP2106ASTOB数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVP2106ASTOB ZVP2106ASTOB数据手册

ZVP2106ASTOB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2000+ $ 0.3029 ¥ 2.5345
4000+ $ 0.2812 ¥ 2.3535
6000+ $ 0.2701 ¥ 2.2607
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