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ZVP2110A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 230 mA, E-Line封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 30C-ZVP2110A EP3SC
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVP2110A

ZVP2110A概述

    ZVP2110A P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 技术手册



    产品简介



    ZVP2110A 是一款 P 沟道增强型垂直双扩散 MOS 场效应晶体管(DMOS FET)。这款器件具有高击穿电压和低导通电阻的特点,广泛应用于各种电力转换系统中,如直流开关、电机驱动和电源管理等场合。它特别适合需要高可靠性、高效率的工业和消费电子产品。


    技术参数



    - 绝对最大额定值:
    - 栅极-源极电压:±20V
    - 漏-源极电压:-100V
    - 连续漏极电流(Ta=25°C):-230mA
    - 脉冲漏极电流:-3A
    - 功耗(Ta=25°C):700mW
    - 工作和存储温度范围:-55°C 至 +150°C

    - 电气特性(Ta=25°C,除非另有说明):
    - 漏-源极击穿电压:-100V(ID=-1mA, VGS=0V)
    - 栅-源极阈值电压:-1.5V 至 -3.5V(ID=-1mA, VDS=VGS)
    - 栅体泄漏电流:20nA(VGS=±20V, VDS=0V)
    - 零栅极电压漏极电流:-100μA(VDS=-100V, VGS=0V),-1μA(VDS=-80V, VGS=0V, T=125°C)
    - 导通状态漏极电流:-750mA(VDS=-25V, VGS=-10V)
    - 导通状态下漏-源极电阻:8Ω(VGS=-10V, ID=-375mA)
    - 前向跨导:125mS(VDS=-25V, ID=-375mA)
    - 输入电容:100pF
    - 输出电容:35pF(VDS=-25V, VGS=0V, f=1MHz)
    - 反向传输电容:10pF
    - 开关时间:开启动态时间(td(on))7ns,上升时间(tr)15ns,关断动态时间(td(off))12ns,下降时间(tf)15ns


    产品特点和优势



    ZVP2110A 的主要优势包括:
    - 高达 100V 的漏-源极击穿电压
    - 极低的导通电阻(8Ω)
    - 优异的温度特性,保证在宽温度范围内稳定运行
    - 快速开关时间和良好的频率响应,适用于高频应用

    这些特点使得 ZVP2110A 在电力转换和电机控制等应用中表现出色,能有效提升系统的整体效率和可靠性。


    应用案例和使用建议



    ZVP2110A 可以应用于多种场合,例如:
    - 直流开关:利用其低导通电阻和快速开关特性,提高转换效率。
    - 电机驱动:确保电机平稳高效运行,减少能量损耗。
    - 电源管理:提高电源转换效率,减少发热和功耗。

    使用时应注意以下几点:
    - 确保栅极电压在安全范围内,避免损坏。
    - 适当散热措施,特别是在大功率应用中。
    - 在设计电路时考虑其开关速度,以避免电磁干扰等问题。


    兼容性和支持



    ZVP2110A 采用 E-Line TO92 封装,与标准 TO92 封装兼容。厂商提供详细的技术支持文档,包括电路设计指南和常见问题解答。此外,还可以通过官方技术支持渠道获取帮助。


    常见问题与解决方案



    1. Q: 如何正确安装 ZVP2110A?
    - A: 使用适当的焊接工具和技术,确保引脚正确连接,避免过热损坏。

    2. Q: 如何测试 ZVP2110A 的漏极电流和电压?
    - A: 使用合适的万用表或示波器,按照手册中的测试方法进行测量。

    3. Q: 何时需要外部散热片?
    - A: 当预计的工作电流接近或超过最大连续电流时,建议使用外部散热片以防止过热。


    总结和推荐



    综上所述,ZVP2110A 是一款性能优良、适用范围广的 P 沟道增强型垂直 DMOS FET。它的高可靠性、低导通电阻和快速开关时间使其成为电力转换和电机控制应用的理想选择。推荐使用该器件来提高系统效率和稳定性。

    如果您需要进一步的技术支持或样品请求,请联系供应商或制造商。

ZVP2110A参数

参数
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 700mW(Ta)
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 8Ω@ 375mA,10V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 100pF@25V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 230mA
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@1mA
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

ZVP2110A厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVP2110A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVP2110A ZVP2110A数据手册

ZVP2110A封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.476
100+ ¥ 2.783
1000+ ¥ 2.486
2000+ ¥ 2.354
4000+ ¥ 2.233
24000+ ¥ 2.222
52000+ ¥ 2.2
库存: 2
起订量: 1 增量: 4000
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