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DMN3035LWN-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.78W 20V 2V@ 250µA 9.9nC@ 10V 2个N沟道 30V 35mΩ@ 4.8A,10V 5.5A 399pF@15V VDFN-30208 贴片安装 3mm*3mm*800μm
供应商型号: DMN3035LWN-7
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN3035LWN-7

DMN3035LWN-7概述

    # DMN3035LWN:高性能双N沟道增强型MOSFET

    产品简介


    DMN3035LWN是一款由Diodes Incorporated生产的30V双N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻(RDS(ON))和出色的开关性能。这款MOSFET非常适合高效率电源管理应用,是现代电力电子设计的理想选择。
    主要特点:
    - 产品类型:双N沟道增强型MOSFET
    - 主要功能:
    - 低导通电阻(RDS(ON))
    - 快速开关速度
    - 低输入电容
    - 应用领域:
    - 直流电机控制
    - 直流到交流逆变器

    技术参数


    以下是DMN3035LWN的主要技术参数:
    | 特性 | 符号 | 最小值 (Min) | 典型值 (Typ) | 最大值 (Max) | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDSS | - | - | 30 | V |
    | 栅源电压 | VGSS | ±20 | - | - | V |
    | 连续漏极电流 | ID | - | 5.5 (VGS=10V) | 4.4 (VGS=70°C)| A |
    | 最大连续体二极管正向电流 | IS | - | - | 1 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 30 | A |
    | 热阻抗(结到环境) | RθJA | 71 | - | 162 | °C/W |

    产品特点和优势


    DMN3035LWN具有以下几个显著特点和优势:
    - 低导通电阻:RDS(ON)仅为35mΩ(VGS=10V),45mΩ(VGS=4.5V),确保了高效的功率转换。
    - 快速开关速度:适合高频开关应用,减少开关损耗。
    - 环保设计:完全符合RoHS标准,无铅且无卤化物,符合绿色环保要求。
    - 高可靠性:通过AEC-Q101认证,适用于高可靠性需求的应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 直流电机控制:由于其快速开关速度和低导通电阻,DMN3035LWN非常适合用于驱动小型直流电机。
    - 直流到交流逆变器:其高效率使其成为逆变器设计的理想选择。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计,以保持器件的稳定性能。
    - 结合低阻抗电路板布局,进一步降低寄生效应,提高整体效率。

    兼容性和支持


    DMN3035LWN采用V-DFN3020-8封装,与同类器件具有良好的兼容性。Diodes Incorporated提供详尽的技术支持和文档资源,帮助用户快速集成到设计方案中。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 检查栅极电压是否达到额定值,调整电路设计。 |
    | 开关速度慢 | 确保栅极驱动电路设计合理,减小寄生电感。 |

    总结和推荐


    综上所述,DMN3035LWN是一款高效、可靠且环保的MOSFET产品,特别适合需要高性能功率管理的应用场景。其卓越的低导通电阻、快速开关速度以及环保特性使其在市场上具有很强的竞争优势。我们强烈推荐此产品给需要高效能功率转换的设计师。
    推荐指数:★★★★★

DMN3035LWN-7参数

参数
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
最大功率耗散 1.78W
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 2
配置
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 9.9nC@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 399pF@15V
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@ 4.8A,10V
Id-连续漏极电流 5.5A
长*宽*高 3mm*3mm*800μm
通用封装 VDFN-30208
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN3035LWN-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN3035LWN-7数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN3035LWN-7 DMN3035LWN-7数据手册

DMN3035LWN-7封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 1.1112
5000+ ¥ 1.0474
8000+ ¥ 1.0292
12000+ ¥ 1.0201
库存: 30000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
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