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PT62SCMD12

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: CREE
产品描述:
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
CREE 场效应管(MOSFET) PT62SCMD12

PT62SCMD12参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
长*宽*高 135mm*68mm*35mm
安装方式 螺纹安装
包装方式 散装

PT62SCMD12厂商介绍

CREE公司(现更名为Wolfspeed)是一家全球领先的半导体公司,专注于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术。公司总部位于美国北卡罗来纳州的达勒姆。

主营产品分类:
1. 碳化硅(SiC)产品:包括SiC功率器件、SiC基底材料和SiC射频器件。
2. 氮化镓(GaN)产品:包括GaN射频器件和GaN功率器件。

应用领域:
1. 汽车:电动汽车、混合动力汽车和充电基础设施。
2. 工业:太阳能逆变器、工业电机驱动和电源管理。
3. 通信:基站、数据中心和**通信。
4. 消费电子:快充、无线充电和电源适配器。

CREE的优势:
1. 技术领先:CREE在SiC和GaN技术领域拥有深厚的技术积累和专利布局。
2. 产品性能:CREE的SiC和GaN产品在性能、可靠性和能效方面具有明显优势。
3. 垂直整合:CREE拥有从材料、器件到应用的完整产业链,能够提供一站式解决方案。
4. 客户认可:CREE的产品已被广泛应用于汽车、工业、通信等领域,获得众多客户的信赖和认可。

PT62SCMD12数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
CREE 场效应管(MOSFET) CREE PT62SCMD12 PT62SCMD12数据手册

PT62SCMD12封装设计

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