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CJU10N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 15.5nC 1个N沟道 100V 140mΩ@ 9.6A,10V 9.6mA TO-252
供应商型号: CJU10N10 TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
CJ/江苏长晶(长电) 场效应管(MOSFET) CJU10N10

CJU10N10概述

    # CJU10N10 N-Channel Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    CJU10N10 是一款 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效能电力开关和脉宽调制(PWM)应用设计。凭借出色的低导通电阻(RDS(ON))、超低栅极电荷和低栅极电压操作能力,这款器件被广泛应用于电源管理和负载开关领域。其卓越的散热性能和快速开关能力使其成为高效率应用的理想选择。
    主要功能
    - 高效电力开关
    - 适用于 PWM 应用
    - 超低栅极电荷
    应用领域
    - 功率开关电路
    - 电源管理
    - 工业控制

    技术参数


    以下是 CJU10N10 的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 100 V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 连续漏极电流 | ID 9.6 A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS 150 | mJ |
    | 热阻(结到环境) | RθJA 100 | ℃/W |
    | 结温 | TJ 150 ℃ |
    | 存储温度范围 | TSTG | -55 +150 | ℃ |
    详细性能指标
    - 导通电阻:RDS(on) @ 10V, ID=5A 时典型值为 0.115Ω
    - 输入电容:Ciss @ VDS=25V, VGS=0V 时典型值为 690pF
    - 输出电容:Coss @ VDS=30V 时典型值为 120pF
    - 反向传输电容:Crss @ VDS=30V 时典型值为 90pF

    产品特点和优势


    CJU10N10 的核心优势包括:
    - 卓越的热管理:采用优化的封装设计,提供良好的热传导性能。
    - 低功耗:超低栅极电荷减少开关损耗,提高整体效率。
    - 高速开关:快速开关特性适合高频应用。
    - 可靠性强:经过雪崩能量测试,确保在极端条件下可靠运行。
    这些特性使得 CJU10N10 在高效率电力转换和电机驱动等领域具有显著的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:适用于工业和消费电子设备的负载切换。
    - PWM 应用:广泛用于电机控制和电池管理。
    - 高效电源:可用于服务器、通信设备等领域的开关电源。
    使用建议
    - 在设计开关电路时,需注意确保栅极驱动电路能够提供足够的栅极充电和放电速率。
    - 为防止过热,建议在外围增加散热片或优化 PCB 布局以增强散热效果。
    - 在高压应用中,需要适当限制栅极电压以防击穿。

    兼容性和支持


    CJU10N10 的 TO-252-2L 封装标准且通用,可直接替代同类器件。厂商提供了详细的 SMD 布局图和引脚说明,便于集成到现有系统中。同时,江苏长晶电子有限公司提供全面的技术支持和质量保证,确保客户无忧使用。

    常见问题与解决方案


    问题 1:如何降低导通电阻?
    解决方案:通过提升 VGS 至额定范围(如 10V),可以显著降低 RDS(on)。
    问题 2:如何避免高温损坏?
    解决方案:增加散热措施,例如加装散热片或优化 PCB 设计,保持结温低于 150℃。
    问题 3:栅极噪声如何处理?
    解决方案:在栅极电路中加入 RC 滤波网络,抑制噪声干扰。

    总结和推荐


    CJU10N10 N-Channel Power MOSFET 是一款高性能、高性价比的功率半导体器件。它在导通电阻、开关速度和散热性能方面的出色表现,使其成为众多应用的理想选择。无论是工业控制还是消费电子领域,这款产品都展示了强大的市场适应性。
    综上所述,我们强烈推荐 CJU10N10 作为高效能电力管理的核心组件。对于需要低功耗、高效率的应用场景,该器件无疑是最佳选择之一。

CJU10N10参数

参数
栅极电荷 15.5nC
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 140mΩ@ 9.6A,10V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 9.6mA
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 TO-252

CJU10N10厂商介绍

CJ公司是一家全球领先的高科技企业,专注于研发和生产各类高科技产品。公司主营产品包括电子产品、通信设备、计算机硬件和软件等,广泛应用于消费电子、工业自动化、医疗健康、教育科研等多个领域。

CJ公司的产品分类主要有以下几个方面:
1. 电子产品:包括智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等。
2. 通信设备:包括基站、路由器、交换机等。
3. 计算机硬件:包括服务器、存储设备、网络设备等。
4. 计算机软件:包括操作系统、数据库、办公软件等。

CJ公司的优势主要体现在以下几个方面:
1. 技术创新:公司拥有强大的研发团队,不断推出创新产品,引领行业潮流。
2. 品质保证:公司严格把控产品质量,确保产品性能稳定可靠。
3. 客户服务:公司提供全方位的售前、售中、售后服务,满足客户需求。
4. 市场布局:公司在全球范围内设有多个分支机构,产品远销世界各地。

CJU10N10数据手册

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CJU10N10封装设计

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