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CJMPD08

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2个P沟道 12V 60mΩ@-3.6A,4.5V 3.6A
供应商型号: CJMPD08 DFNWB-6L-A(2X2)
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
CJ/江苏长晶(长电) 场效应管(MOSFET) CJMPD08

CJMPD08概述

    DFNWB2×2-6L-A Plastic-Encapsulated MOSFET 技术手册解读

    1. 产品简介


    CJMPD08 是一款采用先进沟槽技术制造的 P 沟道功率 MOSFET,适用于电池管理和便携式设备中的 DC-DC 转换应用。其设计目标是通过优化的导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),提供高效能和低功耗的解决方案。主要特点包括出色的双向电流流动能力和易于集成的纤薄封装设计,非常适合空间受限的应用场景。
    应用领域:
    - 电池和负载管理(如便携式设备)。
    - 锂离子电池充电和保护电路。
    - 高功率管理设备,例如便携式电池供电产品。
    - 高侧负载开关。

    2. 技术参数


    以下是 CJMPD08 的关键技术和性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 栅源电压范围 | VGS | ±8 | V |
    | 击穿电压(漏源间) | V(BR)DSS | VGS=0V, ID=-250µA | -12 V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | VGS=-4.5V, ID=-3.6A | 35 | 48 | 65 | mΩ |
    | 持续漏极电流 | ID | -3.6 | A |
    | 功率耗散 | PD | 0.7 | W |
    | 热阻(结到环境) | RθJA | 178 | ℃/W |
    | 工作温度范围 | TJ -55 +150 | ℃ |
    其他相关参数:
    - 输入电容:480 pF
    - 输出电容:46 pF
    - 开关时间(上升时间 tr):25 ns
    - 关断延迟时间 td(off):43 ns

    3. 产品特点和优势


    CJMPD08 的显著特点是:
    1. 低导通电阻:低至 35 mΩ(@-4.5V VGS),有效降低功耗。
    2. 低栅极电荷:Qg=7.2 nC,适用于高频开关应用。
    3. 双向电流流动:共源配置可实现良好的双向性能。
    4. 低剖面设计:适合薄型环境下的集成,满足空间限制需求。
    5. 高可靠性:最大工作温度范围为 -55 至 +150 ℃,适合恶劣环境。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在锂离子电池保护电路中作为高侧开关。
    - 用于便携式设备中的电池管理系统。
    - 结合其他半导体器件构建高性能 DC-DC 转换器。
    使用建议:
    - 选择合适的栅极驱动器以避免振铃现象。
    - 在热设计时需考虑 RθJA 值,确保良好散热。
    - 验证驱动电压是否在 VGS 额定范围内,防止过压损坏。

    5. 兼容性和支持


    CJMPD08 支持标准 DFN 封装,便于与多种 PCB 设计兼容。厂商江苏长晶电子科技有限公司提供详细的技术文档和持续的技术支持,确保客户能够快速上手并解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题:漏电流过高
    原因:栅极未正确接地或存在寄生路径。
    解决方法:检查接线是否正确,确保栅极无悬浮点。
    2. 问题:导通电阻异常增加
    原因:可能由于温度过高或器件老化。
    解决方法:更换散热片或升级至更高额定值型号。
    3. 问题:开关速度不足
    原因:驱动电压不足或栅极电阻过大。
    解决方法:优化驱动电路设计,减少栅极电阻值。

    7. 总结和推荐


    CJMPD08 是一款高效、可靠且紧凑的功率 MOSFET,具有卓越的性能指标和广泛的应用前景。它特别适合对空间要求高的便携式设备和电池管理应用。基于其优异的导通电阻和低栅极电荷特性,我们强烈推荐此产品用于需要高效率和低功耗的设计项目中。
    总结优点:
    - 低导通电阻和高开关频率支持能力。
    - 小型化封装,适应便携设备的需求。
    - 广泛的工作温度范围和稳定性能。
    推荐指数:★★★★★

CJMPD08参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 60mΩ@-3.6A,4.5V
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 3.6A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 2个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 12V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -

CJMPD08厂商介绍

CJ公司是一家全球领先的高科技企业,专注于研发和生产各类高科技产品。公司主营产品包括电子产品、通信设备、计算机硬件和软件等,广泛应用于消费电子、工业自动化、医疗健康、教育科研等多个领域。

CJ公司的产品分类主要有以下几个方面:
1. 电子产品:包括智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等。
2. 通信设备:包括基站、路由器、交换机等。
3. 计算机硬件:包括服务器、存储设备、网络设备等。
4. 计算机软件:包括操作系统、数据库、办公软件等。

CJ公司的优势主要体现在以下几个方面:
1. 技术创新:公司拥有强大的研发团队,不断推出创新产品,引领行业潮流。
2. 品质保证:公司严格把控产品质量,确保产品性能稳定可靠。
3. 客户服务:公司提供全方位的售前、售中、售后服务,满足客户需求。
4. 市场布局:公司在全球范围内设有多个分支机构,产品远销世界各地。

CJMPD08数据手册

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CJMPD08封装设计

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